【課題】共振器端面が平坦になるように分割されて成る窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。この劈開導入溝２５２は、ウェハの＜１−１００＞方向に対して平行に設けられるストライプ状光導波路２５３間毎に設けられ、ウェハ＜１１−２０＞方向に対して破線状に設けられる。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】凹凸部４６ｂを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれているので、回折格子エリア上の樹脂は分離エリアにおける平坦化樹脂層４８より厚くなる。このように厚さむらの平坦化樹脂層４８に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、この場合において、厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されるやすい。樹脂残渣の除去において、流量比Ｒ（フッ素系炭素の流量）／（酸素の流量）が１以下の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは小さく、流量比Ｒが１より大きい流量比の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは大きい。流量比Ｒが１以下の範囲であるとき、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】活性層内において「電流を閉じ込め、且つ、光を閉じ込めない」ことが可能な半導体レーザ構造を提供する。
【解決手段】半導体レーザ構造１０では、ｎ型クラッド層２、ｎ型光ガイド層４、多重量子井戸発光層５、ｐ型光ガイド層６、及びｐ型クラッド層８を積層して構成された構造であって、ｎ型クラッド層２内におけるｎ型光ガイド層４と当接する領域、及び、ｐ型クラッド層８内におけるｐ型光ガイド層６と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部３，７を設けるようにした。この構成では、駆動電流が無駄なく活性層に供給され、且つ、活性層内において、光が電流狭窄部３，７に遮られずに増幅される。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の共振器内部の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、ｎ型の下部クラッド層１１と下部クラッド層１１の上に設けられた活性層１２とを含む半導体積層１０と、ｐ型の上部クラッド層１３を含み、半導体積層１０の主面１２ａにおいて一方向に延在するリッジ部１５と、半導体積層１０及びリッジ部１５を覆う絶縁膜２１と、を備え、絶縁膜２１は、主面１２ａにおけるリッジ部１５が設けられていない領域と、リッジ部１５の側面と、に設けられ、絶縁膜２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃからなり、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃは、リッジ部１５の延在方向に順に配置され、第２部分２１ｂの厚さは、第１部分２１ａの厚さ及び第３部分２１ｃの厚さよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】利得、飽和出力の低下を抑制する半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器は、半導体基板１と、その上方に形成されバリア層２に挟まれたコラムナ量子ドット層を複数層含み、各コラムナ量子ドット層は、量子ドット層とサイドバリア層７とを交互に成長し、サイドバリア層が量子ドットの側面を囲む活性層２１と、活性層上方に形成されたクラッド層２５と、クラッド層と半導体基板に接続された電極１６、２７と、を有し、複数のサイドバリア層を積層した積層部のバンド構造の価電子帯のバンド端準位が、エネルギ的に、バリア層２の価電子帯のバンド端準位と同等であるか、より高く、さらに、コラムナ量子ドット層の最上のサイドバリア層とその第２導電型電極側のバリア層との間に配置され、価電子帯のバンド端準位が、バリア層の価電子帯のバンド端準位よりも高く、サイドバリア層の価電子帯のバンド端準位よりも低い中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により特性低下を防止することができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。ｐ側光閉じ込め層１０７は活性層１０５の上方に形成される。電流ブロック層１０８はｐ側光閉じ込め層１０７の上方に、開口部１０９を介して対向する一対の帯状に形成される。ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。ｐ型コンタクト層１１１から活性層１０５を貫通する一対の溝部１３０に挟まれ、メサ部１２０が形成される。電流ブロック層１０８及び開口部１０９はメサ部１２０の内部に含まれる。電流ブロック層１０８の開口部１０９と反対側の端部とメサ部１２０の側壁とは、所定値以上離隔している。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高出力特性とＦＦＰ特性とを同時に満足し、安定した高出力動作が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１１の上に形成された、第１導電型層１２１、活性層１２２及びストライプ状に延びるリッジ部１２３Ａを有する第２導電型層１２３を含む半導体層積層体１１２と、半導体層積層体１１２の上に形成され、リッジ部１２３Ａの上面を露出する開口部を有する誘電体層１１３と、誘電体層１１３の上に形成され、開口部においてリッジ部１２３Ａの上面と接する電極１１５とを備えている。電極１１５によりリッジ部１２３Ａに加わる圧縮応力は、第１領域１０１において、第２領域１０２よりも大きく、第１領域１０１の長さは、共振器長の２分の１よりも短い。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】光利得が高く、低い消費電力で駆動される偏波無依存型光半導体増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の上方に形成されるｎ型ＩｎＰクラッド層２と、ＩｎＰ基板１の上方に形成されるｐ型ＩｎＰクラッド層７と、ｎ型ＩｎＰクラッド層２と前記ｐ型ＩｎＰクラッド層７の間に形成され、伸張歪が加えられた光活性層５と、光活性層５とｎ型ＩｎＰクラッド層２の間に、５００ｎｍ以上の厚さに形成され、ＩｎＰと光活性層５の間の大きさのエネルギーバンドギャップ波長を有する化合物半導体から形成されるｎ型ガイド層３と、を有する （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率を十分に向上させた半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】ｎ型クラッド層７３、ｎ型クラッド層側ガイド層７４、活性層５４、ｐ型クラッド層側ガイド層７６、および、ｐ型クラッド層７７を有し、ｎ型クラッド層側ガイド層７４およびｐ型クラッド層側ガイド層７６を介して、活性層５４に対し垂直方向に電子およびホールが注入される半導体レーザ装置であって、ｎ型クラッド層側ガイド層７４およびｐ型クラッド層側ガイド層７６は、ＩｎＧａＡｓＰにより構成され、ｎ型クラッド層７３およびｐ型クラッド層７７は、Ａｌ組成比が０．１未満のＡｌＧａＩｎＰにより構成される。 （もっと読む）