【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】 波長掃引の高速化と、発振スペクトル線幅の狭小化と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体を備えた光共振器と、前記光利得媒体より放出された光を波長に応じて分散させる分散素子と、前記分散素子を経た特定の波長の光を反射または透過する波長選択部と、を有する光源装置であって、前記光利得媒体より放出された光が前記光共振器内を一往復する間に前記波長選択部で複数回の波長選択がなされ、該複数回の波長選択により得られた重複した波長帯域の光を出射させる光源装置。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】各種光能動素子を低コスト、高歩留まりで実装し、光ネットワークにて要求され
る集積光デバイスを迅速に提供する。
【解決手段】波長可変レーザは、基板上に形成された平面型光導波路によって形成される共振器と、前記共振器の共振波長を調整する共振波長調整部と、前記基板上に取り付けられ、前記平面型光導波路と結合された光導波路を備えた複数の光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＬＤ（モードロックレーザ）部とＳＯＡ（半導体光増幅器）を備えたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。
【解決手段】ＳＯＡ１４の入射側導波路の横方向幅を当該ＳＯＡの入射側導波路の水平横モードがマルチモード（ＭＬＬＤ部の出射側導波路の横方向幅よりも大）となるように設定し、且つＳＯＡの入射側光結合において基本モード（シングルモード）が選択励起されるようにＭＬＬＤ部１０からＳＯＡへの入射光の倍率変換を行い、ＳＯＡの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、ＳＯＡ出射光の光強度分布が単峰特性とする。ＭＬＬＤ部からの入射光の倍率を変換（ＳＯＡへの入射光のスポットサイズを拡大）し、ＳＯＡの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。 （もっと読む）

【課題】ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子１０及び光反射装置７０を備えており、半導体レーザ素子１０を構成する積層構造体はリッジストライプ構造５６を有し、リッジストライプ構造５６の一方の端面５７Ａにおいてレーザ光が出射され、光反射装置７０においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子１０に戻され、レーザ光の残部は光反射装置から外部に出射され、リッジストライプ構造５６の他方の端面５７Ｂにおいてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_min、最大幅をＷ_maxとしたとき、１＜Ｗ_max／Ｗ_min＜３．３、又は、６≦Ｗ_max／Ｗ_min≦１３．３を満足する。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】第１発光領域に対向した可飽和吸収領域の領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１発光領域４１Ａ、第２発光領域４１Ｂ、及び、これらの発光領域に挟まれた可飽和吸収領域４２、第１電極、第２電極を備え、第２発光領域側の端面からレーザ光が出射され、リッジストライプ構造を有し、第２電極６２は、第１部分６２Ａ、第２部分６２Ｂ及び第３部分６２Ｃから構成されており、第１部分６２Ａにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_1-ave、第２部分６２Ｂにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_2-aveとしたとき、１＜Ｗ_2-ave／Ｗ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１化合物半導体層、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層、並びに、第第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、第２電極、並びに、第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第２電極は、発光領域を経由して第１電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第１部分と、可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに、分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_MIN、第２電極の第２部分と分離溝との境界における第２電極の第２部分のリッジストライプ構造の幅をＷ₂としたとき、Ｗ₂／Ｗ_MIN＞１を満足する。 （もっと読む）

【課題】所望の波長の光を高い光取り出し効率で出力することのできるレーザ光波長変換装置を提供すること。
【解決手段】レーザ光波長変換装置は、基本波光としてレーザ光を放射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に対して外部共振器を構成する体積ブラッググレーティング（ＶＢＧ）よりなる基本波光反射素子と、前記半導体レーザ素子と前記基本波光反射素子との間に配置された、基本波光の一部の基本波光の波長を変換して波長変換光とする波長変換素子とを有するレーザ光波長変換装置において、前記波長変換素子より出射されて前記基本波光反射素子に向かう光のうち、基本波光を透過し、波長変換光を反射する選択性反射部材を備えると共に、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との間に、基本波光を透過し、波長変換光を反射させて取り出すダイクロイックミラーが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】雑音の誘発を抑制する半導体光装置を提供すること。
【解決手段】光を増幅する第１光素子２と、第１光素子２の一端面から入射する光から所定波長帯域の光を選択する第２光素子１３と、第２光素子１３と第１光素子２を光結合させる第１の光導波路２２と、第１光素子２の他端面から入射する光を反射する反射鏡３８と、反射鏡３８と第１光素子２を光結合させる光第２の導波路３７とを備える光共振器２，３８、１３と、光共振器２、３８、１３に光結合される光出力部２４ａとを有し、第２の光導波路３７が光ファイバを有することを特徴とする半導体光装置。 （もっと読む）

【課題】 波長光学部品の透過ピークもしくは入射光の波長が変化しているのか否かを判定する。
【解決手段】 レーザ装置は、所定の波長について透過性を有し光増幅器からの光を透過する波長光学部品を備える外部共振器と、波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知する第１の光検知手段と、光増幅器側から入射しかつ波長光学部品により反射され透過光に対して逆相の関係にある反射光の光強度を検知する第２の光検知手段と、透過光または反射光における所定の波長の光強度に変化が観察されたとき、当該変化の前後における第１および第２の光検知手段が検知する光強度の増減が逆であるか否かを判定する判定手段と、当該増減が逆であると判定された場合に光増幅器の出力波長または波長光学部品の透過波長を制御する波長制御手段と、当該増減が同じであると判定された場合に光増幅器の出力を制御する出力制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リング共振器における光損失の増加を抑制しつつ、リング共振器の共振波長間隔（ＦＳＲ）を大きくすることが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、利得導波路を含む利得領域１０ａと、回折格子が形成された可変ＤＢＲ領域１０ｂと、利得領域１０ａを挟んで可変ＤＢＲ領域１０ｂと対向する光反射端面４ｂと、環状導波路及び光カプラを含む第１及び第２のリング共振器１０ｄ、１０ｆと、光反射端面４ｂに一端が光結合され所定の光軸方向に沿って延びる光導波路３とを備える。第１および第２のリング共振器１０ｄ，１０ｆは、光カプラを介してそれぞれ光導波路３と光学的に結合しており、可変ＤＢＲ領域１０ｂ、利得領域１０ａ、及び光反射端面４ｂとで、レーザ共振器を構成する。第１のリング共振器１０ｄのＦＳＲと第２のリング共振器１０ｆのＦＳＲとは互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ分極及び自発分極の影響を低減させることができる構成を有するモードロック半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層３０、発光領域４１を有する第３化合物半導体層４０及び第２化合物半導体層５０が、順次、積層されて成る積層構造体、第２電極６２、並びに、第１電極６１を備え、積層構造体は、極性を有する化合物半導体基板２１上に形成されており、第３化合物半導体層は井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有し、井戸層の厚さは１ｎｍ乃至１０ｎｍであり、障壁層の不純物ドーピング濃度は２×１０¹⁸ｃｍ^-3乃至１×１０²⁰ｃｍ^-3であるモードロック半導体レーザ素子の駆動方法にあっては、第２電極６２から積層構造体を介して第１電極６１に電流を流すことで、発光領域４１において光パルスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型のレーザー光源を前提として、出力レーザー光の可干渉性を低下させることでスペックルノイズを確実に低減し得る光源装置を提供する。
【解決手段】レーザー光を射出する発光部を有する一対の発光素子１２，１３を備え、発光素子１２，１３は半導体レーザー素子であり、互いに一方の発光素子１２，１３が有する発光部が射出したレーザー光が他方の発光素子が有する発光部へ入射するように配置され、一対の発光素子１２，１３の間における光路上に配置され、空間的に選択波長域が異なる波長選択手段１７と、一対の発光素子１２，１３の少なくともいずれか一方を冷却する冷却手段３０と、互いにレーザー光が入射する発光部同士が、それぞれ異なる温度となるように冷却手段３０を制御する制御部５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】選択的に可変である、共鳴波長の光線を反射することの出来るチューナブル共鳴格子フィルタを提供する。
【解決手段】フィルタは、回折格子３と、平面状導波路４と、フィルタをチューニングすることを許容し得るよう選択的に可変の屈折率を有する光透過性材料とを備え、該光透過性材料は、導波路に対するチューナブルクラッディング層５、好ましくは、液晶ＬＣ材料で形成する。回折格子３が平面状導波路４に対してチューナブル層５の反対側部に配置され、これによりフィルタのチューニング可能性に顕著に影響を与えずに、格子パラメータを所望のフィルタの帯域幅に特に合わせることができる。共鳴構造体１内にて、コア層４をチューナブル層と直接接触するか又はコアとチューナブル層との間に介在された相対的に薄い中間層と直接接触するチューナブル層５に近接する位置に配置することで、コア層４の有効屈折率を効率的に変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１００は、凹部が設けられた基板１１０と、基板１１０の基板面１１０ａに配置された一対の発光部と、凹部内に接合された嵌合部材と、一対の発光部の一方の発光部１２０から射出された光を反射させる第１反射部１４０と、第１反射部１４０で反射した光を一対の発光部の他方の発光部１３０に向けて反射させる第２反射部１５０と、を備える。第１反射部１４０が、嵌合部材を間隙をもって挿通する貫通孔が設けられた支持部材１４１と、支持部材１４１に当接して支持された光反射部材１４２と、を有している。一対の発光部と第１反射部１４０と第２反射部１５０とを含んで共振器が構成されている。 （もっと読む）

【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】高出力化を実現するレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１は、第１発光素子１２と、第２発光素子１３と、各発光素子から射出されたレーザー光の波長を変換する波長変換素子１６と、基本波長のレーザー光を反射させ、所定の変換波長のレーザー光を透過させる分離素子１４，１５と、波長変換素子に入射するレーザー光のうち所定の波長のレーザー光を透過させる波長選択素子１７と、を備え、各発光素子１２，１３は、互いに一方の発光素子の発光部からのレーザー光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置され、分離素子１４，１５が、第１発光素子と波長変換素子との間の光路上、第２発光素子と波長変換素子との間の光路上の少なくとも一方に配置され、波長選択素子１７は、分離素子と、第１発光素子１２または第２発光素子１３との間の光路上のうち、波長変換素子１６が配置されていない側の光路上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光領域から位相調整領域へのキャリアのリークを抑制することが可能な半導体発光素子とそれを用いた波長可変レーザ光源を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、一方の端面１０ａから他方の端面１０ｂに向かって活性層１３と導波路層１４とが連続して形成され、活性層１３側の領域に発光領域Ｉと光出力補償領域ＩＩとが他方の端面１０ｂに向かってこの順で形成され、導波路層１４側の領域に位相調整領域ＩＩＩが形成され、発光領域Ｉと光出力補償領域ＩＩと位相調整領域ＩＩＩとは電気的に絶縁されており、発光領域Ｉは、第１の電流Ｉ₁を受けて光を発し、位相調整領域ＩＩＩは、第３の電流Ｉ₃を受けて活性層１３から導波された光の位相を変化させ、光出力補償領域ＩＩは、その電位が位相調整領域ＩＩＩの電位と等しくなる第２の電流Ｉ₂を受け、発光領域Ｉからの光を増幅して導波路層１４へ導波する。 （もっと読む）