【課題】閾値電流を低下することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。特に、第２半導体層１２と第２反射器４２との間に設けられ第２半導体層１２と接続された第２電極３２と、第２反射器４２の周囲に設けられ第２電極３２と接続された接続電極５０と、第２半導体層１２と前記接続電極５０との間に設けられ半導体部１０からの光を反射可能な電流狭窄部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体層とコンタクト電極との接触抵抗を低減し発熱を抑制しつつ、シングル横モード発振の得られやすい半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の一形態に係る半導体レーザ素子は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを有する半導体積層部と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の少なくとも一方の半導体層上に設けられ第１開口部を有する第１絶縁部と、第１絶縁部上と第１開口部における半導体層上とに連続して設けられ第１開口部において半導体層と電気的に接続されたコンタクト電極と、を備える。特に、コンタクト電極は、第１開口部よりも小さな第２開口部を第１開口部の内側に有する第２絶縁部を有し、第１開口部の内側且つ第２開口部の外側において第２絶縁部により半導体層から近い側と遠い側とに分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、半導体層の上に、第一の誘電体膜４１６と、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンとを有する第一のレジスト膜４１８と、を形成する第一の工程と、第一の工程の後に、第２のパターンを覆い、第１のパターンを露出するように、第二のレジスト膜４２６を形成する第二工程と、第二の工程の後に、第二のレジスト膜をマスクとして、第１のパターンにおける半導体層を除去し、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、を有し、第１のパターン４２０と第２のパターン４２２は同一工程により形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスと、を抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、該基板の面に対して垂直方向に、活性層と、フォトニック結晶の構造を有するフォトニック結晶層とが積層された積層構造を備え、
該フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す二次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記積層構造中に、高屈折率媒質からなる中央部と、該高屈折率媒質よりも屈折率が低い低屈折率媒質からなる周辺部とを備えた屈折率層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】光利用効率の高い、高光出力の面型発光素子を提供する。
【解決手段】面型発光素子は、半導体基板１０上に設けられた、半導体基板１０の面と交差する方向に光が放出される発光部１１と、半導体基板１０の面と対向する出射面側に設けられた、外部に光を出射するための開口部１３ａを備える遮蔽部１３と、発光部１１と遮蔽部１３の間に設けられた、入射した光が蓄積される光蓄積層１２と、を有する。光蓄積層１２は、凹部または凸部が発光部１０から放出された光の進行方向と交差する方向に周期的に設けられた周期構造を備え、該周期構造の表面の少なくとも一部の領域に、光子を捕獲する微小凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】超小型で調節しやすい遠紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】ポンプ光源と、半導体利得構造と、利得構造サブキャビティと、凹面出力結合反射鏡とを備え、前記ポンプ光源が前記利得構造サブキャビティに対して、前記ポンプ光源によって発せられる光が前記利得構造サブキャビティに入射して前記利得構造サブキャビティを発光させるように配置されており、さらに、前記利得構造サブキャビティが前記凹面出力結合反射鏡に対して、前記利得構造サブキャビティによって発せられる光を、前記凹面出力結合反射鏡に入射させ、前記利得構造サブキャビティの前記上端面に反射させて、前記利得構造サブキャビティをさらに発光させるように配置されていることを特徴とする発光素子、が提供される。 （もっと読む）

【課題】活性領域への電流の供給を促進させ、しきい値電流の低く、高出力で長寿命の垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の垂直共振器型面発光レーザは、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含む窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に、開口部を有する絶縁層と、前記開口部を被覆するように前記絶縁層上に設けられた透光性電極と、該透光性電極を介して前記開口部上に設けられた誘電体材料からなる反射鏡とを有し、前記絶縁層と前記反射鏡の間に導電性材料を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

デバイスが提供される。本デバイスは、第１の有機発光デバイスを含み、この有機発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に配置された有機発光層とをさらに含む。本デバイスはまた、第１のレーザデバイスを含み、この第１のレーザデバイスは、光共振器と、この光共振器内に配置された有機レイジング材料をさらに含む。焦点機構が、第１の有機発光デバイスによって放射される光を第１のレーザデバイス上へ集束させるように配置されている。好ましくは、焦点機構は、第１の有機発光デバイスによって放射される光よりも強度が少なくとも１０倍大きな、より好ましくは少なくとも１００倍大きな、第１のレーザデバイスへの入射光を供給する。
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【課題】窒化物系共振器半導体構造の両側に分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設ける。
【解決手段】第１の分布型ブラッグ反射器１２２を有する窒化物系共振器半導体構造１４０がサファイア基板上に設けられ、第１の分布型ブラッグ反射器１２２に第２の基板１２８が結合され、レーザアシスト・エピタキシャル・リフトオフによってサファイア基板が除去され、ＶＣＳＥＬ構造の、第１の分布型ブラッグ反射器１２２とは反対側に、第２のブラッグ反射器１４２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内における膜厚のばらつきを抑制し、安定した品質の窒化物半導体素子を効率的に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成長基板上に窒化物半導体層を形成してウエハを得る積層工程と、前記ウエハを窒化物半導体層側から膜厚方向に一部除去して複数の溝部を形成する溝部形成工程と、前記複数の溝部に埋込層を形成する工程と、前記成長基板側から一部の埋込層の底面を露出させ、一部の埋込層の底面は成長基板又は窒化物半導体層により被覆された状態にする第１工程と、該第１工程で露出させた底面とは異なる底面を露出させる第２工程と、からなる除去工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できるフォトニック結晶面発光レーザおよびフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 （もっと読む）

【課題】光源装置を含む光学系の小型化を可能とし、かつ高い効率で光を射出することが可能な光源装置、その光源装置を備える画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】発光素子である半導体素子１１と、共振器である外部共振器１４と、第１面及び第２面を備える透過反射部である透過反射ミラー１２と、光路変換部である反射ミラー１５と、を有し、第１主光線と、光路変換部から射出した光束の主光線である第２主光線との間隔をＤ、第２面の垂線と第１主光線とがなす角度をθ、第１面及び第２面の間隔をｄ、第１面及び第２面の間の部材の屈折率をｎとすると、透過反射部及び光路変換部は、以下の条件式を満足するように配置される。
【数１】
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【課題】面内方向に屈折率が周期的に変化する周期構造のミラーを用いた場合においても、簡単な構造によってミラーの中央部と周辺部の反射率を制御し、単一横モード発振ができる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザであって、
上部反射ミラー及び下部反射ミラーの少なくともいずれか一方が、
面内方向に屈折率が周期的に変化する周期構造を有し、該周期構造の面内方向に対して垂直方向に入射した光が、該面内方向において共振を生じ、該面内方向に対して垂直に反射するように構成され、
前記周期構造には位相シフト部が設けられ、該位相シフト部によって該位相シフト部が設けられている周辺領域に反射率減少領域を形成し、
前記反射率減少領域内における特定モードの共振光に対する反射率を減少させ、前記周期構造の面内方向における反射率を制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体埋込層の中に直接遷移型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる量子ドットが埋め込まれた構造の発光素子において、発光効率を向上させる。
【解決手段】発光素子を、Ｓｉを含む基板１と、基板１上に形成された活性層２とを備えるものとし、活性層２を、直接遷移型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料からなる量子ドット５と、量子ドット５の表面全体を覆う外殻部６と、外殻部６によって覆われた量子ドット５を埋め込むＩＶ族半導体埋込層３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とする活性層で発生した偏光を、しきい値の上昇を抑制して出力できる半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする窒化物半導体からなる活性層３０と、活性層３０の主面と平行に配置された第１の反射膜２０と、活性層３０を挟んで第１の反射膜２０と対向して配置された第２の反射膜４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により高い効率で安定した光量の光を射出することが可能な光源装置、その光源装置を用いる照明装置、モニタ装置及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】光を共振させる共振構造を備える光源装置１０であって、光を射出する光源部である半導体素子１１と、光源部から射出した光の波長を変換する波長変換素子であるＳＨＧ素子１２と、共振構造において共振させる光の波長を選択する波長選択素子であるＶＨＧ１３と、波長変換素子の温度を計測する第１温度計測部である第１サーミスタ２１と、波長選択素子の温度を計測する第２温度計測部である第２サーミスタ２２と、第１温度計測部による計測結果、及び第２温度計測部による計測結果に基づいて、波長変換素子及び波長選択素子のいずれか一方の温度を調節する温度調節部であるヒータ２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコン・レーザー素子及びその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くし、発光部の近傍に配置された、第1の誘電体から構成される導波路と、第１及び第２の誘電体を交互に隣接させる事によって形成したミラーを有する極薄シリコン・レーザーである。 （もっと読む）