【課題】誘電体多層膜により上部ＤＢＲが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記上部ＤＢＲは、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をｎとした場合、λ／４ｎよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成された下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭとを含む。メサＭの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜１１２が形成され、さらにメサＭの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜１１４が形成される。層間絶縁膜１１４は、出射保護膜１１２の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部１１４Ａと、出射保護膜１１２上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部１１４Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層１０３，１０５と、活性層１０４とを備える。活性層１０４は、共振器スペーサー１０３，１０５間に共振器スペーサー層１０３，１０５に接して形成される。共振器スペーサー層１０３は、格子整合するＧａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層１０４Ｂ，１０４Ｄ，１０４Ｆと、Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる障壁層１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｅ，１０４Ｇとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層１０５は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】高変調速度で駆動でき、有効寄生キャパシタンスが小さく、特に簡単且つ低コストで製造できるレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光相互接続に使用されるレーザ発振装置を提供する。レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。第２反射器は、電流閉じ込め開口に配置された第１反射領域と、第１反射領域を取り囲む第２反射領域とを具備する。第２反射領域及び第１反射器は、補助活性領域で誘導再結合を誘導するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、メサ構造の面発光レーザの製造方法であって、
半導体層上の第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により形成する工程と、
これらのパターンが形成された第一の誘電体膜を含む半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、
第２のパターンが形成された半導体層の上の第二の誘電体膜を残して、第二の誘電体膜を除去した際の第１のパターンを用いてメサ構造を形成し、その後に電流狭窄構造を形成する工程と、
第二の誘電体膜が除去された第一の誘電体膜の第２のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザアレイにおける各面発光レーザより放出されるレーザ光の放射角を少なくとも略均一とする。
【解決手段】面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬレーザアレイ）は、半導体基板９９上に、第一反射鏡９８と活性層９７および第二反射鏡９３を順次に積層し、第二の反射鏡９３上に電気的に接続された第二電極９２にはレーザ光を取り出す開口部９４を有し、第一反射鏡９８もしくは第二反射鏡９３内部もしくは隣接する部位に電流狭窄層９５を有するメサポスト状に加工されたレーザ素子（面発光レーザ：ＶＣＳＥＬ）を複数、配列してなり、特に、より中心部に位置するレーザ素子の酸化狭窄層９５の形状が、より外側に位置するレーザ素子に対してサイズが大きめに異なり、かつ、レーザ素子の第二電極９２に形成されている開口部９４が、酸化狭窄層９５のサイズに応じて当該レーザ素子により放出されるレーザ光の放射角が一定になるサイズで形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化し、製造時間の短縮を行うことができる面発光半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ型多層膜反射層２、ｉ型多層膜反射層３、ｎ型多層膜反射層４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層８、ｐ型電流ブロック層９、ｐ型多層膜反射層１０、ｐ型コンタクト層１１が積層されている。面発光レーザ部は、活性層６を半導体反射ミラーで挟んだ共振器により構成される。上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層中のＯ原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する半導体基板であって、前記ｐ型結晶層が、３族原子としてアルミニウム原子を含む３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、１×１０^１７ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含み、かつ、２×１０^１７ｃｍ^−３以上、２×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】イントラキャビティー構造の電極層を有する低閾値で動作可能な垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】共振器の内部に３個以上の奇数個のスペーサ層５０３、５０５、５０７を有し、それらの間が２個以上の中間ミラー５０４、５０６で仕切られており、任意の（２Ｎ’−１）個隣同士のミラー間の光学距離をｄとし（Ｎ’：１以上の整数）、隣同士の中間ミラーからの反射光の位相とびをそれぞれΦ１、Φ₂とするとき、以下の式（１）の関係を満たし、２Ｎ’個隣同士のミラー間の光学距離をｄ’とするとき、以下の式（２）の関係を満たし、電極層が下部ミラーより数えて偶数番目のスペーサ層中、又はその隣接部に設けられている。２ｄ・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝２Ｎ・π・・・・式（１）２ｄ’・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝（２Ｎ−１）・π・・・・式（２）（但し、Ｎ：１以上の整数） （もっと読む）

【課題】光強度分布制御層による簡単な構成により２次元フォトニック結晶による回折光の強度を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザの提供。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に設けられたキャリアを注入することで発光する活性層１０３と、活性層上に設けられた活性層で発生した光を面内で共振させる２次元フォトニック結晶層１０４を有する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、２次元フォトニック結晶層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層中の光強度分布を制御する光強度分布制御層１０５を備え、下部クラッド層と、活性層と、フォトニック結晶層と、光強度分布制御層と、該光強度分布制御層上に設けられた上部クラッド層と、の積層構造によるスラブ導波路が構成され、光強度分布制御層の屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率より大きく、面内での膜厚分布が異なっている。 （もっと読む）

【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層を形成する半導体層１７１、１７２、１７４、１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ、１７２ａ、１７４ａ、１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ、１７２ｂ、１７４ｂ、１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層を構成し、擬似的組成傾斜層１０９、１１１内に設けたＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓ層１７３によって、電流狭窄部１１０ｂを形成する際の酸化を停止する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 出射領域内に設けられ、該出射領域内における周辺部の反射率と中心部の反射率を異ならせる透明な誘電体層を有し、コンタクト層１０９の厚さは、出射領域内における相対的に反射率の高い領域と相対的に反射率が低い領域とで互いに異なり、コンタクト層は、上部半導体ＤＢＲの最表面高屈折率層上に設けられ、相対的に反射率が低い領域では、最表面高屈折率層とコンタクト層１０９とを合わせた光学的厚さが、「発振波長／４」の奇数倍からずれている。 （もっと読む）