【課題】トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。次いで、原料ガス及び炭素ドーパントを成長炉１０に供給しトンネル接合のためのｐ型高濃度半導体層２１をｐ型スペーサ半導体層１９上に成長する。ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。熱処理温度Ｔ_ＴＨは摂氏５００度〜６００度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する面発光レーザ素子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。そして、分離用の溝１５２を形成することによって露出した下部半導体ＤＢＲ１０３の最表面を不動態化する。そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。この場合、信頼性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】柱状構造近傍の絶縁保護膜の剥離を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１２と、バッファ層１４を含むｎ型の下部ＤＢＲ１６と、活性層２０と、ｐ型の上部ＤＢＲ２２と、上部ＤＢＲ２２から下部ＤＢＲ１６至る半導体層をエッチングして形成されたポストＰと、ポストＰの底部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ｂを介してバッファ層１４に至るコンタクト溝３２と、バッファ層１４に電気的に接続されるｎ側電極３４と、ポストＰの頂部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ａを介して上部ＤＢＲ２２に電気的に接続されるｐ側電極２８と、コンタクト溝３２とポストＰとの間の下部ＤＢＲ１６に形成された絶縁保護膜の剥離を防止する剥離防止溝５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで面発光型半導体レーザ素子をバーンインする方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法は、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるためのストレス電流を印加するステップ（ステップＳ１０４）と、ストレス電流を印加した面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加し、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定するステップ（ステップＳ１０５）と、測定された結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと（ステップＳ１０６）を有する。ストレス電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流（サーマルロールオーバの駆動電流）よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が故障するときの故障電流よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板と、前記基板上に形成された、Ａｌ_xＧａ_1−xＡｓ（０．８≦ｘ≦１）からなる低屈折率層とＡｌ_yＧａ_1−yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）からなる高屈折率層との周期構造から形成され、かつ該低屈折率層および高屈折率層の少なくとも１層がｎ型である下部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡の上側に設けられた、低屈折率層と高屈折率層との周期構造から形成される上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、少なくとも前記下部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられた、前記活性層に電流を注入するための下部電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】メサ部１７内には、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＰ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）系の材料（赤色系の材料）からなる活性層１３と、面内の中央領域に未酸化領域１８Ｂを有すると共に、未酸化領域１８Ｂの周縁に環状の酸化領域１８Ａを有する電流狭窄層１８とが設けられている。メサ部１７の上面には、未酸化領域１８Ｂに対応して高反射領域２３Ａを有すると共に、高反射領域２３Ａの周縁に環状の低反射領域２３Ｂを有する横モード調整層３０が設けられている。酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_oxおよび未酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_hrは０．８＜Ｄ_hr／Ｄ_ox＜１．５を満たしている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い歩留まりの面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体材料により構成される活性層を、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される２つの反射鏡によって上下から挟み込まれた積層体を半導体基板の表面上に形成してなり、該半導体基板の前記積層体を形成した面と反対側の面に下部電極が接続され、前記積層体の上部の反射鏡表面に上部電極が接続され、前記電極の間に電流を流すことにより、前記半導体基板面に対して垂直にレーザ光を発する面発光半導体レーザにおいて、該面発光半導体レーザは上側の反射鏡に形成された半導体膜の一部の領域を酸化することにより、電流狭窄構造が形成される選択酸化層を有するとともに、前記活性層と前記選択酸化層と前記上側の反射鏡領域においてメサ構造が形成されており、該メサ構造の側壁面に、前記選択酸化層の前記積層体の上部からの深さ方向位置を検出する検出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子、光ピックアップ装置、光源装置および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ウルツ鉱型結晶構造の無極性面と当該無極性面に沿った方向とは直交する有極性面とを有する下地層１と、下地層１の当該無極性面である成長面１Ａ上に形成されており、当該無極性面１Ａにおける下地層１の格子定数とは異なる格子定数を有するIII族窒化物半導体からなる複数の量子細線活性層２とを含み、量子細線活性層２は、前記有極性面の法線方向（ｃ軸方向）に伸長するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光部に対してレンズが高精度で位置合わせされた面発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の面発光素子は、一方の面にレンズ１０２が形成されているレンズ基板１０１と、半導体エピタキシャル層を含む発光部１０３とを含み、
前記レンズ基板１０１に、目合わせマーク１０４が形成されており、
前記レンズ基板１０１の前記レンズ１０２が形成されている面上に、前記半導体エピタキシャル層と前記レンズが対向している状態で、前記発光部１０３が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低く、スロープ効率の高い面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性層を挟んで配置された下部多層膜反射鏡と上部多層膜反射鏡とによって構成される光共振器構造を有する、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる面発光レーザ素子であって、光が存在あるいは通過する領域に配置され、Ｃが添加されるとともに、前記Ｃの添加によって発生する前記基板に対する引っ張り歪を補償して該基板に対する圧縮歪を発生させる量の歪補償元素を結晶組成として含むｐ型半導体層を備える。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高い一次元アレイ素子の製造方法および信頼性が高い一次元アレイ素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる一次元アレイ素子の製造方法であって、エピタキシャル成長を用いて、主表面として（１００）面を有する基板の該主表面上に、素子領域中の一部に活性領域を有する単一素子を＜０１１＞方向に対してゼロよりも大きい角度をなす配列方向に複数配列して構成した一次元アレイ素子を複数形成し、該形成した一次元アレイ素子を素子分離する。 （もっと読む）

【課題】表面実装が可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、半絶縁性の基板１２と、ｎ型の半導体層１４と、ｎ型の下部多層膜反射鏡１６と、活性層１８と、ｐ型の上部多層膜反射鏡２０と、ｎ側の金属配線２２と、ｐ側の金属配線２４とを有する。基板上にはメサＰが形成され、メサＰから離れた各々の位置に半導体層１４から基板１２の底部に至る貫通孔３０、４０が形成される。ｎ側の金属配線２２は、貫通孔３０を横切るように延在しかつ半導体層１４に絶縁膜２６の開口部を介して電気的に接続され、ｐ側の金属配線２４は、貫通孔４０を横切るように延在しかつメサＰの頂部において上部多層反射鏡２０に電気的に接続される。配線基板５０のバンプ５４Ａ、５４Ｂは、貫通孔３０、４０内にそれぞれ充填され、面発光型半導体レーザと回路基板５０との実装体が得られる。 （もっと読む）

【課題】製造安定性に優れ、取り扱い性に優れた面発光レーザアレイを提供すること。
【解決手段】面発光レーザアレイ１は、異なる波長で発振する複数の面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄを一つの基板１１上に集積したものである。面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄ、活性層１０３、半導体層１０４，第二多層膜ブラッグ反射鏡１０５を有するメサ１００Ａ〜１００Ｄを備える。各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄの各メサ１００Ａ〜１００Ｄは、基板面側からの平面視において半導体層１０４の外形寸法が等しく、かつ、半導体層１０４の一部を酸化して形成された電流狭窄領域に囲まれる電流注入領域１０４Ａが略同一面積である。各メサ１００Ａ〜１００Ｄの第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄの熱抵抗値を異ならせ、各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄから発振される波長を異なるものとしている。 （もっと読む）

【課題】偏光の安定を図ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有している。基板上には、上部ＤＢＲ１０８から下部ＤＢＲ１０２に至るポストＰが形成され、ポストＰの頂部には、出射領域１１２を挟んで対向する位置に２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂが形成されている。２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂの出射領域１１２側の側壁には凹凸を含むフィン形状１３０がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓコンタクト層の厚さが２０ｎｍ程度以下である７８０ｎｍ帯又は７８０ｎｍ帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、ＧａＡｓコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に、下部半導体多層膜反射鏡３、下部スペーサ層４、活性層５、上部スペーサ層６、上部半導体多層膜反射鏡８、コンタクト層９を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層９上に化合物半導体を含む第１の保護膜１０を形成する第１の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第１の保護膜１０をエッチングしてコンタクト層９を露出させる第１の保護膜エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。積層構造２０は柱状のメサ部２１を有する。下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。酸化部３０は、発光領域１６Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する一対の酸化部３１，３２からなる。酸化部３１，３２は、低屈折率層１３Ａの中の相対的に酸化されやすい複数の屈折率層を酸化することにより複数の酸化層３１Ａ，３２Ａとして形成されている。酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗動作で単峰の光プロファイルのレーザ発振が可能であり、低コストで製造可能な、面発光レーザを提供する。
【解決手段】低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第１多層反射膜と、第１多層反射膜上の活性層と、この活性層上の電流狭窄構造と、この電流狭窄構造上のスペーサ層と、このスペーサ層上に設けられた、低屈折領域と高屈折領域との複数のペアから構成される第２多層反射膜とを有し、前記電流狭窄構造は、第１導電型半導体層と、この第１導電型半導体層上の第２導電型半導体層と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とで形成されるトンネル接合領域と、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に設けられた電流ブロック層とを有する、面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】低電圧化を可能とした半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側コンタクト層１８は、ｐ側電極２１側の面に、凹部３１および凸部３２を有する凹凸構造３０を有し、表面積が増加している。ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しており、ｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加するので、低電圧駆動が可能となる。また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの間には、両者の歪差によるピエゾ電界効果により、ホールが蓄積されたキャリア蓄積層が形成される。このキャリア蓄積層において、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とのショットキー障壁のない理想的なオーミック接触が可能となる。 （もっと読む）

【課題】電流を供給する電極が固定の半導体発光素子と比べて、温度による発光効率の低下を防ぐことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１の制御部１２０は、高温時と低温時でｐ側及びｎ側電極の組み合わせを変更し、例えば、低温時には、ｐ側電極１４ａとｎ側電極１６ａ、ｐ側電極１４ｂとｎ側電極１６ｂとを組み合わせて第１の電極対を構成する。半導体発光装置１は、電流経路が電流通過領域１０の中心部付近を経由するので、電流狭窄径（Ｏｘ）における電流密度が均一となり、低温時の発光効率を向上させることができる。 （もっと読む）