【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の偏光方向を安定的に一定方向に制御することが可能なＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 基板上に形成されたメサ構造１０は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造１０の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。基板水平面２０に対して垂直であり、かつ、メサ構造１０のおおよそ中心を原点とする２つの直交する直交面（Ｘ面、Ｙ面）が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれＬｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線とし、Ｌｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２としたとき、少なくともＡｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２のいずれか一つが異なる値とする。 （もっと読む）

【課題】 偏光方向を任意所望の特定の方向に安定して制御することができ、更に単一基本横モード発振において高出力が得られ、更に高速変調が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板の表面（基板面）に平行な方向に、レーザ共振領域を中心とした低屈折率コアと、前記低屈折率コアの周辺を取り囲んで、実効屈折率が低屈折率である領域と高屈折率である領域とを繰り返し設けて成る周期構造とが形成されている面発光レーザ素子において、前記低屈折率コアの幅が、前記基板面に平行な面内において、互いに直交する２方向で相違している事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質が均一で、膜剥離による信頼性の劣化がない、低コスト、低電圧で高速の面型光スイッチを提供すること。
【解決手段】 半導体基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層と、該活性層の上部及び下部にもうけられた多層膜反射鏡とを有する面発光半導体レーザと、該半導体レーザから出射された光を変調するための電圧を印加する変調電極と、該電極によって形成された電界によって屈折率変化を生じる有機結晶からなる電気光学効果の媒体と、光強度変化に変換するための偏光板とを構成要素として含む面型光変調器とからなる面型光スイッチにおいて、該変調電極は同一平面上に形成され、有機結晶からなる電気光学効果の媒体はその電極間に形成されており、該変調電極と有機結晶からなる電気光学効果の媒体との間に有機樹脂または無機膜からなる下引層が形成されている。 （もっと読む）

本願では、次のような面放出型の半導体レーザ素子が提供される。すなわち、とりわけ電気ポンピング式の半導体レーザ素子であり、垂直の放出方向を有し、かつレーザ放射を外部の光学的な共振器（４，５）によって生成するために構成されている形式のものにおいて、横方向の主延在方向と、放射生成のために設けられた活性ゾーン（３）とを有する半導体層シーケンス（２）を備えた半導体ボディを有し、該共振器内に放射透過性のコンタクト層（６）が配置されており、該半導体ボディに導電接続されていることを特徴とする、半導体レーザ素子が提供される。
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歪み補償構造（１１２）は、酸化物形成層（１０６）に隣接する歪み補償層（１０４）を含む。歪み補償層（１０４）は、酸化物形成層（１０６）の少なくとも一部の酸化による格子パラメーラの変化を補正するものである。 （もっと読む）

基板（１）上に第１のＤＢＲ層（２）、第１クラッド層（３）、活性層（４）、第２クラッド層（５）、酸化電流狭窄部形成層（６）、第２のＤＢＲ層（７）が順次積層された積層構造（２０）と、上部電極（８）及び下部電極（９）とを有する。また、光軸（１０）から所定の距離以上離れた積層構造（２０）の一部領域に、基板（１）上に形成された段差（１１）付近から伸びる構造変調領域（１２）が存在する。この構造変調領域（１２）は、層厚、界面平坦性及び界面の基板面に対する傾き等のパラメータの少なくとも１つが他の領域と異なり、光軸（１０）を含む発光の中心部に比べて反射率が低い。構造変調領域（１２）に囲まれた内側の高反射領域の実効的な幅（Ａ）を、ほぼ基本横モード光の幅に等しく設定する。一方、電流狭窄部の非酸化領域の直径（Ｂ）を、これより広めに設定する。このような構成とすることにより、簡単な構造で、工程を著しく増加させることなく、単一モード発振特性の優れた面発光レーザを得ることができる。 （もっと読む）

本発明の面発光レーザは、第１導電型の基板（１０１）と、第１導電型の基板の上に形成された第１導電型の第１のブラッグ反射鏡層（１０２）と、第１のブラッグ反射鏡層の上に形成されかつ発光領域（１１４）を有する活性層（１０４）と、活性層の上に形成されかつ表面から光軸（Ｚ）の方向に光（１１６）を出射する第２導電型の第２のブラッグ反射鏡層（１０７）と、第２のブラッグ反射鏡の表面から光軸の方向に対して交差する方向に光（１１５）を取り出す光散乱体（１１０）とを備える。これにより、面発光レーザから一方向に出射される光の強度を、簡易な構造でモニターできるようになる。 （もっと読む）

本発明は、ｎドープ半導体層領域（３）とｐドープ半導体層領域（４）が相互に連続し、
これらの領域間に第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）が形成されている発光型半導体素子に関している。前記第１のｐｎ接合部（５ａ，５ｂ）は、横方向で絶縁区分（６）によって発光区分（７）と保護ダイオード区分（８）に分割されている。保護ダイオード区分（８）の領域においてｐドープ半導体層領域（４）上にはｎドープ層（９）が被着されており、このｎドープ層（９）はｐドープ領域（４）と共に保護ダイオードとして機能する第２のｐｎ接合部（１０）を形成している。この場合第１のｐｎ接合部（５ｂ）は、発光区分（７）の第１のｐｎ接合部（５ａ）よりも大きい面積を有している。保護ダイオード区分（８）は、静電放電（ＥＳＤ）による電圧パルスから発光型半導体素子を保護している。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

埋込トンネル接触部を持つ表面放射半導体レーザの単一モード・パワーを増加するために、トンネル接触層（６）は、開口直径（ｗ１）と開口深さ（ｄ１）とを有する開口を具備し、かつｎドーピング電流搬送層（７）でカバーされ、隣接する電流搬送層（７）は、開口の領域に、隆起部直径（ｗ２）と隆起部深さ（ｄ２）とを有する隆起部（１５）を具備するとともに、隆起部（１５）の側面領域の少なくとも周辺で電流搬送層（７）上に構造化層（８； ９）が設けられ、その厚み（ｄ３； ｄ４）が構造化層の光学的厚みが隆起部深さ（ｄ２）の領域において電流搬送層（７）の光学的厚みと少なくとも等しくなるように選択されている構造が提案されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）