【課題】安定して高い精度の光走査を行うことができる光走査装置を提供する。
【解決手段】 光源は、ポリゴンミラー２１０４及び走査光学系を介して感光体ドラムを走査する光束が射出される複数の発光部と、ポリゴンミラー２１０４及び走査光学系を介してセンサアレイに入射する光束が射出される１つの発光部とを有している。センサアレイは、主走査方向に関して互いに異なる位置に配置された６つの光検知センサを有し、対応する感光体ドラムの有効走査領域に集光される光束の副走査方向に関する位置ずれ情報が含まれる信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、光量変動の少ない安定した光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 カバーガラス３００は、レーザチップの射出面に対して傾斜角１７°で傾斜して、パッケージ部材２００に安価な樹脂系接着剤で固定されている。そして、パッケージ部材２００におけるカバーガラス３００を支持している部分の一部には、接着剤が塗布されていない。この場合は、カバーガラス３００として、安価な無反射ガラス板を用いても、戻り光がレーザチップの活性層の中に侵入することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜（１１５Ａ、１１５Ｂ）を有し、Ｚ軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域１０８ｂが位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面及び前記メサ構造の側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程と、前記再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 活性層及びミラー層に結晶欠陥が生じるのを抑制しつつ、素子容量を低減させ得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１Ａでは、高抵抗層３、活性層７及びＤＢＲ層６，８が化合物半導体基板２上に積層されている。ここで、化合物半導体基板２は、ドナーとなる不純物を含む半導体基板であるため、結晶欠陥が少ないものとなっている。これにより、活性層７及びＤＢＲ層６，８に結晶欠陥が生じるのを抑制することができる。しかも、高抵抗部１０Ａにおいて電極形成部１５を包囲する部分１００Ａが高抵抗層３に達している。更に、化合物半導体基板２において発光部１４及び電極形成部１５に対応する部分２３を包囲する高抵抗部２０Ａが高抵抗層３に達している。これらにより、電極形成部１５及び部分２３の電気的フローティングの度合いが高まるので、素子容量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザの製造方法であって、
基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第１の工程と、
前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第２の工程と、
を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向を安定させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、Ｘ軸方向とＹ軸方向で形状異方性を有し、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜であるモードフィルタがλ／４の光学的厚さで形成されている。このモードフィルタの形状は、射出領域の中心部を取り囲む円環状において、射出領域の中心の＋Ｙ側及び−Ｙ側となる部分に、切除部がそれぞれ設けられている形状である。そして、各切除部は、いずれも、射出領域の中心部に近い側が遠い側に比べて小さくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】モード競合雑音を抑制できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】主モード１８１と高次モード１８２を有する横マルチモード半導体レーザ１００と、レンズと、を備える半導体レーザモジュールであって、高次モードの光１８２が仮想的な点光源からの光であるとした場合に、高次モードの光のニアフィールドパターンおよびファーフィールドパターンから得られる仮想的な点光源の位置１８０を高次モードの光の発光位置であるとして、半導体レーザとレンズとの距離を設定する。 （もっと読む）

半導体ヘテロ構造を具備する光子源であって、前記半導体ヘテロ構造は、量子井戸（９７）と、前記量子井戸に隣接する障壁領域（８５）と、前記量子井戸内に設けられる量子ドット（９５）と、を含み、前記光子源は、電気的コンタクト（８７、９３）と、前記量子ドットの放射エネルギーを制御するために前記量子ドットに調整可能な電場を印加するように構成される第１及び第２の電気的コンタクトに結合される電源と、をさらに具備し、前記電場は、動作範囲にわたって調整可能であり、前記量子ドットから前記第１の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間及び前記量子ドットから前記第２の電気的コンタクトへのキャリアのトンネル時間は、前記放射エネルギーを制御するための前記動作範囲にわたって前記量子ドット内の励起子の放射減衰時間より大きく、前記光子源は、単一量子ドットからの放射が前記光子源から出るように構成される、光子源。
（もっと読む）

【課題】高密度の結晶欠陥および表面ラフネスの発生を抑制することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】
基板１０の一面側に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４および上部ＤＢＲ層１５をこの順に積層してなる積層体２０が設けられている。積層体２０の上部、例えば、活性層１３、上部スペーサ層１４および上部ＤＢＲ層１５には柱状のメサ部１６が形成されている。基板１０は、Ｃ面（０００１）から［１−１００］方向に０度よりも大きなオフ角を有する傾斜基板によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】光利用効率の高い、高光出力の面型発光素子を提供する。
【解決手段】面型発光素子は、半導体基板１０上に設けられた、半導体基板１０の面と交差する方向に光が放出される発光部１１と、半導体基板１０の面と対向する出射面側に設けられた、外部に光を出射するための開口部１３ａを備える遮蔽部１３と、発光部１１と遮蔽部１３の間に設けられた、入射した光が蓄積される光蓄積層１２と、を有する。光蓄積層１２は、凹部または凸部が発光部１０から放出された光の進行方向と交差する方向に周期的に設けられた周期構造を備え、該周期構造の表面の少なくとも一部の領域に、光子を捕獲する微小凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】偏光方向を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、レーザ光を出射する光出射口１１２Ａが形成されたｐ側電極１１２と、光出射口１１２Ａを部分的に覆うように形成され、レーザ光の発振波長に対して透明な材質から構成され、長手方向と短手方向に異方性を有する絶縁膜１２０とを有し、絶縁膜１２０が形成された上部ＤＢＲ１０６の反射率は、絶縁膜１２０が形成されていない上部ＤＢＲ１０６の反射率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】結晶主方向７を有する結晶構造、ビーム出射面４、半導体基体１をラテラル方向に形成している側面７を有している半導体基体を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、エージング特性が改善されたもしくは寿命が高められた面発光半導体レーザチップ。
【解決手段】少なくとも１つの側面５が結晶主方向７に対して斜めに配置されている。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層の剥離を防止することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。バッファ層１９は、電流狭窄層１８に接して形成されている。バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。バッファ層１９の厚さｄ₁は、１０ｎｍ以上となっており、電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。 （もっと読む）

【課題】偏光の制御と広がり角の制御を同時に行うことができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された活性領域１０４と、活性領域１０４上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、下部ＤＢＲ１０２および上部ＤＢＲ１０６間であって、基板の主面と平行な面内において長手方向と短手方向に異方性を有する導電領域１１０Ｂが形成された電流狭窄層１１０と、上部ＤＢＲ１０６上の出射口１１２Ａ内に形成され、基板の主面と平行な面内において長手方向と短手方向に異方性を有する凸状のレンズ１２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも素子特性のばらつきを軽減することが可能となる表面レリーフ構造を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、横モード制御が可能に構成された発振波長λの面発光レーザであって、
表面レリーフ構造は、
上部多層膜反射鏡の上に、第１の積層体による領域と、第１の積層体よりも光学的厚さが大きい第２の積層体による領域と、第１の積層体および第２の積層体よりも光学的厚さが大きい第３の積層体による領域と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光クロストークが十分に抑制された高い通信品質の一芯双方向光通信が可能な、低コストかつ小型の光通信システム及び光通信システムの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ１０１を介して光送受信モジュール１０２及び光送受信モジュール１０３が接続されている。光送受信モジュール１０２はＶＣＳＥＬ１０４及びＰＤ１０５を有し、光送受信モジュール１０３はＶＣＳＥＬ１０６及びＰＤ１０７を有する。ＶＣＳＥＬ１０４及びＶＣＳＥＬ１０６はＤＢＲ１１２を有する。ＶＣＳＥＬ１０４のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０４で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０６から入射する信号光は透過してＰＤ１０５に入射する。ＶＣＳＥＬ１０６のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０６で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０４から入射する信号光は透過してＰＤ１０７に入射する。 （もっと読む）

【課題】発振波長に対して吸収層として機能する基板を用いた場合であっても、基板側で光量をモニタリングすることのできる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層され、前記基板に対して垂直方向に出力光を出射させる面発光レーザであって、
前記基板と、活性層を含む複数の半導体層で構成されたレーザ光の発振部との間に、波長変換層を有し、
前記波長変換層は、前記レーザ光の発振部から出射されたレーザ光の第１の波長を、前記基板を透過する第２の波長に変換することを可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】信号品質を維持しつつ高速な偏光変調動作が可能である偏光変調レーザ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。変調層１０８と変調層１１０とは共振器構造内を往復する光をそれぞれ異なる方向に偏光させる。また、変調層１０８及び変調層１１０に入力される変調信号に応じて、変調層１０８及び変調層１１０のいずれか一方向の偏光強度が選択的に大きくなる。 （もっと読む）