【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ１ｂ）と活性層１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ１ｄ）からなるアルミニウムを含む半導体層１ｅを有しており、この半導体層１ｅを、基板１ａにいたる深さまでエッチングして第１の分離溝１ｆを形成し、半導体層１ｅに保護膜１ｇを形成し、第１の分離溝１ｆの中心部における基板１ａを予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝１ｉを形成し、この第２の分離溝１ｉに沿って分離してなる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を低下させることなく、長寿命化を図ることができる面発光レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体にメサ構造体を形成し（Ｓ４０３）、被選択酸化層の一部を酸化してメサ構造体に電流通過領域を形成し（Ｓ４０５）、電流通過領域を介して活性層に電流を供給するための電極を形成し（Ｓ４１３）、通常のＥＳＤ試験装置と同等の構成を持つ装置を用いて、ｐ側電極とｎ側電極との間に静電耐圧以下の電圧を印加する（Ｓ４２１）。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】発振閾値付近の低出力側及び低温時において立ち上がりを速くすることが可能な画像形成用光源の提供。
【解決手段】１次元または２次元にアレイ状に配列された面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子によって構成され、画像の１ライン分を形成する１本ずつの各線上に、第一のグループに属する１つの面発光レーザ素子１１０と、第二のグループに属する１つの面発光レーザ素子１２０とが配置されており、第二のグループの面発光レーザ素子は、上部多層膜反射鏡１０６の上に、第一のグループの面発光レーザ素子よりも厚い吸収層１２１が設けられ、第二のグループの発光素子の最高発振光出力が、第一のグループの発光素子の最高発振光出力よりも小さく、且つ、第二のグループの発光素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、第一のグループの発光素子よりも短くなる。 （もっと読む）

【課題】８５０ｎｍ帯面発光レーザにおける、高速変調化に伴う素子信頼性低下の課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】第１導電型ＧａＡｓ基板上に、第１導電型多層膜ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）層、活性層、及び第２導電型ＤＢＲ層を有する発振波長が８２０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下の面発光レーザであって、前記活性層が、圧縮性の歪みを有するＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_{１−ｙ１−ｚ１}Ｐ_ｙ１Ｓｂ_ｚ１ウェル層と、引張性の歪みを有するＧａＡｓ_１−ｙ２Ｐ_ｙ２バリア層を有する量子井戸構造を有することを特徴とする面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 １つの基板上に形成された３２個の発光部と、該３２個の発光部におけるｐ側電極と電気的に接続されている３２個の電極パッドとを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板の厚さが従来よりも厚い場合であっても、保護シートの密着力を低下させることができ、ヘキ開の際に各電極パッドにシリコーンが付着するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする長寿命の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、第１の屈折率を有し光出射口１１０Ａを覆う第１の誘電体膜１１２と、第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を有し、第１の誘電体膜１１２上に形成された楕円形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】横モード制御のため反射率分布を与える段差構造を設けた面発光レーザにおいて、遠視野像の波面収差を抑制する。
【解決手段】面発光レーザ２００は基板２１０上に下部ミラー２１２、活性層２１４、上部ミラー２１６が積層された積層構造を有し、表面段差構造を有する第１の構造体２８０を備える。表面段差構造の上部に位置している前記基板に平行な面と、前記上部ミラーの上部境界面２４２との間の光路長が所定の値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１００と、ｎ型のＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓから構成される下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたｐ型のＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓから構成される上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４は、下部スペーサ層１０６Ａ、活性層１０６Ｂおよび上部スペーサ層１０６Ｃからなる活性領域１０６と、共振器延長領域１０５とを含み、共振器延長領域１０５の光学的膜厚は、発振波長λよりも大きく、かつｎ型のＡｌＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層で一度狭窄された電流が、電流狭窄層から活性層に流れるに従って再び広がることを抑え、発光効率の低下を抑制することが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザであって、基板５０１上に形成された下部ＤＢＲ層５０２と、前記下部ＤＢＲ層の上に形成された下部クラッド層５１１と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層５１３と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層５１２と、前記上部クラッド層の上に形成された電流狭窄層５２５と、前記電流狭窄層の上に形成された上部ＤＢＲ層５０５と、前記上部クラッド層５１２と前記電流狭窄層５２５との間に配され、前記上部ＤＢＲを構成する半導体の伝導型とは異なる伝導型からなる半導体層である異種伝導型層５２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザを構成する基板の法線方向に対し、遠視野像（ＦＦＰ）の重心方向を傾けることが可能となる面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１１０上に、下部反射鏡１１２と活性層１１４と上部反射鏡１１６が積層され、上部反射鏡１１６における光出射面１４２の上部に表面レリーフ構造１５０を備えた面発光レーザ１００であって、表面レリーフ構造１５０は、面発光レーザ１００の出射光の少なくとも一部が透過できる材料により形成され、基板１１０の法線方向に所定の光学厚さを有する複数の領域が基板１１０の面内方向に隣接して構成され、前記光学厚さの基板１１０の面内方向の分布が、面発光レーザ１００の発光領域の中心軸に対して非対称な光学厚さの分布とされている。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層の不純物濃度を制御する。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、６×１０^１７ｃｍ^−３以上、６×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】基本横モードの光出力を低下させることなく高次横モードの発振を抑制しつつ、素子寿命の長い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、被選択酸化層１０８を有する上部半導体ＤＢＲ１０７などが積層されている。そして、出射領域は、全面がＰ−ＳｉＮからなる光学的に透明な誘電体で被覆され、相対的に反射率が高い高反射率部分と相対的に反射率が低い低反射率部分とを有している。また、メサの上面における辺縁部は２層の誘電体層で被覆され、下側の誘電体層１１１ａは上側の誘電体層１１１ｂによって覆われており表面に露出していない。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】面内やウエハ毎における特性のばらつきを抑制し、単一基本横モードで発振することが可能となる面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザの製造方法であって、選択酸化工程の後に、
表面レリーフ構造のパターンが形成された第１の半導体層をエッチングマスクとし第３の半導体層をエッチングストップとして、第２の半導体層をエッチングし、表面レリーフ構造の底面を露出させる工程と、
第２の半導体層と第３の半導体層をエッチングストップとして表面レリーフ構造のパターンが形成された第１の半導体層をエッチングし表面レリーフ構造の上面を露出させる工程と、
表面レリーフ構造の上面側と反対側である該表面レリーフ構造の底面の外周側に位置する、コンタクト部として機能する第１の半導体層領域を保護するコンタクト部保護工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】電流狭窄構造の形成後に、第二のエッチングストップ層及び第三のエッチングストップ層を用いて、半導体層上における誘電体膜の除去と、第一のエッチングストップ層を第２のパターンに沿って除去することを同一工程で実施する。
また、表面レリーフ構造が下層、中間層、上層の三層から構成され、該下層、中間層、上層の合計層厚が１／４波長の奇数倍の光学的厚さ（λ／４ｎの奇数倍、λ：発振波長、ｎ：半導体層の屈折率）とし、
下層の直下が、第二のエッチングストップ層とし、また二のエッチングストップ層の直上に、第一のエッチングストップ層が積層されている構造とする。 （もっと読む）