【課題】所望の出射ビーム形状が得られ、電流注入効率が悪くなることが抑制できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極１１３と、ｎ側電極１１７と、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６と、下部ＤＢＲミラー１０２と、活性層１０５を有する共振器１１０と、を備え、上部ＢＤＲミラー１１６と、ｐ側電極１１３と、共振器１１０と、下部ＤＢＲミラー１０２はこの順に配置され、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６の上面にフレネルゾーンを形成する同心円状の溝１２１、１２２、１２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ基板上にＡｌ、Ｉｎ、Ｐを主成分として含む半導体層が少なくとも１層設けられている面発光型半導体レーザにおいて、Ｉｎの分離の影響による閾値電流増加を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】 Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１とＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２との界面３を電界強度分布の節の位置とすることによって、Ａｌ，Ｉｎ，Ｐを主成分として含む半導体層１の上にＡｌ，Ｇａ，Ａｓを主成分として含む半導体層２を結晶成長したときに、Ｉｎの分離がある程度生じていても界面における光学的吸収の影響を大幅に低減させることができ、よって、閾値増加への悪影響を大幅に抑えることが容易に実現できるようにした。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性および信頼性を有する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した多層膜反射鏡と、前記多層膜反射鏡上に成長したＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる活性層と、を備え、前記多層膜反射鏡は、Ｚｎ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｍｇ_ｘ１Ｂｅ_ｙ１Ｏ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）からなる低屈折率層と前記低屈折率層よりも屈折率が高いＺｎＯからなる高屈折率層とが交互に積層した構造からなるとともに、ＺｎＯ結晶または前記活性層に対する歪み量が±３％以下である。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図る。
【解決手段】ＶＣＳＥＬのＤＢＲ層２５において、屈折率及びバンドギャップが異なるナローバンド層２５ｂ及びワイドバンド層２５ａを交互に積層し、ナローバンド層２５ｂとワイドバンド層との間にグレーデッド層２５ｃを配置し構成するとともに、ワイドバンド層２５ａはナローバンド層２５ｂに比べて大きいバンドギャップ及び高い不純物濃度とし、グレーデッド層２５ｃは、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの組成で始まってワイドバンド層２５ａの組成で終わるように連続的に組成変化させて形成するとともに、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの不純物濃度で始まってワイドバンド層２５ａの不純物濃度で終わるように傾斜的に変化させて形成する。 （もっと読む）

【課題】活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】活性層７と、前記活性層７を挟んで配置される出射側ＤＢＲ５及び非出射側ＤＢＲ９と、前記出射側ＤＢＲ５側に設けられ、開口部１５ａを有する出射側電極１５と、前記非出射側ＤＢＲ９側に設けられた非出射側電極１３と、を備えた面発光型半導体レーザ素子１であって、前記非出射側ＤＢＲ９の膜厚方向における抵抗が、前記出射側ＤＢＲ５の膜厚方向における抵抗よりも高いことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低い面発光レーザ装置を提供すること。
【解決手段】外部からの指令に従って演算を行い、該演算結果に従って電圧信号を出力する演算処理装置と、前記演算処理装置に直接的に接続し、活性層を有し、前記演算処理装置に対する供給電圧と共通の電圧をバイアス電圧として前記電圧信号に重畳して生成した駆動電圧信号が前記活性層に供給される面発光レーザ素子と、を備える。好ましくは、前記バイアス電圧は、前記演算処理装置に供給されるコア電圧と共通の電圧である。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層からの欠陥の転移を十分に抑制することができる面発光型半導体素子を提供すること。
【解決手段】面発光型半導体素子１では、電流狭窄層７が上側超格子構造層２１及び下側超格子構造層２２により挟まれており、これらの超格子構造層２１，２２は、複数の種類の結晶格子が重ね合わされた構造であるため、電流狭窄層７に欠陥が生じても、その欠陥は超格子構造層２１，２２内を伝搬し難くなり、欠陥が超格子構造層２１，２２を越えて他の層に転移することを防止することができる。よって、電流狭窄層７からの欠陥の転移を十分に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性を損ねたり制御の容易ではない製法を用いたりすることなく、メサ径をより小さくすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流注入領域１８Ａの断面形状とは異なる断面形状を有するメサ部１７の上面であって、かつ電流注入領域１８Ａと非対向な領域に、複数の上部電極３１が設けられている。複数の上部電極３１の、面内における重心点（図示せず）と、電流注入領域１８Ａの、面内における重心点（図示せず）とを一の面内において互いに重ね合わせたときに、各上部電極３１のエッジと、電流注入領域１８Ａのエッジとの間の間隙Ｄ１が一定となっている。メサ部１７の上面の、面内における中心点（図示せず）と、複数の上部電極３１の、面内における重心点とを一の面内において互いに重ね合わせたときに、メサ部１７の上面のエッジと、各上部電極３１のエッジとの間の間隙Ｄ２が一定となっている。 （もっと読む）

【課題】 出射される光のシングルモード化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１Ａでは、非プロトン注入領域１５を介してプロトン注入領域１４の内側に電流が注入される。そのため、活性層４及びＤＢＲ層３，５において電流狭窄領域６ａに対向する発光部１０に電流が積極的に注入される。これにより、発光部１０において基本モードの発生が促進される。更に、上部ＤＢＲ層５において電流狭窄領域６ａの中央部に対向する部分１０ａをプロトン注入領域１４が筒状に包囲している。しかも、プロトン注入領域１４の外側端部１４ｂの少なくとも一部は、軸線Ｌ上から非プロトン注入領域１５の内側端部１５ａを見た場合に、当該内側端部１５ａの少なくとも一部に重なっている。これらにより、発光部１０において高次モードの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】素子温度を正確に見積もることの可能な温度検出部を備えた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、複数のレーザ構造部２０と、１つの温度検出部３０とが設けられている。レーザ構造部２０および温度検出部３０は共に、半導体基板１０を成長基板として形成されたものであり、かつ半導体基板１０の法線方向にＰＩＮ接合を有している。温度検出部３０は、上面に低反射率層（図示せす）を有しており、発振しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化が可能な面発光レーザを提供すること。
【解決手段】基板上に形成された下部多層膜反射鏡と、下部多層膜反射鏡上に形成された第１導電型コンタクト層と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層上に形成された電流狭窄部を有する電流狭窄層と、第２導電型高導電率層上に形成された第２導電型コンタクト層と、第２導電型コンタクト層上に形成された上部多層膜反射鏡と、第２導電型コンタクト層上に形成された第２導電型側電極と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型側電極と、を備え、２５℃〜９０℃の環境温度の変化に対して、４ｄＢ以上の消光比を取る為の変調時のバイアス電流を中心とする変調領域での微分抵抗の変動量が１５Ω以下である。 （もっと読む）

【課題】戻り光による光量変動が極めて少ない面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板形成された前記基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザと、前記基板を設置するための凹部が設けられているパッケージと、前記凹部とともに前記基板を囲むように、前記面発光レーザの光の出射側において、前記パッケージと接続される透明基板と、を有する面発光レーザモジュールにおいて、前記面発光レーザのメサ上部に形成された電極に囲まれた領域内に、前記光における反射率の高い領域と反射率の低い領域とが形成されており、前記反射率の高い領域と前記反射率の低い領域により定まる前記光の偏光方向において、前記透明基板が、前記基板面に対し傾斜していることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 素子の信頼性を確保した複数の電流狭窄構造を有する面発光レーザ、該面発光レーザの製造方法、画像形成装置を提供する。
【解決手段】 基板の上に下部多層膜反射鏡と活性層と上部多層膜反射鏡とを備えた積層体を有する面発光レーザの製造方法である。第１の被酸化層の一部を酸化し、第１の導電性領域と第１の絶縁性領域とを有する第１の電流狭窄層を形成する。第２の被酸化層の一部を酸化し、基板の面内方向において第１の導電性領域と第１の絶縁性領域の境界を内側に含む第２の導電性領域と、第２の絶縁性領域とを有する第２の電流狭窄層を形成する。同一の条件で酸化した場合に、第１の被酸化層の酸化速度は第２の被酸化層の酸化速度よりも遅くなるように、第１の被酸化層および前記第２の被酸化層、または、第１の被酸化層に隣接する隣接層および第２の被酸化層に隣接する隣接層を調整する。 （もっと読む）

【課題】光吸収が少なく、高効率な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】２つの反射鏡１１６、１２２間に設けられ、活性層１０５と，電流経路制限層１０７と有する共振器１１０と、電流経路制限層に対して活性層とは反対側に位置するｐ型の第１の半導体層１２０と、第１の半導体層に隣接し、電流経路制限層と第１の半導体層との間に位置するｐ型の第２の半導体層１０９とを備え、第１の半導体層には、１×１０^１９ｃｍ^−３以上の炭素原子がドーピングされ、第２の半導体層のドーピング濃度は、５×１０^１８ｃｍ^−３以下であり、第１の半導体層の、電流経路制限層の電流が流れる領域１０７ｂに対向する領域の少なくとも一部１２１が、第１の半導体層の当該一部の領域以外の領域および第２の半導体層よりも高い水素原子濃度の領域である。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を図ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１００と、第１の下部ＤＢＲ１０２と光路変換層１０４と、第２の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、上部ＤＢＲ１１０と、ｐ側電極１１２と、ｎ側電極１１４とを有する。光路変換層１０４は、側面Ｓから選択的に酸化された酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂとを有し、非酸化領域１０４Ｂは、第１および第２の下部ＤＢＲ１０２、１０６と電気的に接続される。活性領域１０８で発生された光は、酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂの境界１０４Ｃにおいて水平方向に反射され、側面Ｓから外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に積層された、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層（ｎ側スペーサ層）、活性層、上部スペーサ層（ｐ側スペーサ層）、及び上部半導体ＤＢＲなどを有している。活性層は、下部スペーサ層と上部スペーサ層とによって挟まれている。そして、上部スペーサ層は、少なくとも活性層に接する一部分に、ｐ型ドーパントが含まれないアンドープ領域を有し、下部スペーサ層は、全体にｎ型ドーパントがドープされている。そこで、発光特性を低下させることなく、素子抵抗を小さくすることができる。 （もっと読む）