【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を図ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１００と、第１の下部ＤＢＲ１０２と光路変換層１０４と、第２の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、上部ＤＢＲ１１０と、ｐ側電極１１２と、ｎ側電極１１４とを有する。光路変換層１０４は、側面Ｓから選択的に酸化された酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂとを有し、非酸化領域１０４Ｂは、第１および第２の下部ＤＢＲ１０２、１０６と電気的に接続される。活性領域１０８で発生された光は、酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂの境界１０４Ｃにおいて水平方向に反射され、側面Ｓから外部に放出される。 （もっと読む）

本発明はシリコンプラットフォーム(3)上の光回路に対して光源(2)を提供する。垂直レーザーキャビティが、上部ミラー(4)と基板上のシリコン層内の格子領域(11)内に形成された底部格子ミラー(12)との間に配置された利得領域(101)によって形成される。格子領域(11)から光を受けるための導波路(18, 19)が格子領域内に形成されるか、または格子領域に接続され、垂直キャビティレーザー(VCL)に対する出力カップラとして機能する。これによって、垂直レーザー発振モード(16)が、シリコン層内に形成された面内導波路の横方向面内モード(17, 20)に結合され、例えばシリコンのSOIまたはCMOS基板上の光回路に光を供給することができる。

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【課題】光やキャリアの閉じ込め効率が高く、遠視野像がガウシアン形状で単峰である窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２本の溝と、前記２本の溝に挟まれたストライプ状の凸部と、を有するチップ基本単位が複数配列されたウエハを準備するウエハ準備ステップと、前記ウエハ上に、第一導電型クラッド層と、活性層と、第二導電型クラッド層と、を含む窒化物半導体層を結晶成長させる結晶成長ステップと、前記ウエハを前記チップ基本単位に分割するチップ分割ステップと、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルを向上させながら、Ｉ−Ｌ特性の立ち上がりが急峻になるのを抑制することが可能であり、かつ、動作電圧を低減することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成された窒化物系半導体各層２〜９と、光出射端面２０ａおよび光反射端面２０ｂを含む共振器端面２０と、上部コンタクト層９上に共振器端面２０にまで達するように形成されたｐ側オーミック電極１１と、光出射端面２０ａから距離Ｌ１だけ隔てた領域に形成されたｐ側パッド電極１３とを備えている。そして、ｐ側オーミック電極１１の厚みｄとｐ側パッド電極１３から光出射端面２０ａまでの距離Ｌ１とが調整されることにより、光出射端面２０ａにおける電流注入量がｐ側パッド電極１３の直下における電流注入量の２０％以上７０％以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】実際のスペックルノイズを低減することの可能な半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】発振波長の互いに異なる複数のリッジ部１５−１〜１５−６を備える。各リッジ部１５−１〜１５−６は、各リッジ部１５−１〜１５−６直下の発光領域１２−１〜１２−６から射出された光の合成光を吸収可能な吸収体の、合成光の波長に対応する光感度と、合成光の強度との積が所定の範囲内となるような強度の光を射出可能に形成されている。これにより、吸収体における光感度の高い波長の光によるスペックルノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を照射できる角度をより広くできるようにする。
【解決手段】前端面および後端面よりレーザ光を照射する端面発光型半導体レーザ１１ａ〜１１ｅを有し、半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前端面より出射されるレーザ光を偏向させるマイクロプリズム１４を半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前端面側に配置し、半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの後端面より出射されるレーザ光を偏向させるマイクロプリズム１５を半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの後端面側に配置し、マイクロプリズム１４、１５を介して半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前後両方向からレーザ光を照射させる。 （もっと読む）

【課題】不純物が拡散することによる電気的特性の低下や、結晶構造の規則性および安定性の低下を抑制することの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６およびコンタクト層１７がこの順に積層されている。上部クラッド層１６は、拡散抑制層１６Ａ、第１上部クラッド層１６Ｂ、拡散抑制層１６Ｃおよび第２上部クラッド層１６Ｄを基板１０側からこの順に積層してなる積層構造を一組として、これを複数組分積層して形成されており、さらに、拡散抑制層１６Ａ，１６Ｃが、ＭｇおよびＴｅを除くＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を主成分として含んでいる。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器型のレーザダイオードにおいて、出射前のレーザ光の進行方向をこのレーザダイオード内において変えるようにすると共に、電極の接触抵抗を低減すること。
【解決手段】第１電極２と、第１面Ｍ１と第１面Ｍ１の反対側にある第２面Ｍ２とを有しており第１面Ｍ１上に第１電極２が設けられた基板４と、第２面Ｍ２上に設けられた第１ＤＢＲ層６と、第１ＤＢＲ層６上に設けられた活性層１２と、活性層１２上に設けられた第２ＤＢＲ層１６と、第２ＤＢＲ層１６上に設けられた第２電極１８とを備えた垂直共振器型のレーザダイオード１であって、基板４の第１面Ｍ１は、基板４内を進むレーザダイオード１内で生成されたレーザ光を受ける平面状の傾斜面Ｅを有しており、傾斜面Ｅは、レーザ光が傾斜面Ｅにおいて反射された後に基板４の端面に向かって進行するように、レーザ光の進行方向に対し傾いている。 （もっと読む）

本発明に係るプリント回路基板素子（１０）は、光学的に光重合可能な材料層（１３）内に埋設された少なくとも１つの光電子素子（１）と、光電子素子（１）と光学的に結合され、光子の照射により光重合可能材料層（１３）内に形成された少なくとも１つの光導波路（１４）を含み、光電子素子（１）は、その光出力面（３）上に湾曲状の偏向ミラー（５）を備え、出力光（１５）を例えば９０°の角度偏向する。
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【課題】有機発光ダイオードを光源とし高密度電流を流すことなく、より少ない電圧、電流でレーザー発振の励起が可能な光励起型レーザーを提供する。
【解決手段】分布帰還共振器を有する光励起型レーザーであって、光励起光源である有機発光ダイオードの積層体３を挟んで、一方に光反射層５、別な一方に光波長フィルタ層１と分布帰還共振器７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】放射角度の低アスペクト化、放射角度の要求に短時間での対応、またはウエハ内の良品率の向上が可能な半導体発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板上に、第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層が順次積層された化合物半導体層を形成する工程（Ｓ１０）と、化合物半導体層内の導波路から出力光が出射する端面となるべき領域の導波路に、導波路の他の領域に比べ等価屈折率が小さい低屈折率領域を形成する工程（Ｓ２０、Ｓ２２）と、を有し、低屈折率領域を形成する工程は、低屈折率領域の導光路の長手方向の幅を決定することで半導体発光装置の出力光の放射角度を所望の値とするように前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 光制御素子や発光素子において光子の横方向への導出入を可能とすること。
【解決手段】 発光素子、光制御素子は、所定の光波長の光共振域を備える微小な光共振器（誘電体領域４）と結合光導波路１０とを一体に備えた構成とし、光共振器に対して結合光導波路を介して所定波長の光子を導入及び／又は導出する。下部電極５を含む基板２上に多層反射層３と誘電体領域４と上部電極６を順に層状に備え、誘電体領域４の少なくとも一つの側部に結合光導波路１０を横方向に一体に備え、誘電体領域４は所定の光波長の光共振域を備える光共振器を形成する光共振器と結合光導波路とを一体形成することによって、光共振器からの光子の横方向への導出、及び光共振器への光子の横方向からの導入を行う。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子と光導波路を精度良く結合させることが可能な発光用光半導体素子を提供する。
【解決手段】発光波長を透過する半導体基板２上に作られた、上記半導体基板の表面１００に対して垂直な方向に光を出射する発光用光半導体素子であって、上記発光用光半導体素子外部に出た光を導く光導波路１２の一端が位置決めされる出射部１１と、上記半導体基板の表面に対して垂直な方向に出射された光を上記出射部の光導波路の一端に導くように反射させる上記表面の一部である反射面８と、を一体に備えた。 （もっと読む）

本発明の面発光レーザは、第１導電型の基板（１０１）と、第１導電型の基板の上に形成された第１導電型の第１のブラッグ反射鏡層（１０２）と、第１のブラッグ反射鏡層の上に形成されかつ発光領域（１１４）を有する活性層（１０４）と、活性層の上に形成されかつ表面から光軸（Ｚ）の方向に光（１１６）を出射する第２導電型の第２のブラッグ反射鏡層（１０７）と、第２のブラッグ反射鏡の表面から光軸の方向に対して交差する方向に光（１１５）を取り出す光散乱体（１１０）とを備える。これにより、面発光レーザから一方向に出射される光の強度を、簡易な構造でモニターできるようになる。 （もっと読む）