【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化し、製造時間の短縮を行うことができる面発光半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ型多層膜反射層２、ｉ型多層膜反射層３、ｎ型多層膜反射層４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層８、ｐ型電流ブロック層９、ｐ型多層膜反射層１０、ｐ型コンタクト層１１が積層されている。面発光レーザ部は、活性層６を半導体反射ミラーで挟んだ共振器により構成される。上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】レンズアレイ本体の温度変化による変形を考慮した光電変換装置の適切な取り付けを行うことができるレンズアレイ、光モジュールを提供すること。
【解決手段】ａ＋ｂ+ｄ_１+ｅ+ΔＬ≦Ｗ_１、ａ：第１レンズ面１１の位置精度、ｂ：第２レンズ面１２の位置精度、ｄ_１：発光素子７の位置精度、ｅ：光ファイバ５の位置精度、ΔＬ＝α×ΔＴ×Ｌ（α：レンズアレイ本体４の線膨脹係数、ΔＴ：本体４の温度変化、Ｌ：第１の面４ａ上の固定位置から最も離れた同面上のレンズ面までの距離、Ｗ_１：光電変換装置３を発光素子７とファイバ端５ａとの光結合効率が最大効率を示す取り付け位置から、２ｄＢに相当する効率低下が示される取り付け位置まで移動させたと仮定した場合の移動前−移動後の取り付け位置間の距離、を満足すること。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】活性層２２および半導体光検出素子１の間に、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、一層以上の第２酸化層４２を設ける。自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減され、光検出精度が高まる。第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させることなく、レーザダイオードの光出力をフォトダイオードで検出することが可能な光半導体装置及びそれを用いた光モジュールを得ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に順次積層された下部クラッド層２２と活性層２４と下部クラッド層２２と反対の導電型の上部クラッド層２６とを含む半導体層２０を有し、レーザ光を出射する前端面１６と前端面１６と反対側の端面である後端面１８との間を半導体層２０が延在して形成されたレーザダイオード１２と、半導体基板１０上にレーザダイオード１２の幅方向に形成され、レーザダイオード１２の光出力を検出するフォトダイオード１４と、を具備し、レーザダイオード１２は、半導体層２０のうちの少なくとも上部クラッド層２６の幅が変化する幅変化部を有する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本光機能素子は、基板１と、基板１上にｐ型半導体層とｎ型半導体層をｎｐｎまたはｐｎｐの順に積層して形成された半導体素子構造２と、半導体素子構造２の基板１側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層３とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝５により分離した半導体素子積層構造体の第１の部分に形成された半導体素子部６と、溝５により分離した半導体素子積層構造体の第２の部分の光反射層３上に発光素子構造４を積層して形成された発光素子部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力波長が大きく変動するような状態であっても本来の出力波長を維持できる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第１の光導波路を有するレーザダイオード（半導体レーザ領域１０）と、第１の光導波路と光結合された３つのフォトダイオード（２つのフォトダイオード構造２２及び一つのフォトダイオード素子）と、一つのフォトダイオード構造２２と第１の光導波路との間に光結合されたリング共振器（光導波路２１３）と、フォトダイオード素子と第１の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。そして、リング共振器（光導波路２１３）の波長−透過率特性の繰り返し周期は、エタロンフィルタの波長−透過率特性の繰り返し周期より長く設定されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、凸部となるリッジ部を備え、ジャンクションダウンマウント方式でマウントした場合、リッジ部を損傷することのない半導体素子、又、当該半導体素子から構成される半導体装置、及び、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、凹部を備えた掘り込み領域を有する基板に、窒化物半導体成長層を積層することで、凸部となる丘両端に、リッジ部よりも厚みのあるダミーリッジ部を容易に形成することができる。 （もっと読む）

本発明の目的は、VCSEL内でのキャリヤの閉じ込めを改善することである。本発明の概念として、フォトトランジスタの層構造をVCSELの層スタックへと組み込むことが提唱されている。
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【課題】高コスト化を招くことなく、発振横モードが制御された面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を有する上部反射鏡が積層された積層体を作成し、該積層体の上面に、その光学的厚さが発振波長／４の光学的に透明な誘電体層１１１ａが部分的に積層された第１の領域と、光学的に透明な誘電体層１１１ａが積層されていない第２の領域とを形成する。そして、第１の領域及び第２の領域の周囲をそれぞれ上面からエッチングし、メサ構造体を形成した後、被選択酸化層をメサ構造体の側面から選択的に酸化させ、狭窄構造体を作成する。その後、第２の領域を観察して電流通過領域１０８ｂの大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、発光領域１６０と受光領域１９０とは、第１分離溝１８０によって区画され、発光領域１６０は、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４を有し、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間の距離は、受発光層１０６の第１側面１０５側から、第１側面１０５に平行な受発光層１０６の第２側面１０７側に近づくにつれて小さくなり、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４は、平面的にみて、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いて設けられ、受光領域１９０は、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間に位置し、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間の距離が小さくなることによって、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４から漏れた光は、受光領域１９０に至って、受光される。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの低消費電力化及び小型化を実現可能とする。
【解決手段】本発明の導波路型波長ロッカーは、光を入射する半導体光導波路１０５と、半導体光導波路１０５と並行に配置された半導体光導波路１０６と、半導体光導波路１０５と半導体光導波路１０６との間に介在している中空導波路リングフィルタ１０７と、半導体光導波路１０５の側面と中空導波路リングフィルタ１０７の側面との間に設けられた光結合部１０８ａと、中空導波路リングフィルタ１０７の側面と半導体光導波路１０６の側面との間に設けられた光結合部１０８ｂと、半導体光導波路１０６に接続し、光結合部１０８ａ、１０８ｂを経由して半導体光導波路１０５から半導体光導波路１０６に入射した光の光強度を検出する受光領域１０３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】更なる小型化を可能にする波長ロッカー集積型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、半導体基板３上に並んで設けられた半導体レーザ領域１０及び波長モニタ領域２０を備える。半導体レーザ領域１０は、利得導波路を含む第１の光導波路と、第１の光導波路の光軸と交差することにより第１の光導波路の反射端面を構成する一対の膜１３７ａ，１３７ｂとを有する。波長モニタ領域２０は、一対の膜１３７ａ，１３７ｂを介して第１の光導波路と光学的に結合された光導波路２１を有する。光導波路２１は３本の光導波路２１１〜２１３に分岐しており、２本の光導波路２１１，２１３は、波長−透過率特性の繰り返し周期が互いに異なるリング共振器をそれぞれ構成している。各光導波路２１１〜２１３は、３つのフォトダイオード構造２２のそれぞれと光学的に結合されている。 （もっと読む）

ディジタル平面ホログラフィに基づくホログラムパターンを有する集積平面光学装置が提供される。該装置は、複数の平面光学要素を支持する半導体基板と下部クラッド層とからなる。該下部クラッド層は光伝搬／配光層を支持する。ホログラムパターンに従って前記平面光学要素へ伝搬される光線およびそこから伝搬される光線の性質および方向を制御するため、ホログラムパターンからなる相互接続した複数のパターン要素が、該光伝搬／配光層に埋め込まれている。これは、かかる要素を含む層の素材とは異なる屈折率を持った、特定の位置、形状および屈折率のパターン要素を提供することにより、達成される。前記パターンの設計および製造方法が、本明細書に記載される。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、第１領域１０と、平面視において第１領域１０と隣接する第２領域２０と、を含む受発光装置であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上方に形成された第１クラッド層１０４と、第１領域１０の第１クラッド層１０４の上方に形成された活性層１０６と、活性層１０６の上方に形成された第２クラッド層１０８と、を含み、活性層１０６の少なくとも一部は、利得領域１６０を構成し、第１領域１０と第２領域２０との境界には、利得領域１６０の端面１７０，１７２を有する段差側面１４５，１４７が構成され、利得領域１６０に生じる光は、利得領域１６０の端面１７０，１７２から出射され、出射された光の一部は、第２領域２０の光吸収層１０３に至り、受光される。 （もっと読む）