【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子用と光スイッチ用のスイッチ回路を設置すると、配線基板の面積が大きくなるので、配線基板を含めた光モジュールのサイズは大型化していたこと。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子を有するレーザアレイと、複数の半導体レーザ素子のうち選択された半導体レーザ素子からのレーザ光を出力端に導く光スイッチ部、および、複数の半導体レーザ素子のうちいずれの半導体レーザ素子からのレーザ光を光スイッチ部の出力端から出力させるかを制御する電気信号を光スイッチ部に供給する電気スイッチ部を集積した光回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器（送受信器）に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】波長可変動作を行わせても出力が低下せず、低消費電力で高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびそれを備える半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層２４に沿って回折格子層２５を設ける。前方ＤＦＢ領域Ｓ１の回折格子層２５には、格子間隔がレーザ光の出力方向に連続的に変化するチャープ回折格子３０を形成し、後方ＤＦＢ領域Ｓ２の回折格子層２５には、格子間隔が一定の領域を含む均一回折格子３１を形成する。活性層２４を挟んで回折格子層２５と反対側には、活性層２４とは独立して電流を注入可能なチューニング層２２を設ける。後方ＤＦＢ領域Ｓ２にチューニング電極２８を設け、前方ＤＦＢ領域Ｓ１とは独立して、後方ＤＦＢ領域Ｓ２のチューニング層２２に電流を注入する。 （もっと読む）

【課題】共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザであって、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザの共振器構造が、その両端面に関する対称軸を有する。そして、半導体レーザからの第１及び第２の光出力を半導体基板の単一の端面から取り出すため、共振器構造の第１の端面に第１の出力導波路、第２の端面に第２の出力導波路を接続する。第１及び第２の出力導波路からの第１及び第２の光出力を等しくするために、半導体レーザと第１及び第２の出力導波路の方位を９０度傾ける。半導体レーザとしてλ/４位相シフトを中央に設けたＤＦＢレーザを用いることができる。また、図６のような構成も考えられる。出力導波路を設けず、共振器構造を構成する導波路自体を曲げることで、共振器構造の両端面からの第１及び第２の光出力を同一方向から出射させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出力を向上させつつ基本横モードのレーザ光を出力する。
【解決手段】半導体レーザモジュール１は、レーザ光を励起する光増幅部３と、光増幅部3と結合し光増幅部３で励起されたレーザ光を導波する第１の導波路１０と、第１の導波路１０から基本横モードのレーザ光を選択的に分岐して導波する第２の導波路２０とを含む光方向性結合器５と、を含み、第１の導波路１０の少なくとも一部における導波路幅を高次横モードカットオフ幅以上とした。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層（ｎ型半導体基板）１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域の上側にトンネル接合層１６が形成し、半導体素子（半導体レーザ）の上面を放熱面とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】寸法の低減された光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、基板３０に形成され、対向する端部それぞれから光を出力する半導体レーザ１１と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の一方の端部からの出力光が入力される第１光導波路１２ａを有する第１位相変調部１２と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の他方の端部からの出力光が入力される第２光導波路１３ａを有する第２位相変調部１３と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａからの出力光を結合して出力する光結合器１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】寸法の低減された光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、基板３０に形成された半導体レーザ１１と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａを有する第１位相変調部１２と、基板３０に形成され、第２光導波路１３ａを有する第２位相変調部１３と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の出力光を２つに分岐し、分岐した光を第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａへ出力する第１光結合器１４と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａからの出力光を結合して出力する第２光結合器１５と、を備え、半導体レーザ１１と第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａとは、少なくとも一部分が重なるように並列に配置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性および製造歩留まりが高い半導体導波路アレイ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】スラブ型光導波路を有する半導体積層構造に複数のトレンチ溝を並べて形成し、前記トレンチ溝により離間されてアレイ状に配列されたリッジ型光導波路を形成する光導波路形成工程と、前記リッジ型光導波路を形成した半導体積層構造の表面を覆い、かつ前記複数のトレンチ溝を埋めるように有機絶縁材料を塗布する塗布工程と、前記有機絶縁材料をウェットエッチングし、前記アレイ状に配列されたリッジ型光導波路の上部を露出させるエッチング工程と、前記複数のトレンチ溝を埋めた有機絶縁材料を硬化させる熱処理工程と、を含み、前記光導波路形成工程において、前記複数のトレンチ溝のうち最も外側に位置する最外トレンチ溝の幅を、前記最外トレンチ溝よりも内側に位置する内側トレンチ溝の幅よりも広くする。 （もっと読む）

【課題】発光波長の制御範囲を広くできる半導体光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫黄を含む半導体基板上に、井戸層および障壁層からなる量子井戸構造を構成する複数の半導体層であって、前記井戸層または障壁層の厚さが互いに異なる複数の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記複数の半導体層をそれぞれ含む複数の光素子を形成する光素子形成工程と、前記複数の半導体層の発光波長をシフトさせるための熱処理を行う熱処理工程と、を含む。好ましくは、前記熱処理工程は、６００℃〜８００℃の範囲にて行う。 （もっと読む）

【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ１１が、活性層１０２を具備するものであり、導波路部１２が、活性層１０２と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層１１５を具有するものであり、半導体レーザ１１がメサ構造で形成され、導波路部１２がメサ構造で形成されると共に、導波路部１２のメサ構造が半導体レーザ１１のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ１２のメサ構造の側部に半導体層１２２が積層される一方、導波路部１２のメサ構造が半導体層１２２で埋め込まれるようにした。 （もっと読む）

【課題】導波路を伝搬した後に出射端面で反射されてこの反射光の光パワーが該導波路に結合することを低減できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】第１の埋め込み層１５は、半導体ストライプメサ１３の第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み領域１７は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａ上に設けられ、一端面２３から延在する。第２の埋め込み領域１９は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける他方の側面２８ｂを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み層１５は第１のコア層２７ｂと第１の埋め込み領域１７との間に設けられる。第１の埋め込み層１５の屈折率は第１の埋め込み領域１７の屈折率より大きく、第２の埋め込み領域１９の屈折率より大きい。第１のコア層２７ｂにおける側面２８ａ、２８ｂを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ１３に関して非対称である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、長期信頼性を確保しながら、狭線幅化と小型化を実現することができる半導体レーザを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたファブリ・ペロ共振器と、を備え、ファブリ・ペロ共振器の内部には、利得領域と、利得領域と結合する光導波路と、１又は２以上のリング共振器のドロップ・ポートからなる光フィルタと、が配置され、リング共振器は、方向性結合器を介して光導波路に結合し、光フィルタのディチューニング量をφ、利得領域の線幅増大係数をα、方向性結合器の結合係数をｋをとした場合、ディチューニング量が、下記式を満たす。

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【課題】周波数安定度の高い原子発振器を得ることが可能な光学モジュールを提供する。
【解決手段】光学モジュール２は、量子干渉効果を利用する原子発振器１の光学モジュールであって、中心波長を有する基本波Ｆと、互いに異なる波長を有する第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２と、を含む第１光Ｌ１を発生させる光源１０と、第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２を選択して透過することによって、第２光Ｌ２を射出する波長選択手段２０と、アルカリ金属ガスを封入し、第２光Ｌ２が照射されるガスセル３０と、ガスセル３０を透過した第２光Ｌ２の強度を検出する光検出手段４０と、を含む。 （もっと読む）