【課題】製造プロセスなどに起因する歪や欠陥や、初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制して、特性の向上や安定化が期待される導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層１０３、１０４に接し且つ２つの導体層１０３、１０４の間に配置された半導体部１０１を含むコア層１０８と、を有する。半導体部１０１を含むコア層１０８は、面内方向に広がった特定の凹凸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】井戸層に効率よくキャリアを供給することができる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。活性層は、２層の障壁層８０１、８０２、８０４、８０５を積層した積層体と、井戸層８０３とが交互に積層することにより構成される。積層体は、窒化ガリウムからなる第１の障壁層８０１、８０５と、窒化ガリウムからなる第２の障壁層８０２、８０４とからなる。 （もっと読む）

【課題】井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するＭＱＷ構造と該構造の製造方法とを提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。薄膜層は、障壁層の形成後、基板の降温時と井戸層の形成後、基板の昇温時にそれぞれ形成される。 （もっと読む）

【課題】利得波長の短波長シフトを抑制できるとともに、多重量子井戸構造の設計の自由度が高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体からなり、主障壁層の間に井戸層が介挿された量子井戸構造を複数有する多重量子井戸構造を備えた光半導体装置において、前記主障壁層と前記井戸層との間に、前記主障壁層と略同一のバンドギャップエネルギーと、前記井戸層と同じＶ族組成とを有するように成長させた極薄障壁層を備える。 （もっと読む）

電気的にポンピングされるオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の少なくとも一つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップが、ＩｎＧａＮを含有しているか、又は、ＩｎＧａＮから構成されている、少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）と、ＡｌＧａＮを含有しているか、又は、ＡｌＧａＮから構成されている、少なくとも二つのカバー層（４）とを有している。カバー層（４）はそれぞれ、ビーム活性量子井戸（２）のうちの一つに対応付けられており、また、カバー層（４）はビーム活性量子井戸（２）のｐ側にそれぞれ設けられている。ビーム活性量子井戸（２）と、対応付けられているカバー層（４）との間隔は最大で１．５ｎｍである。
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【課題】柱状構造近傍の絶縁保護膜の剥離を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１２と、バッファ層１４を含むｎ型の下部ＤＢＲ１６と、活性層２０と、ｐ型の上部ＤＢＲ２２と、上部ＤＢＲ２２から下部ＤＢＲ１６至る半導体層をエッチングして形成されたポストＰと、ポストＰの底部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ｂを介してバッファ層１４に至るコンタクト溝３２と、バッファ層１４に電気的に接続されるｎ側電極３４と、ポストＰの頂部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ａを介して上部ＤＢＲ２２に電気的に接続されるｐ側電極２８と、コンタクト溝３２とポストＰとの間の下部ＤＢＲ１６に形成された絶縁保護膜の剥離を防止する剥離防止溝５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、マルチモード発振あるいはモード跳びが生じないようにして、単一縦モード発振が得られる素子の歩留まり向上を図る。
【解決手段】半導体レーザを、活性層１０５と、発振波長を決める回折格子３及び位相シフト４とを備える活性領域１と、光ガイド層１０８と、反射用回折格子６とを備える分布反射鏡領域２とを備えるものとし、分布反射鏡領域２を、実効的な回折格子周期が共振器方向に沿って変化するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 埋込導波路とハイメサ導波路との接続箇所にテーパ構造を導入する場合、テーパ構造の形成時に、既に形成されている導波路に対して高い位置合わせ精度が要求される。
【解決手段】 基板の上に凸状の第１の光導波路が形成されている。同じ基板の上に、凸状の第２の光導波路が形成されている。第１の光導波路と第２の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路が、同じ基板上に形成されている。少なくとも第１の光導波路の両側に埋込部材が配置されている。 （もっと読む）

活性および／または受動ＭＱＷ領域を含む多重量子井戸レーザ構造が提供される。各ＭＱＷ領域は複数の量子井戸および介在障壁層を含む。隣接するＭＱＷ領域は、介在障壁層より厚いスペーサ層によって分離される。量子井戸のバンドギャップは、介在障壁層およびスペーサ層のバンドギャップより低い。活性領域は、活性および受動ＭＱＷを含むことができ、電気ポンピングによる光子の誘導放出用として構成することができる。あるいは、活性領域は、光ポンピングによる光子の誘導放出用として構成される活性ＭＱＷ領域を含むことができる。
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【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】緩和振動を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。活性層１０５は、積層方向に垂直な方向のキャリア拡散長が積層方向のキャリア拡散長よりも大きい機能層を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子において、活性層を構成する量子井戸層とバリア層の界面での転位・欠陥の発生を抑制し、高信頼性かつ高光出力の窒化物半導体発光素子を実現する。
【解決手段】基板上に、単一または多重量子井戸構造の活性層をｐ型及びｎ型の一対のクラッド層で挟んだ窒化物系半導体発光素子において、前記活性層はバリア層と量子井戸層が交互に積層される構造を有し、前記バリア層はｎ型不純物がドープされ、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第１ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ２である第２ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第３ドープ層からなる積層構造を有し、０＜ｎ１／ｎ２≦０．８の関係を満たし、前記バリア層の膜厚はｂｎｍとした場合、第１ドープ層の膜厚は０．２５ ｎｍ以上ｂ／２ ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏光方向が安定した面発光型半導体レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、活性層と、選択酸化層と、上部反射鏡と、活性層と選択酸化層と上部反射鏡においてメサ構造が形成されており、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、半導体基板は、（１００）面を傾斜させた面を表面とするものであって、活性層は、基板に対し圧縮歪みを有する量子井戸層と、スペーサ層により構成されており、スペーサ層は、半導体基板に対し引張歪みを有することを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】第二の領域が比較的単純な膜構成であって、作製精度に対する許容度が比較的高いカスケードレーザ素子等を提供することである。
【解決手段】カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。多層膜構造は、2つの第一の領域110と、これら第一の領域で挟まれる第二の領域120を含む。第一の領域は複数のサブバンド111、112を含み、第一の領域110におけるエネルギーの上流側のサブバンド111からポテンシャル障壁143を介したエネルギーの下流側のサブバンド112へ、キャリアが光と相互作用することで許容されるトンネリングによって輸送される。第二の領域は、前記光の表皮深さの2倍よりも薄く、エネルギーバンド121を備えた膜152を含み、エネルギーバンド121においてキャリアはエネルギー緩和される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物半導体レーザの活性層において生じるＩｎ組成不均一を抑制し、非発光中心となる欠陥を低減させ、素子の寿命を改善する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層との間に設けられる、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＩｎＮからなる障壁層とにより構成される多重量子井戸構造の発光層とを少なくとも備える窒化物半導体レーザ素子であって、井戸層および障壁層の少なくともいずれか一方に、ＧａＮからなる補償層を１層以上含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子に関する。 （もっと読む）

【課題】光の波長変動に対する利得の変動を抑制した光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に形成される下部クラッド層３と、前記下部クラッド層３の上に形成される量子井戸層及びバリア層からなる多重量子井戸構造を含む活性層２と、前記活性層２の上に形成される上部クラッド層４とを備え、前記多重量子井戸構造において、少なくとも１つの量子井戸層が他の量子井戸層とは異なる井戸幅を有することにより、前記量子井戸構造における利得スペクトルの幅が広がるようにした。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物系半導体発光素子の発光特性を改善する。
【解決手段】本発明による窒化物系半導体発光素子は、基板上に順次積層された１以上のｎ型窒化物系半導体層、量子井戸構造を有する活性層、および１以上のｐ型窒化物系半導体層を含み、活性層はＩｎＧａＮの井戸層とＧａＮまたはＩｎＧａＮの少なくとも一方を含む障壁層とを含みかつ４３０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の発光波長を有し、井戸層は１．２ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の小さな厚さを有し、障壁層は井戸層の歪に対する緩衝層とし作用し得るように井戸層に比べて１０倍より大きくて４５倍以下の厚さを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 従来の長波長レーザにおいて、動作点が安定せずにレーザ発振を不安定にするという課題があった。
【解決手段】 表面プラズモン導波路の表面電流が極大となる部分に抵抗体を備え、表面プラズモン導波路における第一のクラッドと第二にクラッドの間の電位差を安定化する。 （もっと読む）

【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。また、前記バリア層の少なくとも一つは、組成が厚さ方向で連続的に変化した層であり、量子井戸層５１の歪を緩衝し、かつ量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】発光効率の改善された窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層（３、４）とｐ型窒化物半導体層（６、７）との間に活性層（５）を有する窒化物半導体発光素子において、活性層は複数のＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）量子井戸層と複数のＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１）障壁層が周期的に積層された多重量子井戸構造を有し、複数の障壁層の少なくとも一層は互いにＩｎ組成比の異なる複数の障壁サブ層が周期的に積層された超格子障壁構造を有している。 （もっと読む）