【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】活性層から発するレーザ光の電極間共振を抑えて電気変換効率を十分に高くすることのできる半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能でかつ、ＥＳＤ耐性の高い導波路型光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。
【解決手段】第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。これにより、ｎ型の不純物のピーク領域によって、拡散してくるｐ型の不純物を補償，捕獲して、電流狭窄層９のｐ型転化を抑制して、良好な電流狭窄特性を得る窒化物半導体装置の作成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 InGaAlAsを活性層とするＤＦＢレーザにおいて素子抵抗が高いため特に高温におけるレーザ特性の劣化が課題である。
【解決手段】 n型InP基板101に形成されたInGaAlAs-MQW層104上に、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層105、ｐ型InAlAs電子ストップ層106、ｐ型回折格子層107を順次積層し、回折格子形成後に、ｐ型InPクラッド108、ｐ型InGaAsコンタクト層を順次再成長し、リッジ型レーザを作製する。107の回折格子の凹凸の深さは107の厚さより小さくする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を抑制した窒化物半導体発光素子に関し、低い電圧での
利用に適した、窒化物系半導体からなる発光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】p型コンタクト層と、該p型コンタクト層の下層に形成されたp型中間層と、該p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層とを備える。該p型コンタクト層はMgがドープされたInAlGaNであり、該p型中間層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型クラッド層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型コンタクト層と該p型中間層間および、該p型中間層と該p型クラッド層間のバンドギャップ差がそれぞれ100meV以下であり、該p型中間層のバンドギャップは、該p型コンタクト層のバンドギャップと該p型クラッド層のバンドギャップの間の値であり、該ｐ型中間層のMg濃度は、該ｐ型クラッド層のMg濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】逆方向ＥＳＤ耐圧を向上可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１において、半導体メサ１３は、第１の部分１３ａおよび第２の部分１３ｂを含む。第１のｐ型埋込層１５は、第１の部分１３ａの側面１３ｃ上に設けられ、第１のｎ型埋込層１７は、第１のｐ型埋込層１５上に設けられ、第２のｐ型埋込層１９は第２の部分１３ｂの側面１３ｄ上に設けられ、第２のｎ型埋込層２１は、第２のｐ型埋込層１９上に設けられる。第１の部分１３ａは当該半導体光素子１１の端面１１ｃを有し、第２の部分１３ｂは第１の部分１３ａに隣接している。活性層２３は、例えば量子井戸構造を有している。第１および第２の部分１３ａ、１３ｂの各々は、活性層２３、ｎ型クラッド領域２５およびｐ型クラッド領域２７を含む。第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲および様々な通信速度において低消費電力で安定して動作する半導体レーザ素子ならびにそれを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層、下クラッド層、活性層、第１の上クラッド層、第２の上クラッド層、およびキャップ層、を含み、バッファ層のエネルギバンドギャップの大きさは、半導体基板のうちバッファ層に最も近接している領域と下クラッド層のうちバッファ層に最も近接している領域との間にあり、第２の上クラッド層のうちキャップ層に最も近接している領域のキャリア濃度およびキャップ層のうち第２の上クラッド層に最も近接している領域のキャリア濃度がそれぞれ第２の上クラッド層の他の少なくとも一部の領域よりも高い半導体レーザ素子、それを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器である。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層およびｎ型窒化物半導体トンネル接合層の少なくとも一方がＩｎを含み、Ｉｎを含む層の少なくとも１つがそれよりもバンドギャップの大きい層と接し、Ｉｎを含む層とバンドギャップの大きい層との界面と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層との界面と、の最短距離の少なくとも１つが４０ｎｍ未満である窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、井戸層３１及びバリア層３２を含み量子井戸構造を有する活性層１５と、バリア層３２上に設けられIII−Ｖ族化合物半導体材料からなるオフセット層３５（第１のクラッド層）と、オフセット層３５上に設けられｐ型不純物を含む電子ストッパー層１７と、電子ストッパー層１７上に設けられオフセット層３５と同一材料からなり、電子ストッパー層１７のｐ型不純物濃度よりも低い濃度のｐ型不純物を含む第２のクラッド層１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、消費電力を減少させ信頼性を向上させることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】結晶基板と、結晶基板上に形成された第一導電型の第一クラッド層と、第一クラッド層上に形成された第一導電型の第一光ガイド層と、第一光ガイド層上に形成された、単一または多重量子井戸構造の活性層と、活性層上に形成された第二導電型のオーバーフロー防止層と、オーバーフロー防止層上に形成された第二導電型の第二光ガイド層と、第二光ガイド層上に形成された第二導電型の第二クラッド層とを備え、第二光ガイド層のキャリア濃度は、第二クラッド層のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）

半導体デバイスは、活性層（３５０）およびクラッド層（３７０）を備える。電子ブロッキング層（３８０）が、活性層とクラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、活性層からクラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される。電子ブロッキング層は、周期表のＩＩＩ族の２つの元素、および周期表のＶ族の１つの元素を含む。周期表のＩＩＩ族の２つの元素の一方が、活性層から離れてクラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第１の部分、および第１の部分とクラッド層との間で濃度が次第に減少する第２の部分を有する濃度プロファイルを有する。
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【課題】電気特性および光学特性が改善された超格子を有する半導体層構造を提供すること、およびこのような半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイスを提供すること。
【解決手段】超格子内の異なるタイプの隣接する層は、少なくとも１つの元素の組成において異なっており、超格子内で、同じタイプの少なくとも２つの層は少なくとも１つの元素の異なる含有量を有しており、該少なくとも１つの元素の含有量は超格子の層内で勾配状であり、超格子の層は所定の濃度でドーピング材料を含んでおり、当該超格子は、異なるドーピング材料でドープされた層を有している半導体層構造、およびこのような半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイス。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの活性層への拡散を抑制して、発光出力が低下したり通電時における温度が上昇したりすることを低減可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１導電型基板１上に、少なくとも、第１導電型クラッド層３と活性層４とアンドープクラッド層５と第２導電型クラッド層６とが順次積層された構造とし、アンドープクラッド層の厚さを１５ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内とし、第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇ（マグネシウム）とし、同層におけるＭｇ濃度を７Ｅ＋１６ｃｍ^−３〜１Ｅ＋１８ｃｍ^−３の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む井戸層３１、および井戸層３１を挟みかつＩｎＧａＮまたはＧａＮを含むバリア層３２を有する量子井戸構造とされた活性層３と、活性層３を挟むｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、井戸層３１の全体と、バリア層３２のうちｐ−ＧａＮ層４寄りのドープ部３２ａとには、Ｓｉがドープされており、バリア層３２のうちｎ−ＧａＮ層寄りのアンドープ部３２ｂは、アンドープとされている。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１０は、ｎ型クラッド層１１とｐ型クラッド層１３で挟持された活性層１２と、活性層１２への電流を狭窄するための開口部を有する電流狭窄層１４を備えた埋込構造となっている。この埋込構造において、電流狭窄層１４の開口部を覆うように、電流狭窄層１４上に、ｐ型不純物が添加されたＩｎを含む窒化物半導体層（ＩｎＧａＮ層、ＡｌＩｎＧａＮ層）からなる再成長層１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子に内在する活性層近傍の応力を小さくし、高出力かつ高信頼性なレーザ特性が得られる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された第１のクラッド層３と、第１のクラッド層３上に形成され、互いに逆の歪を有する井戸層４ｗとバリア層４ｂ（障壁層４ｂ₁ および光ガイド層４ｂ₂ ）が交互に積層された歪多重量子井戸構造をもつ活性層４と、活性層４上に形成された第２のクラッド層５とを備える。井戸層４ｗおよびバリア層４ｂのそれぞれにつき格子定数に対応した歪量、膜厚および層数により決定される歪量膜厚積の総和である活性層４の歪量膜厚積総和ξ_act が負の値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＰが安定した状態で光出力を大きくすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型ＤＢＲ層１１、キャビティ層１２およびｐ型ＤＢＲ層１３をこの順に積層して構成される。キャビティ層１２は、２つのＰＩＮ接合を有しており、ｐ型ＤＢＲ層１１側のＰＩＮ接合は、ｐ型クラッド層１６、活性層１７およびｎ型クラッド層１８をこの順に含んで構成され、ｐ型ＤＢＲ層１３側のＰＩＮ接合は、ｎ型クラッド層１９、活性層２０およびｐ型クラッド層２１をこの順に含んで構成される。これにより、各活性層１７，２０に別個独立に電流を注入することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）