【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】接合強度を十分に維持できると共に、短時間で分離することができる、貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この貼り合わせ基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板及び第１支持基板のうち少なくとも一方上に、表面粗さＲ_ｒｍｓが０．１〜１００００ｎｍの表面を有する第１緩衝膜を形成する工程と、第１緩衝膜を介して、第１支持基板にIII族窒化物半導体基板を貼り合わせる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子層の厚みの差に起因して半導体素子層にクラックが発生するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子１００（窒化物系半導体素子）は、共振器の延びる方向に延びるリッジ部（光導波路）２４を有する窒化物系半導体からなる半導体素子層２０を含む半導体素子部３０と、半導体素子層２０のリッジ部（光導波路）２４近傍を除く領域と対向する領域にリッジ部（光導波路）２４の延びる方向に沿って段差部１０ａが形成され、半導体素子部３０に接合されるｐ型Ｇｅ基板１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、良好な緑領域の光を発生することが可能なＩｎＮを比較的大きな割合で含むIII族窒化物半導体層を有する半導体基板を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、


のいずれかの結晶成長面を表面とし、Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ―ｙ}In_ｙＮ(0≦x≦1,0≦y≦1)なる組成を有するとともに、少なくとも一部に溝部を有する下地層と、前記下地層上にＩｎＮモル分率が０．０３以上であるIII族窒化物半導体層とを具えるようにして半導体基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】均一な組成分布を有する高In組成のInGaN系の素子であって、発光効率の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード１０は、ZnO基板１２と、この基板上に順に形成される擬似格子整合層１３、下部クラッド層１４、光ガイド層２１、活性層１５、光ガイド層２２、上部クラッド層１６及びコンタクト層１７とを備える。半導体レーザダイオード１０のエピタキシャルウェハが、酸素（O）極性のc面(000_1)ZnO基板１２上に形成される。この基板と活性層１５の間に形成された擬似格子整合層１３は、膜厚が1ML（分子層）以上、ZnO基板１２に対して臨界膜厚以下のGaNからなる。ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。
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【課題】 二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【解決手段】 二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。 （もっと読む）

【課題】上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第１ミラー層スタックと、第１スタック上に配置された活性層と、活性層上に配置された交互の屈折率の第２ミラー層スタックと、第２スタックの中央に配置され、レーザのスペクトル幅特性を改善するために第２ミラー層スタックの少なくとも幾つかを通って延びる凹部と、を有する表面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】 転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶構造が六方晶からなる半金属的性質をもつ単結晶基板１０の一主面に凹凸構造を形成する工程（１）、単結晶基板１０上に所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層１３と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層１４と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層１５とを積層した発光素子を作製する工程（２）、単結晶基板１０を選択的にエッチングすることにより発光素子から除去する工程（３）を具備する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の安定化を図るとともに、しきい値電流や動作電流が増大するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、酸素がドープされたｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されたアンドープのｎ型クラッド層３と、アンドープのｎ型クラッド層３上に形成された窒化物系半導体からなるＭＱＷ活性層４１と、ＭＱＷ活性層４１上に形成されたｐ型クラッド層５と、ｐ型クラッド層５とＭＱＷ活性層４１との間に形成され、約０．１μｍの膜厚を有するｐ側光ガイド層４２と、アンドープのｎ型クラッド層３とＭＱＷ活性層４１との間に形成され、ｐ側光ガイド層４２の膜厚よりも小さい約０．０５μｍの膜厚を有するｎ側光ガイド層４４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、下地基板１０上に形成されたマスク１９、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１、第一層１１上に形成される第二層１２、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３を備える。第一層１１は、マスク１９の開口部１９１内部を埋め込むとともに、被覆部１９２の上面を覆っている。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布である。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

少なくとも一つの半導体装置を製作する方法であって、リチウムアルミネートを有する犠牲成長基板を提供するステップと、前記犠牲成長基板に隣接して、ＩＩＩ族の窒化物を有する少なくとも一層の半導体層を形成するステップと、前記犠牲成長基板とは反対の側に、前記少なくとも一層の半導体層と隣接して取付基板を設置するステップと、前記犠牲成長基板を除去するステップと、を有する方法を示した。さらに当該方法は、前記取付基板とは反対の側の、前記少なくとも一層の半導体層の表面に、少なくとも一つの接続部を設置するステップ、あるいは、前記取付基板および少なくとも一層の半導体層を、複数の個々の半導体装置に分離するステップを有しても良い。当該方法は、さらに個々の半導体装置を含む前記取付基板を、放熱器に接合するステップを有しても良い。前記除去するステップは、前記犠牲成長基板を湿式エッチングするステップを有しても良い。
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【課題】 プラズマや活性イオンなどの衝突による結晶へのダメージの導入がなく、且つ多くの時間を必要としない方法で、窒化物系半導体層に分離溝を形成することにより、素子分離を容易にする窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系半導体素子の作製方法は、主基板２０の主面に所定の処理を施す事により、前記主面に、第１の領域２０ａと、前記第１の領域２０ａよりも結晶成長が起こりにくい第２の領域２０ｂとを作製する領域作製工程と、前記主面に結晶成長により窒化物系半導体層１を形成する結晶成長工程と、前記第２の領域２０ｂで、前記主基板２０を前記主面に対して垂直方向に、前記第１の領域２０ａ毎に分離する分離工程とを含むことを特徴とする窒化物系半導体素子の作製方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板上において、所望する位置あるいは所望する密度で純粋なＩｎＡｓ量子ドットを形成することができる量子ドットの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１（あるいはＡｌＡｓ基板またはＧａＡｌＡｓ混晶基板）の上にＩｎＡｓを主成分とするぬれ層２を成長させる際に、Ｉｎ原子に混じってＧａ原子あるいは複数のＧａ原子からなるＧａ原子クラスタをぬれ層２に配置し、配置されたＧａ原子あるいはＧａ原子クラスタと対応する位置において、ぬれ層２の上にＩｎＡｓを主成分とする量子ドット４を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料９及び種結晶７を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、加熱炉１内の原料の温度が定常時の設定温度に達するまでは、前記加熱炉１内の圧力を、この原料９の昇温温度における飽和蒸気圧よりも高い圧力として原料の昇華を抑制する。そして、原料９の温度が定常時の設定温度に達した後に、前記加熱炉１内の圧力を、この昇温過程における圧力よりも低い、原料を析出させるための圧力にする。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質の高いＧａＮ系化合物からなる単結晶薄膜を成長させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 この発光素子１０は、（１００）面または（８０１）面を主面とするβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるＧａ_２Ｏ_３基板１１と、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１上に表面再配列層２２を介してｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＩｎＧａＮ発光層１４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１５、ｐ−ＧａＮコンタクト層１６を積層してなるものである。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１のβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶の結晶方位〈０１０〉であるとき、表面再配列層２２、ｎ−ＧａＮクラッド層１３、ＩｎＧａＮ発光層１４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１５のＧａＮ系化合物薄膜の結晶方位〈１１−２０〉とは、ほぼ平行している。 （もっと読む）

【課題】 低温成長低電気抵抗値のｐ型コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの構造の提供。
【解決手段】 マグネシウムとアルミニウムを共同ドープし低温成長窒化インジウムガリウムの低電気抵抗値を利用したｐ型コンタクト層を利用した窒化ガリウム系発光ダイオードは、基板、バッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、アクティブ層、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層を具えている。ＭｇとＡｌ共同ドープの窒化インジウムガリウム（Ｉｎ_1-y Ｇａ_y Ｎ）で低電気抵抗値のｐ型コンタクト層を形成し、並びにＭｇとＡｌ共同ドープによりｐ型窒化インジウムガリウムコンタクト層の材質の発生する吸光問題を解決し、低温形成のｐ型コンタクト層の簡便性を有するようにし、全体の電気特性を良好とし、全体装置の操作電圧を下げ、その運転時の消耗パワーを減らし、また、生産の歩留りも高める。 （もっと読む）

【課題】 歩留りおよび量産性の向上を可能にした発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１０は、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の（１００）、（８０１）または（０１０）の面にＧａＮバッファ層１２が形成され、このＧａＮバッファ層１２上にＧａＮ系化合物薄膜を成長され、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の下面にはｎ電極１８が設けられ、この下面に発光層１４からの発光光を反射する反射層１９が設けられている。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１は、ＧａＮバッファ層１２の成長面が（１００），（８０１）面であれば（００１）面に沿って劈開または切断され、成長面が（０１０）面であれば（０１０）面であれば（１００）面または（００１）面に沿って劈開または切断される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）