【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び信頼性を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｎ型半導体層３、活性層２及びＰ型半導体層１と共に積層され、多層金属からなるＰ側電極層４と、前記積層の側面に形成され、光学的損傷を防ぐための端面保護膜１３と、を備え、前記端面保護膜１３は、前記Ｐ側電極層４の少なくとも１層を拡散質である金属薄膜として、拡散媒となりにくい物質からなる保護膜５と、前記拡散媒となる物質からなり、前記金属薄膜と接しないように前記保護膜５上に形成される拡散媒膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】端面劣化の発生を抑制しつつ、波長変化に対する反射率の変動量を小さくし、それぞれの波長素子におけるモニター電流の温度変化を抑制することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】端面発光型の２波長半導体レーザ素子１の後端面に後端面膜４０が設けられている。後端面膜４０は、屈折率がｎ₁の低屈折率層と屈折率がｎ₃（ｎ₁＜ｎ₃）の高屈折率層の組み合わせを１組とする層がＮ組（Ｎ≧２）積層された層と、屈折率がｎ₂（ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₃）の中間屈折率層とを後端面側から順に含んでいる。低屈折率層、高屈折率層および中間屈折率層の光学膜厚は、後端面に下地層が設けられていない場合には、λ₁とλ₂の間の波長をλ₃としたときに、λ₃／４となっている。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定な単一縦モード発振を保ったまま、効率的に光出力を増大させることができる半導体レーザ及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上に形成されている、半導体レーザ活性層２、位相シフト構造８を有する回折格子７が形成された回折格子形成層３、上部クラッド層４とを有しており、光の出射端面９と、レーザ後端面１０とに無反射コーティング１１，１２が施されている半導体レーザにおいて、回折格子形成層３は、レーザ後端面１０側の領域３Ａに回折格子７が形成され、光の出射端面９側に回折格子７が形成されていない領域３Ｂを有している構成とする。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００の製造方法は、素子バー製造工程Ｓ３、及び評価工程Ｓ７等を備える。評価工程Ｓ７は、第１の素子バー３５Ａの２以上の素子部２について、レーザ特性を測定する第１測定工程Ｓ７−１と、第１の素子バー３５Ａのレーザ特性の位相依存性Ｄ３５Ａを見積もる第１見積もり工程Ｓ７−３と、第２の素子バー３５Ｂの一部の素子部２について、レーザ特性を測定する第２測定工程Ｓ７−５と、第２の素子バー３５Ｂの一部の素子部２について、回折格子１３Ｐの位相を見積もる第２見積もり工程Ｓ７−７と、第２の素子バー３５Ｂの他の素子部２について、回折格子１３Ｐの位相を見積もる第３見積もり工程Ｓ７−９と、第２の素子バー３５Ｂの他の素子部２について、レーザ特性を見積もるレーザ特性見積もり工程Ｓ７−１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】界面酸化および歪印加による端面劣化を確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】対向する共振器面１０８，１０９を有するレーザ構造部１０７と、対向する共振器面の少なくとも一方に形成された保護膜１１０，１２０と、を有し、保護膜１１０，１２０は、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層１１１，１２１および多結晶層１１２，１２２の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている。 （もっと読む）

【課題】端面コート膜の剥離を抑制し、安定性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮからなる基板１の上面上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層２を備え、レーザ光出射方向に対して直交する一対の共振器端面（出射側共振器面２ａ及び反射側共振器面２ｂ）が形成されている。出射側共振器面２ａ上には、ＡｌＮ層５１、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５２、Ａｌ_２Ｏ_３層５３、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５４及びＡｌ_２Ｏ_３層５５が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、端面コート膜８の最表面３ａに配置されたＴｉＯ_２膜３７と、ＴｉＯ_２膜３７と共振器端面２ａとの間に配置されたＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】基板１１上に設けられたｎ型クラッド層と、ｎ型クラッド層１３上に設けられたｎ型ガイド層１４と、ｎ型ガイド層１４上に設けられた活性層１５と、活性層１５上に設けられた第１のｐ型ガイド層１６と、第１のｐ型ガイド層上に設けられたオーバーフロー防止層１７と、オーバーフロー防止層１７上に設けられた第２のｐ型ガイド層１８と、第２のｐ型ガイド層１８上に設けられたｐ型クラッド層１９とを有し、層のそれぞれが窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるレーザダイオードと、レーザダイオードの出射面上に設けられアルミニウムを含む窒化物の第１の保護層と、第１の保護層５１上に設けられ第１の保護層５１と屈折率の異なる、シリコンを含む窒化物の第２の保護層５２と、を備え、第１の保護層と、第２の保護層の膜厚が、それぞれ０．２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、共振器端面２ａにおける反射率を制御するＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４と、ＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４の合計厚みよりも大きい厚みを有するＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を積層し、上部クラッド層２３の上部に帯状の突条部（リッジ）２０Ａを形成する。突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に２対の凹部２０Ｂ設けたのち、前端面Ｓ１の表面に保護膜４１を形成する。これにより前端面Ｓ１に形成する保護膜４１の接触面積が少なくなり、前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡略な多層端面コート膜を利用することによって多波長レーザ装置のＣＯＤレベルの低下を抑制し、信頼性の高い多波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板上に第１と第２のレーザ発振部を含むモノリシック型の多波長半導体レーザ装置において、第１と第２のレーザ発振部がそれぞれ発振波長λ１とλ２（λ１＜λ２）を有し、このレーザ装置の光出射端面上には順次積層された第１、第２および第３の誘電体層を含む端面コート膜が形成されており、第１誘電体層は５〜１０ｎｍの範囲内の厚さｄ１と屈折率ｎ１を有し、第２誘電体層は厚さｄ２と屈折率ｎ２を有し、第３誘電体層は厚さｄ３と屈折率ｎ３を有し、そして端面コート膜は波長λ１の光に対して６〜１０％の範囲内の反射率を有しかつ波長λ２の光に対して４〜６％の範囲内の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 高温かつ高出力の駆動においても十分な信頼性を得ることができる窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子を製造するための窒化物半導体発光素子の製造方法、ならびに信頼性を向上することができる窒化物半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 光出射部にコート膜が形成されており、コート膜はアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体発光素子と、その窒化物半導体発光素子の製造方法である。また、窒化物半導体層と窒化物半導体層に接するゲート絶縁膜とを含み、ゲート絶縁膜がアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体トランジスタ素子である。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤに対する大きな耐性を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第１の端面（Ｃ＋側）２６上の第１の誘電体多層膜４３ａの厚さが、第２の端面（Ｃ−側）２８上の第２の誘電体多層膜４３ｂの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子を安定的に動作させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。そして、無機誘電体層３０の厚みは、フッ化高分子層３８の厚みよりも大きい。 （もっと読む）