【課題】本発明は、劈開時の結晶欠けを抑制できる半導体レーザダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザダイオードは、基板１４と、該基板１４の上方に形成された活性層２６と、該活性層２６の上に形成された半導体層２８と、該半導体層２８のうち該前端面１２ａを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる前端面高抵抗部２８ａと、該半導体層２８のうち該後端面１２ｂを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる後端面高抵抗部２８ｂと、該前端面１２ａにおいて該前端面高抵抗部２８ａと直接接しない部分を有し、かつ該後端面１２ｂにおいて該後端面高抵抗部２８ｂと直接接しない部分を有するように、該半導体層２８の上に形成された電極３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶と、これと同一周期の網目構造を有する放熱層との位置合わせをすることなく同時に形成することができ、放熱特性が良く、光学特性を損なうことを抑制することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザであって、基板１０１上の活性層１０４で発光した光を面内で共振させる、第１の半導体１０６ａ及び第１の半導体よりも低屈折率の低屈折率媒質１０６ｂとが２次元的に配置された２次元フォトニック結晶層１０６と、２次元フォトニック結晶層上の第２の半導体を有する層１０７と、第２の半導体を有する層上の放熱層１０８と、を有し、放熱層は、第２の半導体よりも熱伝導率の高い材料からなる放熱部１０８ａと、第３の半導体１０８ｂとで構成され、放熱部は第１の半導体の上部に形成される。 （もっと読む）

【課題】光共振器端面の熱拡散を促進することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板にｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記ｐ型半導体層の上のｐ側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の共振器内部の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、ｎ型の下部クラッド層１１と下部クラッド層１１の上に設けられた活性層１２とを含む半導体積層１０と、ｐ型の上部クラッド層１３を含み、半導体積層１０の主面１２ａにおいて一方向に延在するリッジ部１５と、半導体積層１０及びリッジ部１５を覆う絶縁膜２１と、を備え、絶縁膜２１は、主面１２ａにおけるリッジ部１５が設けられていない領域と、リッジ部１５の側面と、に設けられ、絶縁膜２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃからなり、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃは、リッジ部１５の延在方向に順に配置され、第２部分２１ｂの厚さは、第１部分２１ａの厚さ及び第３部分２１ｃの厚さよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された２次の回折格子と、共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、メサ構造の面発光レーザの製造方法であって、
半導体層上の第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により形成する工程と、
これらのパターンが形成された第一の誘電体膜を含む半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、
第２のパターンが形成された半導体層の上の第二の誘電体膜を残して、第二の誘電体膜を除去した際の第１のパターンを用いてメサ構造を形成し、その後に電流狭窄構造を形成する工程と、
第二の誘電体膜が除去された第一の誘電体膜の第２のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）

【課題】スクライブにより良好なクラックを形成することができる半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分に沿ってスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が結合されている。埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。ハイメサリッジ型変調器１４は、変調層２２を持つハイメサリッジ２４と、ハイメサリッジ２４の側面に接するシリコン窒化膜２６と、シリコン窒化膜２６上に設けられたシリコン酸化膜２８とを有する。シリコン窒化膜２６とシリコン酸化膜２８の合計膜厚は１μｍ以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能でありレーザ光の偏光方向の制御が安定した面発光型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の上方に形成された下部ミラー層と、この下部ミラー層の上方に形成された活性層と、この活性層の上方に形成された酸化層を含む上部ミラー層と、が積層され、高さ方向における所定の位置から上面にかけて一部がメサ型に形成された共振器と、上記共振器のメサ型箇所の側面と、当該共振器の非メサ型箇所の上面と、を覆う絶縁層と、上記上部ミラー層の上面と、上記半導体基板の下面と、にそれぞれ配線された各電極と、を備える。そして、上記共振器の上記メサ型箇所の側面に形成された上記絶縁層の一部の厚みが、当該メサ型箇所の高さ方向に沿って一様に、他の箇所よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】共振器の端面の酸化を防ぐとともに、高い信頼性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子は、端面コート膜１１６と共振器の端面１１３の間に、窒化アルミニウムからなる分離層１１５を含む。分離層１１５は、端面コート膜１１６側で、酸窒化アルミニウムを含む。端面コート膜１１６は酸化物である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で雑音特性の改善を図ることが可能となる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層された構造を備え、活性層における光導波路の入射側から出射側に信号光を増幅しながら導波する一方、
活性層に対し、外部光照射手段により外部光を照射して該活性層内のキャリア数を減少させるようにした半導体光増幅器であって、
外部光照射手段は、光導波路において信号光を導波する方向と直交する方向に、外部光が照射可能に構成されると共に、
外部光照射手段により外部光を活性層に照射するに当たり、光導波路における信号光の入射側では強い光強度で、光導波路における信号光の出射側では弱い光強度で照射可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラッド層から熱伝導率の大きい電極へ直接熱を放熱するルートを確保し、使用環境温度が高い条件でも光素子特性を大きく劣化させることを防ぐ構造のリッジ型半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るリッジ型半導体レーザ３０１は、エッチングストップ層３３の上面ｍ、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとするリッジストライプ状のリッジ部クラッド層１４と、リッジ部クラッド層１４の側面を覆う絶縁層１３と、を備え、リッジ部クラッド層１４の側面にある絶縁層１３の端部Ｐが、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとエッチングストップ層３３の上面ｍとの間にある。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ_２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。 （もっと読む）