【課題】吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記ｎ型クラッド層の少なくとも一部に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共ドープされている窒化物系半導体レーザ素子とした。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、を備える。そして、ｐ型窒素化物半導体層が窒化アルミニウムガリウム層を含み、窒化アルミニウムガリウム層中のインジウム濃度が１Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１Ｅ２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、炭素濃度が６Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、マグネシウム濃度をＸ、アクセプタ濃度をＹとした場合に、
Ｙ＞｛（−５．３５ｅ１９）^２−（Ｘ−２．７０ｅ１９）^２｝^１／２−４．６３ｅ１９
である。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの側方ファセットにおける非放射性再結合による熱発生がアクティブ層において緩和される、改善されたエッジ発光型半導体レーザを提供する
【解決手段】エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。そして第２の導波体層（２）は少なくとも部分領域（１０，１１）で第１の導波体層（１）に光学的に結合される。さらに前記第２の導波体層（２）の、前記第１の導波体層（１）とは反対の側には第３の外套層（６）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層に残留する水素の拡散を防止することにより、高出力で且つ長寿命の窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｐ型の第１の不純物（Ｍｇ）がドーピングされたｐ型ＡｌＧａＮからなる超格子クラッド層１８を有している。超格子クラッド層１８は、その一部に第２の不純物（Ｆ）がドーピングされた不純物領域２０を有し、不純物領域２０の水素濃度は、超格子クラッド層１８における不純物領域２０を除く領域の水素濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるＢＤＲ(Band Discontinuity reduction)層形成のためのＢＤＲ層形成工程と、
ＢＤＲ層に接し、ＢＤＲ層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ装置において、半導体レーザ装置の高出力化及び信頼性を低下させることなく、半導体レーザ装置の製造コストの低減を図る。
【解決手段】 共振器を構成する半導体レーザ装置の製造方法であって、第２導電型のコンタクト層１０５上に拡散ソース層１０６を積層する工程と、拡散ソース層１０６における共振器の少なくとも一の端面近傍に存在する部分以外の部分を選択的に除去する工程と、選択的に除去する工程の後に、熱処理によって、拡散ソース層１０６における一の端面近傍に存在する部分に含まれる第１導電型のドーパント又は前記第２の導電型のドーパントを少なくとも活性層１０２まで拡散させることにより、活性層１０２における一の端面近傍に、活性層１０２における内部領域のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する窓構造領域を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体光デバイスのｐ型半導体層に、ＢｅとＦｅとを同時にドーピングする場合にも、Ｂｅのドーピング遅れをなくし、所望の正孔濃度を得る。
【解決手段】 少なくともｎ型の導電型を有するｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層と、ｐ型半導体層の両側に形成され、Ｆｅがドーピングされた電流ブロック層とを備える半導体光デバイスにおいて、ｐ型半導体層を形成する際には、ＦｅとＢｅとが、同時にドーピングされる。このとき、ｐ型半導体の正孔濃度は、約１．０×１０^１８/cm³とし、Ｆｅ元素濃度が約２×１０^１６〜８×１０^１６/cm³となるように、各元素をドーピングする材料の流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程や通電によってクラッド層から拡散した不純物が活性層中をさらに拡散することを抑制し、高出力かつ高信頼性の半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０３（Ｓｉドープ）、活性層１０４（Ｓｉドープ）、第１のｐ−（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層１０５（Ｚｎドープ）をこの順に含むダブルへテロ接合構造部が形成されている。活性層１０４は、４層のＧａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ井戸層２０２Ａ〜２０２Ｄ（Ｓｉドープ）とその間の３層の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐバリア層２０３Ａ〜２０３Ｃ（Ｓｉドープ）とそれらをはさむように形成された（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ光ガイド層２０１、２０４（Ｓｉドープ）とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体層を用いた青紫色半導体レーザ素子において、低閾値電流かつ高出力動作を可能とする高寿命の半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 GaN基板１上にｎ型GaN層２、ｎ型AlGaNクラッド層３、第１のｎ型GaNガイド層４及びｐ型AlGaNブロック層６（電流阻止層）が順次形成され、さらにｐ型AlGaNブロック層６の一部にストライプ状の開口部が形成されており、この開口部を覆う形で第２のｎ型GaNガイド層５が形成され、その上にInGaN多重量子井戸活性層７、アンドープGaNガイド層８、ｐ型AlGaN電子障壁層９、ｐ型AlGaNクラッド層１０及びｐ型GaNコンタクト層１１が順次形成されている。 （もっと読む）