【課題】（２０２−１）、（２０２−１−）などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】（２０２−１）面を成長主面とする窒化物半導体基板１の成長主面１ａの分割予定位置Ｘａ方向に伸び、窒化物半導体層２に埋め込まれず、一方の内面のみに窒化物半導体層２が成長するようにストライプ状の溝１３を窒化物半導体層形成工程の前に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】共振器端面が平坦になるように分割されて成る窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮｌ系基板２５０上にＬＤ構造２５１が構成されるとき、ＬＤ構造２５１の表面上からダイヤモンド刃で罫書きされて、劈開導入溝２５２が設けられる。この劈開導入溝２５２は、ウェハの＜１−１００＞方向に対して平行に設けられるストライプ状光導波路２５３間毎に設けられ、ウェハ＜１１−２０＞方向に対して破線状に設けられる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび特性を向上させることが可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体素子の製造方法は、非極性窒化物半導体基板１０に加工領域２０を設ける工程と、非極性窒化物半導体基板１０上に窒化物半導体層構造１１０を形成する工程と、非極性窒化物半導体基板１０を劈開する工程とを備えている。窒化物半導体層構造を形成する工程は加工領域２０に垂直性の高い領域１１０ｂを形成する工程を含み、劈開を行う工程は垂直性の高い領域１１０ｂの部位１２０で劈開を行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面ＥＧ１における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、支持部材Ｈ２と可動部材Ｈ１との間に押し込んだ状態を維持しつつ、この状態で可動部材Ｈ１を用いて、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域ＥＲ１に生じさせる。例えば、角度ＡＬＰＨＡは７１度〜７９度であり、且つ、撓み角ＴＨＥＴＡは１１度〜１９度にある。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の共振端面の角度を容易に且つ精度良く測定することができる方法を提供する。
【解決手段】光導波路の光導波方向と交差する方向に並んだ複数の半導体レーザ素子を含む半導体レーザバー２を、共振端面２ａが所定の基準線２１ｂに沿うようにステージ２１の基準面２１ａ上に固定し、半導体レーザバー２の複数の半導体レーザ素子の共振端面からレーザ光Ｌａを出射させ、レーザ光ＬａのＦＦＰを測定し、ＦＦＰのピーク位置により定まるレーザ光Ｌａの出射方向と、所定の基準線２１ｂ及び基準面２１ａとの相対角度から、半導体レーザ素子の共振端面の角度を算出する。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】押圧方向ＰＲと支持板Ｈの表面Ｈａとが直交している状態から、ｃ−ｍ面において、ｍ軸から押圧方向ＰＲとａ軸とによって規定される基準面Ａｂに向かって角度ＴＨＥＴＡの傾斜を支持板Ｈに施し、更に、ブレード５ｇの位置決めを、複数のスクライブマーク５ｂのうち最も端にあるスクライブマーク５ｂ１と基板生産物５の表面５ａとの交差部Ｐ１を含んでおり押圧方向ＰＲに沿って延びる面に重なるように行う。角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲にある場合に、角度ＴＨＥＴＡが１１度以上１９度以下の範囲となるので、押圧方向ＰＲに沿って延びる基準面Ａｂは、ｃ軸に直交するｃ面に沿って延びる。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法及び良好な共振器面が形成された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷｈ１の一主面側に、凹溝４０と交差するとともに、凹溝４０よりも深い第１補助溝４１を分割予定位置Ｘａ上に形成し、凹溝４０よりも浅い第２補助溝４２を分割予定位置Ｘａ上に形成した半導体ウエハＷｈを分割予定位置Ｘａで劈開する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電流の大きさのばらつきを低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面１７ａを有する支持基板１７と、半極性主面１７ａ上に設けられた、窒化ガリウム系半導体からなる活性層２５を含むレーザ構造体１３とを備える。半極性主面１７ａは、六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面であるか、若しくは六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面に対してｃ軸の方向に−０．２度以上０．２度以下の範囲内で傾斜している。レーザ構造体１３は、レーザ共振器の共振端面を構成する一対の割断面２７，２９を有する。一対の割断面２７，２９は、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸と、半極性主面１７ａの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体からなる半導体積層構造を用いて、長波長化を実現した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１およびIII族窒化物半導体積層構造２を含む半導体積層構造を有している。III族窒化物半導体積層構造２は、半極性面を結晶成長面とするIII族窒化物半導体からなり、Ｉｎを含む発光層１０と、発光層１０の一方側に配置されたｐ型ガイド層１７と、発光層１０の他方側に配置されたｎ型ガイド層１５と、ｐ型ガイド層１７の発光層１０とは反対側に配置されたｐ型クラッド層１８と、ｎ型ガイド層１５の発光層１０とは反対側に配置されたｎ型クラッド層１４とを有する。III族窒化物半導体２は、前記結晶成長面へのｃ軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ２と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面２１，２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。導波路ベクトルＬＧＶと投影成分ＶＣＰとの成すズレ角ＡＶは、−０．５度以上＋０．５度以下の範囲にあることができる。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）