【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記ｎ型クラッド層の少なくとも一部に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共ドープされている窒化物系半導体レーザ素子とした。 （もっと読む）

【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域１０８ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第１半導体表面構造体領域１１６Ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。 （もっと読む）

【課題】高出力特性とＦＦＰ特性とを同時に満足し、安定した高出力動作が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１１の上に形成された、第１導電型層１２１、活性層１２２及びストライプ状に延びるリッジ部１２３Ａを有する第２導電型層１２３を含む半導体層積層体１１２と、半導体層積層体１１２の上に形成され、リッジ部１２３Ａの上面を露出する開口部を有する誘電体層１１３と、誘電体層１１３の上に形成され、開口部においてリッジ部１２３Ａの上面と接する電極１１５とを備えている。電極１１５によりリッジ部１２３Ａに加わる圧縮応力は、第１領域１０１において、第２領域１０２よりも大きく、第１領域１０１の長さは、共振器長の２分の１よりも短い。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザアレイにおける各面発光レーザより放出されるレーザ光の放射角を少なくとも略均一とする。
【解決手段】面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬレーザアレイ）は、半導体基板９９上に、第一反射鏡９８と活性層９７および第二反射鏡９３を順次に積層し、第二の反射鏡９３上に電気的に接続された第二電極９２にはレーザ光を取り出す開口部９４を有し、第一反射鏡９８もしくは第二反射鏡９３内部もしくは隣接する部位に電流狭窄層９５を有するメサポスト状に加工されたレーザ素子（面発光レーザ：ＶＣＳＥＬ）を複数、配列してなり、特に、より中心部に位置するレーザ素子の酸化狭窄層９５の形状が、より外側に位置するレーザ素子に対してサイズが大きめに異なり、かつ、レーザ素子の第二電極９２に形成されている開口部９４が、酸化狭窄層９５のサイズに応じて当該レーザ素子により放出されるレーザ光の放射角が一定になるサイズで形成されている。 （もっと読む）

【課題】基本特性および信頼性を保ったまま、水平方向の放射広がり角を容易に小さく変更することができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１と、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２上に形成され、ノンドープＧａＩｎＰウェル層を含む多重量子井戸活性層３と、多重量子井戸活性層３上に形成され、ストライプ状のリッジ部８を有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、リッジ部８が延びる方向に直交するように形成された一対の共振器端面９Ａ，９Ｂとを備える。多重量子井戸活性層３の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分は、ノンドープＧａＩｎＰウェル層が隣接するノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層またはノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層と混晶化した窓部３ａ，３ｂである。また、リッジ部８は共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍を除いた領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】より強いモード安定性及び低閾値電流動作を有するレーザダイオードの提供。
【解決手段】インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造１００は、第１、第２及び第３の面を有し、クラッド構造１２１及びクラッド層１２５並びに前記クラッド構造１２１と前記クラッド層１２５との間に配置された多重量子井戸構造１４５を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在し、電気的接触のために前記リッジ構造１１１の前記第３の面への開口を有する埋め込み層１５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、２次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、該活性層の近傍に設けられた２次元的に周期的な屈折率分布を有する２次元フォトニック結晶と、を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記２次元フォトニック結晶は、面内の２つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記２つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】ｎ型基板１の上に形成されたｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層の上に形成された活性層４と、活性層の上に形成され、光の出射方向に延びる断面凸状のリッジ部６ａと該リッジ部の両側方に位置する平坦部６ｂとを有するｐ型クラッド層６と、両平坦部の上に形成され、ｐ型クラッド層よりも大きい光吸収係数を有する光吸収層９と、光吸収層を含むｐ型クラッド層の上面及びリッジ部の側面に形成された絶縁膜８とを有している。光吸収層は、出射端面側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ１である第１領域と、出射端面と反対側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ２である第２領域とを有し、Ｄｉ１とＤｉ２との関係は、Ｄｉ１＜Ｄｉ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の放射角を小さくすると共に、発振閾値も低減することが可能なＤＦＢ半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ＤＦＢ半導体レーザ１００は、化合物半導体からなるものであり、半導体基板１上に、下部クラッド層２、下部光ガイド層３、半絶縁性の活性層４、上部光ガイド層５、上部第１クラッド層６、光ブロック層（エッチストップ層）７、上部第２クラッド層８、回折格子（層）９、上部第３クラッド層１０、コンタクト層（キャップ層）１１を順次形成したものである。また、上部光ガイド層５と下部光ガイド層３の合計の厚みは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲において、縦モードがマルチモード発振特性及び温度特性を安定に維持し且つ温度特性が良好な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１０１上に、第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成され、活性層１０４に電流を注入するためのリッジストライプ１１１を有する第２のクラッド層１０５と、リッジストライプ１１１の両側に形成され、電流がリッジストライプ１１１に狭窄されるようにするための電流狭窄層１０９とを有する発光部を備える。ここで、電流狭窄層１０９の下面から活性層１０４の上面までの距離ｄ１が所定の範囲の値である。また、電流は、リッジストライプ１１１を通過した後、活性層１０４に到達するまでにリッジストライプ１１１の幅以上に広がっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板において、丘の両端部双方にＳｉＯ₂壁を形成し、丘表面の上面成長部からマイグレーションにより窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子が掘り込み領域内に移動して窒化物半導体薄膜を形成することを抑制することで、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く半導体素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】放射角の小さい照明光を得ることができ、かつ高出力である発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、発光素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃは、所定の方向に複数配列され、複数の発光素子のうちの第１発光素子１００ａは、配列された複数の発光素子の一方の端に位置し、複数の発光素子のうちの第２発光素子１００ｂは、配列された複数の発光素子の他方の端に位置し、複数の発光素子のうちの第３発光素子１００ｃは、第１発光素子と第２発光素子の間に位置し、第１発光素子および第２発光素子の光出射面１５０を含むコア層１１１の少なくとも一部は、第１ガイド層１０６の膜厚が、第３発光素子の第１ガイド層の膜厚よりも厚く、第２ガイド層１１０の膜厚が、第３発光素子の第２ガイド層の膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝や劈開導入溝等の凹部を形成することによって発生するレーザ素子の発振しきい値の変動現象を抑制し、正確な素子分離や劈開をすることができ、かつ、動作特性に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること。
【解決手段】基板１０１上に、窒化物半導体層を結晶成長させて積層形成された、ｎ型層１０５と、活性層１０８と、電子障壁層１０９と、ｐ型層１１２とを有する積層体１０３を備え、前記積層体１０３内に、ストライプ状の光導波路１１５と、前記基板１０１および前記積層体１０３の分離に用いられる凹部１０４とが形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記基板１０１上における前記光導波路１１５の形成位置と、前記基板１０１上における前記凹部１０４の形成位置との間の前記基板１０１上に、前記窒化物半導体層の結晶成長を抑制するマスク部１０２が形成されている。 （もっと読む）

デバイスが提供される。本デバイスは、第１の有機発光デバイスを含み、この有機発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に配置された有機発光層とをさらに含む。本デバイスはまた、第１のレーザデバイスを含み、この第１のレーザデバイスは、光共振器と、この光共振器内に配置された有機レイジング材料をさらに含む。焦点機構が、第１の有機発光デバイスによって放射される光を第１のレーザデバイス上へ集束させるように配置されている。好ましくは、焦点機構は、第１の有機発光デバイスによって放射される光よりも強度が少なくとも１０倍大きな、より好ましくは少なくとも１００倍大きな、第１のレーザデバイスへの入射光を供給する。
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【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板１０１上に形成された第１の半導体レーザ素子１０２と、第１の半導体レーザ素子１０２と発振波長が異なり、第２の半導体レーザ素子１０３とを備える。第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３の共振器長は１５００μｍ以上であり、第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３は、それぞれＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ１Ａｌ_ｘ１）_１−ｙＰ （０＜ｘ１＜１、０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層と、Ｉｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ２Ａｌ_ｘ２）_１−ｙＰ （０＜ｘ２＜１、０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層とを有している。活性層３０３は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ＜１）からなり、１層のみの井戸層を含む。 （もっと読む）

【課題】クラッド層において発生する応力を抑制して、スロープ効率及びキンクレベルを向上し、ＦＦＰに乱れがないようにする。
【解決手段】上部にリッジ構造を有するクラッド層１６を含むストライプ状のリッジ導波路と、少なくともリッジ導波路の側面上に形成され、光に対して透明な第１の電流ブロック層１８と、リッジ部の側面から間隙をおき、クラッド層１６の平坦部の上で且つリッジ部の両側に形成された光吸収性を有する第２の電流ブロック層１９と、第１の電流ブロック層１８及び第２の電流ブロック層１９の上に形成された第３の電流ブロック層２２とを備えている。第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 （もっと読む）

【課題】水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができるリッジ型の光半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層１４、活性層１８、ｐ型ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層２４及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２６が順次形成されている。コンタクト層２６から第２クラッド層２４の途中までエッチングされてリッジ２８が形成されている。第２クラッド層２４のＡｌ組成はコンタクト層２６に向かって増加する。これにより、水平方向のビーム広がり角のばらつきを抑制することができる。 （もっと読む）