【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】反射端面側の電極端部に電流を供給することができ、電極全域の電流ムラを抑制することを可能にする半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子は、出射端面及び反射端面を有する半導体部と、半導体部上に設けられた電極と、を有する半導体レーザ素子であって、平面視において、電極は、出射端面と反射端面との間に設けられた第１領域と、第１領域から半導体部の側面側に延伸する第２領域と、第２領域よりも反射端面側に設けられ第１領域から半導体部の側面側に延伸する第３領域と、を有し、第２領域及び第３領域のそれぞれは、第１領域に連結する連結部及びワイヤを接続するためのワイヤ接続部を有し、第３領域の連結部は、第３領域のワイヤ接続部より反射端面側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】受光素子が半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００は、上面上にワイヤボンド部５１ａ〜５４ａをそれぞれ有するパッド電極５１〜５４が配置されたサブマウント５０と、青紫色半導体レーザ素子２０と、赤色半導体レーザ素子３０と、赤外半導体レーザ素子３５と、ＰＤ６０とを備える。ワイヤボンド部５１ａは、青紫色半導体レーザ素子２０の外側（Ｂ２側）かつＰＤ６０より前方（Ａ１側）に配置され、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０のＢ２側かつワイヤボンド部５１ａより後方（Ａ２側）に配置される。ワイヤボンド部５３ａは、赤外半導体レーザ素子３５の外側（Ｂ１側）かつＰＤ６０より前方（Ａ１側）に配置され、ワイヤボンド部５４ａは、ＰＤ６０のＢ１側かつワイヤボンド部５３ａより後方に配置される。 （もっと読む）

【課題】特性インピーダンスの不整合を抑制することができる発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１は、セラミック層３〜５からなる積層セラミックパッケージ２を備えている。中間セラミック層４には、下部セラミック層３の上面と協働して光デバイスを実装するための凹部１１を形成する開口部１０が設けられている。上部セラミック層５は、パッケージ側壁を構成し、凹部１１を含む領域を取り囲むように設けられている。凹部１１の底面にはサブマウント１４が載置され、このサブマウント１４の上面にはＬＤ１６が実装されている。積層セラミックパッケージ２の上面には、ホルダ２５及びジョイント２８を介して金属スリーブ３１が接合されている。金属スリーブ３１内には、ＬＤ１６と光結合される光ファイバ３３を保持したフェルール３４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】部品点数が削減された、低コスト、低消費電力の光インターコネクションシステムを提供すること。
【解決手段】直接変調により、互いに異なる１．０〜１．２μｍの波長のレーザ信号光を出力する複数の面発光レーザ素子を有する面発光レーザアレイ素子と、受光アレイ素子とを備える複数の半導体集積素子と、前記レーザ信号光を導波するシリコン光導波路と、前記レーザ信号光を前記シリコン光導波路に結合させる光合波器と、前記シリコン光導波路を導波する前記レーザ信号光を前記複数の半導体集積素子のうちの所定の半導体集積素子に結合させる光分波器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＥモードの偏光比の低下を抑制することの可能な光装置およびそれを備えた光機器を提供する。
【解決手段】半導体レーザ２０，４０が溶着層３０を介して重ね合わされて支持基体５０上に配置されている。溶着層３０は、半導体レーザ２０の電極２２と半導体レーザ４０の引出電極４６との間であって、かつ半導体レーザ２０の発光領域２１Ａとの非対向領域に形成されている。これにより、半導体レーザ２０および溶着層３０の温度が半導体レーザ２０の駆動によって上昇し、これらがそれぞれの線膨脹係数に応じて熱膨張した場合に、発光領域２１Ａにおいて、線膨脹係数差による歪の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】大型化するのを抑制し、かつ、複数のレーザ素子部を近づけて配置することが可能な、受光機能が設けられた搭載部材を提供する。
【解決手段】このサブマウント５０（搭載部材）は、電極５２、５３および５４と、電極５２の素子搭載部５２ａ、電極５３の素子搭載部５３ａおよび電極５４の素子搭載部５４ａのＹ２方向に配置されるフォトダイオード５５とを備える。素子搭載部５４ａのＹ方向の長さは、素子搭載部５３ａのＹ方向の長さよりも小さく、電極５３は、素子搭載部５４ａよりもＸ２方向の外側まで延びる配線部５３ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体レーザ素子を有し、かつ複数の半導体レーザ素子の各電極への配線の自由度が高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。赤色半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の上面の一部にはんだ膜Ｈが形成されている。ｐ電極１２の上面においては、２つのはんだ膜Ｈが所定の間隔Ｌをおいて形成されている。これにより、ｐ電極１２の一部が露出している。また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供するとともに、信頼性が高く、小型・軽量の光ピックアップ及び光学装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００では、上面１ａを有するサブマウント１と、上面１ａ上に接合層３を介して接合された青紫色半導体レーザ素子１０と、上面１ａ上に青紫色半導体レーザ素子１０に隣接して接合層５を介して接合された赤色半導体レーザ素子２０とを備え、接合層５の融点は、接合層３の融点より低く、上面１ａからの赤色半導体レーザ素子２０の高さは、上面１ａからの青紫色半導体レーザ素子１０の高さより大きい。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００の製造方法は、表面にｐ側電極１７を有するバー状態の青紫色半導体レーザ素子１０とバー状態の２波長半導体レーザ素子７０とが接合されたバー状態の半導体レーザ素子１００を形成する工程と、青紫色半導体レーザ素子１０の側面１０ａが、２波長半導体レーザ素子７０の側面７０ａが形成される位置からはみ出ると同時に、側面７０ｂが、青紫色半導体レーザ素子１０の側面１０ｂが形成される位置からはみ出るとともに、ｐ側電極１７が、青紫色半導体レーザ素子１０のはみ出し領域５に位置するようにバー状態の半導体レーザ素子１００を分割する工程と、この分割工程の後に、ｐ側電極１７（ワイヤボンド部１７ａ）の部分に、金属線８１をボンディングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面実装が可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、半絶縁性の基板１２と、ｎ型の半導体層１４と、ｎ型の下部多層膜反射鏡１６と、活性層１８と、ｐ型の上部多層膜反射鏡２０と、ｎ側の金属配線２２と、ｐ側の金属配線２４とを有する。基板上にはメサＰが形成され、メサＰから離れた各々の位置に半導体層１４から基板１２の底部に至る貫通孔３０、４０が形成される。ｎ側の金属配線２２は、貫通孔３０を横切るように延在しかつ半導体層１４に絶縁膜２６の開口部を介して電気的に接続され、ｐ側の金属配線２４は、貫通孔４０を横切るように延在しかつメサＰの頂部において上部多層反射鏡２０に電気的に接続される。配線基板５０のバンプ５４Ａ、５４Ｂは、貫通孔３０、４０内にそれぞれ充填され、面発光型半導体レーザと回路基板５０との実装体が得られる。 （もっと読む）

【課題】開口を有する電極が半導体層上に設けられ、その開口に誘電体層が設けられた構造の半導体発光素子において、半導体層と電極の開口側端部との界面近傍の半導体層に歪が生じるのを抑制する。
【解決手段】活性層１０６と、活性層に電流を注入する第１の電極１２１および第２の電極１３１と、活性層と第１の電極との間の半導体層１１５と、半導体層上に設けられ、活性層からの光が通る誘電体層１４１と、を備え、第１の電極は半導体層上に設けられ、共に活性層からの光が通る開口１２５を有し、半導体層と接触して設けられた第１の電極層１２２と、第１の電極層上に設けられた第２の電極層１２３とを備え、第１の電極層は第２の電極層よりも半導体層との反応性が小さく、誘電体層は開口内に設けられ、第１の電極層の開口側端部が、半導体層１１５上から誘電体層１４１上に延在している。 （もっと読む）

【課題】低コスト性および高信頼性を維持しつつ、光デバイスの利用性を拡大しうる実装体を提供する。
【解決手段】実装体Ａは、母基板１の上方に、光デバイス１０をフリップチップ状態で搭載したものである。母基板１の上面には、第１，第１配線パッド５，６が設けられ、母基板１には開口１ａが形成されている。光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。光デバイス１０と母基板１との間に、光透過性樹脂内に鎖状金属粒子３１を分散させたＡＣＦ３０が介在している。ＡＣＦ３０中の鎖状金属粒子３１により、ｐ型電極１５，ｎ型電極１６と、第１，第２配線パッド５，６とがそれぞれ電気的に接続されている。鎖状金属粒子を分散させたＡＣＦ３０は、チップボンディング機能、電気的接続機能に加え、光の通路としても機能する。 （もっと読む）

【課題】短時間に且つ容易に高精度の半導体レーザを実装できるようにする。
【解決手段】まず、複数の半導体レーザチップを構成する半導体レーザバーと一面に絶縁層を有する第一電極とを、バキューム穴を有する固定テーブル上に、第一電極の絶縁層を固定テーブル上に向けた状態で、それぞれ所定の相対位置関係にてバキューム穴から空気を吸引することで固定する。そして、第一電極と半導体レーザバーを導電体の接続材でボンディングすると共に、ボンディングの際に加わる衝撃を利用して半導体レーザバーから半導体レーザチップを分離する。その後、半導体レーザチップを第二電極に固定すると共に第一電極の絶縁層を第二電極に接着する。 （もっと読む）

本発明は、キャリア（５）と、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）と、を備えている放射放出半導体チップ（１）に関する。半導体積層体は、放射を発生させるために設けられている活性領域（２０）と、第１の半導体層（２１）と、第２の半導体層（２２）とを有する。活性領域は、第１の半導体層と第２の半導体層との間に配置されている。第１の半導体層は、キャリアとは反対側の活性領域の面に配置されている。半導体ボディは、活性領域を貫いて延在している少なくとも１つの凹部（２５）を有する。第１の半導体層は、第１の接続層（３１）に導電接続されており、第１の接続層は、凹部の中に第１の半導体層からキャリアの方向に延在している。第１の接続層は、保護ダイオード（４）によって第２の半導体層に電気的に接続されている。さらには、放射放出半導体チップを製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム半導体レーザ装置において、支持基板に実装された半導体チップの各発光部に加わる剪断歪みのビーム間差を抑制し、偏光角のビーム間差を低減する。
【解決手段】レーザチップ１は半田１０を介してサブマウント１３に実装されている。半田１０は、その一部がバリアメタル層１１と接しており、他の一部がメタル層１２と接している。バリアメタル層１１は半田１０に対して濡れ性を有しないので、バリアメタル層１１と半田１０は、互いに接触しているが接合はしていない。一方、メタル層１２と半田１０が接している領域では、メタル層１２が半田１０に対して濡れ性を有しているので、メタル層１２と半田１０は、互いに接合されている。 （もっと読む）