【課題】 煩雑な光学設計が不要であると共に、戻り光ノイズのない、安定した照射ビームを被照射面に照射することの可能な照射装置を提供する。
【解決手段】 角度可変機構２４を用いてレーザビーム５０を被照射面１Ｓに対して斜めに入射させることで、被照射面１Ｓからの戻り光５０Ｒがレーザ発振器１０へ戻るのを回避する。走査方向に応じて照射角度θ（θＡ，θＢ）を調整するようにしたので、被照射面１Ｓに照射されるレーザビーム５０の強度の非対称性が低減され、被照射面１Ｓの全体に亘って一様な照射をおこなうことができる。これにより、煩雑な光学設計を伴うことなく被照射面１Ｓへ安定したレーザビーム５０を照射することができ、被照射面１Ｓのアニール処理が可能となる。 （もっと読む）

電界吸収変調型ファブリーペローレーザ及びその製作方法が開示される。一態様において、光源(10)は、多モードレーザ光を生成するように動作可能なファブリーペロー(FP)レーザ(14)、通過するレーザ光を選択的に吸収及び伝達するように構成された電界吸収型光変調器(EAM)(18)、及び光アイソレータ(16)を含む。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)とEAM(18)との間の光路上にある。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)からEAM(18)までの光路に沿って進むレーザ光を伝達するように構成される。
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本発明は、オプトエレクトロニクスにおいて使用されるレーザ源、特に半導体レーザ・ダイオード（１）からなる供給源の安定化に関する。このようなレーザ源は、光通信の分野におけるファイバ増幅器のためのいわゆるポンプレーザとしてしばしば使われ、エルビウムドープファイバ増幅器は、顕著な例である。このようなレーザは、通常提供された周波数帯の安定性のある電力出力で狭帯域幅光学的放射を提供するように設計されている。本発明は、外部反射器手段を使用しているこのようなレーザ源に関し、好ましくは、きわめて狭い帯域幅を有するきわめて高い相対フィードバックを提供し、約１００モードまたはそれ以上を含むきわめて長い外部空洞およびレーザダイオードのきわめて低い前部面（２）反射率と結合した１つまたはそれ以上の適切に設計されたファイバ・ブラッグ・グレーティング（９）からなる。このことにより、動的温度安定要素を必要とすることなく、その動作においてきわめてレーザ源を安定させる。 （もっと読む）

出射される波長の制限が緩和されたコヒーレント光源を提供することを課題とする。本発明のコヒーレント光源は、第１の光（３）と、第１の光（３）より波長の短い第２の光（４）を同時に出射するコヒーレント光源であり、少なくとも第１の光（３）を出射する光源本体と、第１の光（３）を透過又は反射するミラー（５）と、ミラー（５）の少なくとも一部に設けられた機能性膜（６）と、を備えている。機能性膜（６）は、第２の光（４）により光触媒効果を発現する。 （もっと読む）

光エミッタ（１３０）と、光ファイバ（１０８）が収容されているファイバ・レセプタクル（１２２）とを含む送信機用光学部品（１０４）。光制限素子（１３４）は光エミッタ（１０３）とファイバ・レセプタクル（１２２）との間に位置する。光信号が光エミッタから放射されると、光信号は、光信号がファイバ・レセプタクル（１２２）に達し、光ファイバに受信される前に光制限素子（１３４）を通過する。光制限素子（１３４）は、光制限素子（１３４）に入る光信号のパワーが所定の制限を超えた場合、光信号のパワーが光学的に減衰し、そのため、光制限素子から出射される光信号のパワーが所定の制限以下に維持されるような特性を有する。
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フォトニック結晶の周期的要素（１２）の少数の列を有する少なくとも１つの長手方向のエッジを備えた導波管（１４）が中に形成されているフォトニック結晶構造からなる構成要素（１０）を有し、この導波管（１４）とフォトニック結晶の外側との間に、特に、この導波管（１４）の幅により並びに／もしくはフォトニック結晶要素（１２）の空間的な周期により決定されている結合周波数での結合領域を形成するものとした周波数選択光結合器−光分岐器装置。
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簡潔に言うと、本発明は、複数の半導体レーザダイオードの出力光ビームを合成するシステム、例えば、輝度が増した合成光ビームを形成するシステムに関する。半導体レーザダイオードからの出力光ビームは、ファイバ結合ダイオードアレイを形成する複数の光ファイバに結合される。ファイバ結合ダイオードアレイを形成する光ファイバは、中心コアを有するデュアルクラッド光ファイバに結合される。ファイバ結合ダイオードアレイからの光ファイバからの出力光ビームは、デュアルクラッド光ファイバの内側クラッドに結合される。ストークス種源を中心コアに適用し、内側クラッドのダイオード光がポンプ源として働き、誘導ラマン散乱によりストークスビームを増幅する。それによって、内側クラッドから中心コア内のストークスビームにパワーを移す。本発明による構成により、複数の半導体ダイオードからの出力光ビームを単に合成しただけの既知の技法より輝度レベルが比較的高いストークス出力光ビームが提供され、既知のシステムに求められる比較的精密な位置合わせの必要性がなくなり、レンズにかかるコストが削減される。

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本発明のシステム及び方法は、複数のダイオードバーアセンブリからの放射ビームを合成することで、個々のアセンブリにおける熱分配の必要に対応しつつ、合成された出力ビームの出力濃度を高める。本発明は、照射光を出射平面で合成することで、光度Ｉ_M≒Ｍ×Ｉ_stack及び輝度Ｂ_M≒Ｍ×Ｂ_stack（ただし、Ｉ_stackとＢ_stackとはそれぞれ一つのスタックアレイにおける照射光の出射平面における光度及び輝度を示し、Ｉ_MとＢ_MとはそれぞれＭ層のスタックアレイにおける照射光の合成出射平面における光度及び輝度を示す）を有する、面積Ａ_gの一つの合成ビームを形成することを可能とする。このように、本発明は、高光度、高輝度の光エネルギーを必要とする用途において有用である。
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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）