【課題】 各光半導体装置が完成する前に正常動作するか否かを試験することが可能な、半導体ウェハの試験方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハの試験方法は、複数の発光部と、複数の発光部の前後を挟んで発光部と光結合して設けられ、電気信号の供給によって光を吸収する光吸収部とが設けられた半導体ウェハにおいて、光吸収部に電気信号を供給することによって光吸収状態にせしめるステップと、発光部に発光させるステップと、発光部の発光を検知するステップと、含む。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の結合係数の変化によって素子特性の変動を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光法又はナノインプリンティング法を用いてマスク３１を半導体領域１３上に形成する。マスク３１の第１のパターンは、素子サイズに対応したサイズ値ＬＸで周期的に半導体領域１３の第１のエリア上に設けられる。マスク３１の第２のパターンは、半導体領域１３の第２のエリア上に設けられる。マスク３１を用いて半導体領域１３をエッチングして、第１のパターンに対応する回折格子用の周期構造４２ａ〜４２ｇと第２のパターンに対応するモニタ構造物４４とを形成する。該周期構造４２ａ〜４２ｇの形状のモニタ用のモニタ構造物４４を測定すると共に、測定の結果に基づき周期構造４２ａ〜４２ｇから所望の周期構造を選択して、所望の周期構造を含むストライプメサを形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善可能な半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子を作製する方法は以下の工程を含む。工程Ｓ１０３では、第１〜第ｎのパターン部を含むパターンの配列を有する第１のマスクを用いて半導体領域をエッチングして、第１〜第ｎのパターン部にそれぞれ対応する回折格子用の第１〜第ｎの周期構造を半導体領域の各素子区画に形成する。工程Ｓ１０４では、第１のマスクを除去した後に、半導体領域の第１〜第ｎの周期構造上に活性層を成長する。工程Ｓ１０５では、活性層の利得ピークを見積もるための評価を行う。この評価の結果に基づいて、工程Ｓ１０６では、第１〜第ｎの周期構造から所望の周期構造を決定する。工程Ｓ１０７でマスクを形成した後に、工程Ｓ１０８では、このマスクを用いて所望の周期構造の位置に合わせて電流閉じ込め構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで面発光型半導体レーザ素子をバーンインする方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法は、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるためのストレス電流を印加するステップ（ステップＳ１０４）と、ストレス電流を印加した面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加し、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定するステップ（ステップＳ１０５）と、測定された結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと（ステップＳ１０６）を有する。ストレス電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流（サーマルロールオーバの駆動電流）よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が故障するときの故障電流よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備すること。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層及びＧａＮ層が順次積層された化合物半導体基板１０の検査方法であって、バッファ層及びＧａＮの積層方向における断面を露出させる工程（Ｓ１）と、露出した断面にレーザを照射して、その断面のバッファ層、ＧａＮ層、及びバッファ層とＧａＮ層との界面の３点の応力を評価する工程と（Ｓ２）、縦軸を応力値、横軸を測定位置とした座標面に、３点の応力の応力値を各々プロットし、そのプロットした３点の座標面における位置により、化合物半導体基板１０の良否を判断する工程（Ｓ３）とを行う。 （もっと読む）

【課題】面発光半導体レーザの活性層のＰＬスペクトルを正確に知ることができる面発光半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２５上に、第１のＤＢＲ１３、第１のＤＢＲ１３上に設けられる活性層１５、及び活性層１５上に設けられる第１の半導体スペーサ層１７を含む積層構造を形成する工程と、積層構造を熱処理する工程と、活性層１５のフォトルミネッセンス（ＰＬ）波長を測定し、ＰＬ強度がピークとなる波長が所定の波長範囲に含まれるか否かを判定する工程と、活性層１５のＰＬ強度がピークとなる波長が所定の波長範囲に含まれる場合に、活性層１５へ流れる電流を狭窄するためのトンネル接合領域３５と第２の半導体スペーサ層１９とを第１の半導体スペーサ層１７上に形成する工程と、第２の半導体スペーサ層１９上に第２のＤＢＲ２３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査後にリーク特性を示したり、全く発光しなかったりする問題を改善し、信頼性を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にエピタキシャル成長法により半導体層を積層させることによりｐｎ接合を形成し、しかる後にエッチングやダイシング等によりｐｎ接合を個々の素子に分離させたウエハ１０について電気的光学的特性を検査する工程を含む半導体発光素子６の製造方法において、前記検査の工程において、個々の素子に対して順方向電圧又は順方向電流を印加し電気的光学的特性の測定をする前に、積層させた半導体層により形成されたｐｎ接合と個々の素子のｐｎ接合の面積から推定される降伏電圧よりも大きい逆方向電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】各発光素子からの出射光に影響されずにバーンインできる発光素子ウェハを提供する。
【解決手段】基板（１１）と、基板に形成された複数の発光素子（１２）および共通端子（１３）と、を有する発光素子ウェハ（１）において、複数の発光素子は、少なくとも発光層（１７）を具備し、複数の発光素子は、少なくとも発光層の長軸方向に配列され、かつ、互いに溝（２０）により区画されており、溝の長軸方向の長さが、発光素子からの出射光によって隣接する発光素子に影響を及ぼさない所定値（Ｌ）以上である。 （もっと読む）

【課題】直接接合方法または接着剤を介して貼り合わせたウエーハにできる目視では発見が困難で時間がかかるマイクロボイド等の欠陥を含むチップを、正確にそして短時間で取り除くことができる欠陥検出方法および欠陥検出システムならびに発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】直接接合方法または接着剤を介して貼り合わせた発光素子用ウエーハの欠陥を検出する方法であって、少なくとも、前記貼り合わせたウエーハをウエーハ段階で欠陥を検出する工程と、該ウエーハの欠陥位置にマーキングする工程と、該マーキングしたウエーハをダイシングしてチップに加工する工程と、マーキングされたチップを機械的に検出する工程とを有することを特徴とする欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。また、前記バリア層の少なくとも一つは、組成が厚さ方向で連続的に変化した層であり、量子井戸層５１の歪を緩衝し、かつ量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】発光素子の放射角制御に必要な各エピ層の屈折率を設定した発光素子用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層１０，１２を含む複数層のエピタキシャル層３を積層した発光素子用エピタキシャルウエハ１において、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド１０，１２層の屈折率プロファイルＸを設定したものである。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト抵抗の値や電流狭窄層の絶縁性などの電気特性を直接測定することができる構成を有する半導体レーザを得ること、また、これらの電気特性の評価方法、さらには、このような半導体レーザの製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に、第１導電型クラッド層、活性層、その一部がリッジ構造を形成する第２導電型クラッド層、電流狭窄層が積層された半導体レーザであって、互いに電気的に分離された複数の電極が、前記リッジ構造を横断するように前記電流狭窄層上に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
（もっと読む）

【課題】ウェハ状態でのバーンイン等を効率的に行う半導体素子の通電方法およびそれに用いられる半導体ウェハを提供する。
【解決手段】半導体素子１０を複数含み、半導体素子１０ごとに表裏に電極を有する半導体ウェハ１を、複数枚重ね合わせると共に電気的に直列に接続する。最上層の半導体ウェハ１のｐ側電極１０５と、最下層の半導体ウェハ１のｎ側電極１０６との間に所定の電圧を印加することにより、重ね合わせた方向（縦方向）に直列接続された半導体素子１０に対して、一括して通電を行う。これにより効率的なバーンインがなされる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤドライブ回路の出力波形の劣化を防ぐ。
【解決手段】トランジスタＱ１，Ｑ２からなる差動回路、トランジスタＱ１のコレクタと電源端子ＶＣＣとの間に接続された負荷抵抗Ｒ１、トランジスタＱ２のコレクタと電源端子ＶＣＣの間に接続された負荷抵抗Ｒ２、トランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタと接地端子ＧＮＤとの間に直列接続された電流源トランジスタＱ３よび電流安定化抵抗Ｒ３を備え、トランジスタＱ１，Ｑ２のベースが差動入力端子ＩＮ１，ＩＮ２に接続され、トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタが差動出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２に接続されたＬＤドライブ回路において、電源端子ＶＣＣと接地端子ＧＮＤとの間に、少なくとも１０ｐＦの容量値をもつ電源安定化容量Ｃ１を接続した。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザ部およびダイオード部を含み所望の特性を有する光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光素子の製造方法は，基板の上方に第１ミラーを形成する工程、第１ミラーの上方に活性層を形成する工程、活性層の上方に第２ミラーを形成する工程、第２ミラーの上に半導体層を形成する工程、および、半導体層の上に犠牲層を形成する工程を有する第１多層膜を形成する工程と、第１多層膜に対して反射率検査を行う第１検査工程と、第１多層膜から前記犠牲層を除去して第２多層膜を形成する工程と、第２多層膜に対して反射率検査を行う第２検査工程と、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを有する面発光レーザ部、並びに、半導体層を有するダイオード部が形成されるように第２多層膜をパターニングする工程と、を含み，面発光レーザ部が発する光の設計波長をλとした場合に犠牲層の光学的膜厚はλ／４の奇数倍であるように形成される。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを低下させることなく，化合物半導体ウエハの評価を行うことができる，化合物半導体ウエハの評価方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，半導体基板上方に化合物半導体積層体を有する化合物半導体ウエハの特定部位の周縁部分をエッチングして前記特定部位を柱状に加工し，この柱状の特定部位に一次イオンビームを照射して二次イオンを放出させ，放出された二次イオンの質量分析を行い，前記質量分析の結果に基づいて化合物半導体ウエハの評価を行う工程を含む化合物半導体ウエハの評価方法が提供される。 （もっと読む）