【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

ＥＬＲ材料からなる極めて低い抵抗（「ＥＬＲ」）フィルムの動作特性は、ＥＬＲフィルムの適切な表面上に変性材料を堆積して、変性ＥＬＲフィルムを生成することによって改善することができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲフィルムは、「ｃ−フィルム」の形をとることができる。そのような動作特性は、高温でのＥＬＲ状態での動作、追加の電荷の保持、改善された磁気的性質による動作、改善された機械的性質による動作、またはその他の改善された動作特性を含むことができる。本発明のいくつかの実施態様では、ＥＬＲ材料は、ＹＢＣＯなどであるがこれに限定されない混合原子価酸化銅ペロブスカイトである。本発明のいくつかの実施態様では、変性材料は、クロムなどであるがこれに限定することのない、酸素に容易に結合する伝導性材料である。
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【課題】低損失及び低電圧低下の二相供給系に使用することのできる超伝導ケーブルを備えた装置を設計する。
【解決手段】電気鉄道用の二層配電網における電力供給ケーブルとしての二相超伝導ケーブルＳＫであって、互いに同心状に配置され、内側誘電体２によって隔てられた二相導体１，３を含み、クライオスタットＫＲ内に配置され、該クライオスタットＫＲは、同心状に互いに距離を隔てて伸長し、その間に真空断熱１０を備えた、２本の金属管８，９を含み、該二相超伝導ケーブルの他に、冷媒がその中を通過する空間ＦＲを囲み、外側誘電体４，１１が、該二相超伝導ケーブルの外側の相の導体３を覆って取り付けられた、二相超伝導ケーブルの使用方法。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性及び配向性に優れた基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】冷間加工により所定の厚さに成形したＮｉ―Ｗ合金に９００〜１３００℃の温度で配向化熱処理を施して２軸配向させたテープを製造し、このテープに電解研磨を施して表面平滑性を５nm以下としたテープ状基板１の表面に、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ膜からなる中間層２及びＣｅ―Ｇｄ−Ｏ膜からなる中間層３を順次形成した後、その上に酸化物超電導層４を形成することにより希土類系テープ状酸化物超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを低減することができるとともに超電導線材の機械的強度も向上することができる超電導線材の製造方法およびその方法により得られた超電導線材を含む超電導機器を提供する。
【解決手段】 基板上または基板上に形成された中間層上に超電導層を形成する工程と、超電導層上に銀安定化層を形成する工程と、超電導層および銀安定化層が形成された後の基板を硫酸銅水溶液中に浸漬させる工程と、硫酸銅水溶液をめっき浴として用いた電気めっきにより銀安定化層上に銅安定化層を形成する工程と、を含む、超電導線材の製造方法と、その方法により得られた超電導線材を含む超電導機器である。 （もっと読む）

【課題】 ＲＥ系酸化物超電導線材の優れた輸送特性を損なうことなく、かつ、接合後の酸素アニールなどの処理を不要とし、簡便に、しかも、再現性よく低抵抗の接合部を形成できる接合方法を提供する。
【解決手段】 金属材料で被覆されているＲＥ系酸化物超電導線材と金属材料又は金属材料で被覆されている部材（ＲＥ系酸化物超電導線材を含む）を接合する接合方法において、（ｉ）酸化性雰囲気中にて、（ii）接合部の金属表面を直接重ねた接合面に熱エネルギーを付与するとともに圧力を負荷して接合面を接合する。但し、ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及び、Ｙのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、結晶性の良いa軸（又はb軸）配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 結晶性の良いa軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、初めに(110)面のLaSrAlO4の単結晶基板等を使い、基板上に低い成膜温度T1でa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、次にその成長した膜の上に高い成膜温度T2でホモエピタキシャル成長させる（二温度成長法）。通常、直接基板上に高い温度T2で成膜をするとc軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が成長してしまうが、このように、あらかじめベースにa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜を成長させておくことにより、基板温度を上げて成膜してもc軸配向膜ができることがなく、結晶性が良いa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が作製できる。 （もっと読む）