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Fターム[5H420LL07]の内容

電気的変量の制御(交流、直流、電力等) (13,664) | 故障検出、保護、監視 (155) | 温度補償、熱保護、冷却 (19)

Fターム[5H420LL07]に分類される特許

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【課題】電子素子の熱による破損を防止して、安全性を向上させることができる電力制御装置を提供する。
【解決手段】電力制御装置1は、入力された電力Psを変換して負荷60に供給する電力変換手段11と、出力電圧Voutを制御する制御手段40と、電力変換手段11を構成する電子素子13と、電子素子13の温度を検知する温度検知手段20と、電子素子13の温度Tが制限値TLを超えたとき、過熱状態であると判断する過熱判断手段33と、出力電圧Voutを変更する電圧変更手段31と、電子素子13の温度を比較する温度比較手段32とを備える。電圧変更手段31は、過熱状態であると判断された場合に出力電圧Voutを変更し、電子素子13の温度Tが下降したとき、出力電圧Voutを同じ方向に変更し、電子素子13の温度Tが上昇したとき、出力電圧Voutを反対の方向に変更する。 (もっと読む)


力率改善方法及び装置は、ダイナミックな無効特性を有する負荷に、ビット無効負荷を選択的に接続し、力率をダイナミックに改善する。電源配線系の歪みを低減する方法及び装置は、電力線の歪みを判定し、歪みに応じて補正信号を生成し、補正信号に応じて、電力線に対して選択的に電流を流し出し及び流し込む手段を備える。さらに、太陽光発電システムの電力はその装置を介して負荷に流し込まれる。
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【課題】被保護トランジスタについて不必要な過熱検知を抑えつつ被保護トランジスタを熱破壊から確実に保護する。
【解決手段】ダイオード3の検出温度が保護制御開始温度よりも高くなると、ダイオード3の順方向電圧Vfがしきい値生成回路13のしきい値電圧Vthよりも低くなり、コンパレータ9はLレベルの過熱検出信号を出力し、MOSFET2は電流遮断状態となる。第1のしきい値補正回路14は、MOSFET2に流れる電流ILが大きくなるほどしきい値電圧Vthを高める。第2のしきい値補正回路15は、電源電圧VBが高くなるほどしきい値電圧Vthを高める。第3のしきい値補正回路16は、IC11の周囲環境温度が高くなるほどしきい値電圧Vthを高める。 (もっと読む)


【課題】迅速に最大電力点を精度よく求めて太陽電池からの出力電力を常に最大にすること。
【解決手段】電池パラメータ算出部52aは、電池特性曲線が近似された近似式を確定するために用いられる電池パラメータを、PVパネル1の短絡電流および開放電圧と、開放電圧の温度依存性を示す関係式とを用いて算出し、温度電圧関係式算出部52bは、電池パラメータから確定される近似式から、パネル温度とMPP電圧との関係を示す温度電圧関係式を算出する。そして、MPP電圧算出部52dは、温度電圧関係式記憶部52cが記憶する温度電圧関係式と、温度センサー9から取得した現時点でのPVパネル1のパネル温度とから、現時点でのMPP電圧を算出し、MPP電圧制御部52eは、PVパネル1からの出力電圧が、MPP電圧算出部52dによって算出された現時点でのMPP電圧となるようにコントローラ3を制御する。 (もっと読む)


【課題】トライアックに対するトリガパルス信号の出力タイミングの遅れにより、電気負荷に印加される電圧の波形に歪みが生じることを防止したトライアックの制御装置を提供する。
【解決手段】高電位側の出力部が交流電源7の第1の出力部8bと接続された直流電源20と、直流電源20から供給される電力により作動するマイクロコンピュータ10と、入力側が交流電源7の第2の出力部8aと接続されると共に、出力側がマイクロコンピュータ10の入力ポートPinと接続された位相進み回路30とを備え、マイクロコンピュータ10は、入力ポートPinの入力論理がHighからLowに切り換わった時及びLowからHighに切り換わった時に、スリープモードからアクティブモードに移行して、ゲート駆動回路40にトリガパルス信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】ゼロボルトスイッチング(ZVS)によりスイッチング時の損失を最小限にすることができ、これにより、スイッチング素子の発熱、損失、高調波、ノイズの殆ど無い、電力制御装置を提供する。
【解決手段】商用電源1をブリッジで(DB1)整流し、ローパスフィルタL2、C2に入力し、負荷2に直列に接続したインダクタL1と並列にコンデンサC3を接続した負荷回路の一方を前記ローパスフィルタL2、C2に、他方を並列にダイオードD1を接続しているスイッチング素子Q1に接続する電力制御装置において、前記コンデンサC3、インダクタL1、負荷2からなる前記負荷回路の共振周波数に合わせてスイッチングオフ時間を生成するオフ時間生成手段3を備える。 (もっと読む)


【課題】1.35V程度以下の電源電圧でも、周囲温度に依存しないバンドギャップ電圧を生成する。
【解決手段】回路ブロック1では、NPN12のPN接合の順バイアスで温度に反比例する電圧V1を発生させ、抵抗16に印加して温度に反比例する電流Ibを生成する。回路ブロック2では、NPN22と抵抗23で温度に反比例する電圧と比例する電圧の和の電圧V3を発生させ、NPN29で温度に反比例する電圧V4を発生させる。更に電圧V3,V4を各々電流Ic,Idに変換して減算し、温度に比例した電流Ic−Idを生成する。回路ブロック1の電流Ibと回路ブロック2の電流Ic−Idを回路ブロック3に与えると、回路ブロック3には温度特性が打ち消された電流Ieが流れる。電流Ieは1/2に減少されて抵抗45に供給され、バンドギャップ電圧VBGに変換される。 (もっと読む)


【課題】 CMOSプロセスでは、ポリシリコン抵抗等において通常の抵抗素子とは逆の負の温度特性を有する抵抗素子を形成することがあり、それに応じて定電流回路が温度変化の影響を受け易くなる。
【解決手段】 正の温度特性を有する電流I1を流すトランジスタQ1、抵抗素子R1及びバイポーラトランジスタQ6とは並列に、負の温度特性を有する電流I2を流すトランジスタQ8、抵抗素子R2からなる温度補償回路を設ける。I1とI2との和電流Iに基づいて定電流出力を得ることにより、温度変化の影響の少ない出力が得られる。 (もっと読む)


【課題】 交流電源の周波数が変動しても、本来意図した通りの温度制御をすることができる画像形成装置を供給する。
【解決手段】 電源からの電圧を所定の閾値と比較し、該電圧が前記閾値より大きいときに正の信号を、小さいときに負の信号をゼロクロス信号として出力するゼロクロス検出手段と、前記正及び負の信号のパルス幅を検知するパルス幅検知手段と、記録材に形成された画像を加熱して該記録材に定着される熱定着装置と、前記熱定着装置への電力供給を、波数制御で行う画像形成装置において、前記ゼロクロス信号が負から正に変わる第1タイミングから、正パルス幅に基づいて決定した第1の所定時間経過した第2タイミングと、前記ゼロクロス信号が正から負に変わる第3タイミングから、負パスル幅に基づいて決定した第2の所定時間経過した第4タイミングで、前記熱定着装置に供給する電力の制御を行うことを特徴とする画像形成装置。 (もっと読む)


変動する電源への接続に適合し、かつ電圧安定化によって利益をうる負荷を有する特定の選択された回路に供給する電圧を安定化するための電圧安定化装置。この装置はPWMまたは位相角スイッチオートトランスを有しており、これは充分に小型で軽量なので分離した回路、すなわち負荷が電圧安定化によって利益を得る回路と、利益を得ない回路を有する標準電力消費ユニットに組み込まれる。前者はこの装置によって一定かつ低減された電圧で動作するように制御され、それ故に、装置に接続された電気器具のエネルギー消費の低減と寿命の増加を確かなものにするであろう。オートトランスの動作温度は、過熱が生じた場合にはオートトランスの出力電圧を一時的に増加させることによって制御される。
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【課題】 外部回路やパワーFETを保護することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】 短絡電流Is1が流れ続けると、RC並列回路12が次第に高変換率状態となり、通電時間がt1になったときに、端子電圧Voが閾値電圧Vrを超えてコンパレータ32から異常信号S2が出力される。この異常信号S2を受けて保護用論理回路40のRS−FF66はセット状態となってハイレベルの制御信号S4を出力して、パワーMOSFET15及びセンスMOSFET16に自己復帰不能な遮断動作をさせる。 (もっと読む)


【課題】 高温特性と低温特性とを両立し,良好な電圧精度が得られる温度範囲を拡大した基準電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】 基準電圧出力部1のバンドギャップ電圧生成部10は,NPNトランジスタQ1,Q2,抵抗R1〜R3により,出力電圧VBGを出力するように構成されている。ここにおいて,NPNトランジスタQ1,Q2に対して,NPNトランジスタQ3,Q4をそれぞれ並列に設けた。そしてそれらのエミッタ側にスイッチSW2,SW3を配置した。また,抵抗R4を抵抗R2に対して直列に配置し,スイッチSW1を抵抗R4に対して並列に配置した。さらに,環境温度により出力信号を変更する温度検出回路2を設けた。これにより,低温時にはNPNトランジスタQ3,Q4,抵抗R4が機能せず,高温時のみこれらが機能するようにした。こうして,高温時と低温時とで温度特性を変え,常時ピーク電圧に近い電圧が出力されるようにした。 (もっと読む)


【課題】商用電源の消費電力を節約することができる屋外設置形通信設備を提供する。
【解決手段】商用電源501から直流電圧を得る第1の電源部5と太陽電池601の出力でバッテリ602を充電する第2の電源部6とを設け、ケース1内に収容された通信用の電子機器2を駆動する電源として第2の電源部6を優先的に使用することにより商用電源の消費電力を節約する。寒冷時にケース1内の温度が電子機器の最低動作保証温度を下回ることが事前に予測されたときに、第1の電源部5から電子機器に通電し、第2の電源部6を無負荷状態にすることにより、第2の電源部6ではバッテリ602の充電のみを行なわせる。ケース1内の温度が最低動作保証温度未満になったときにバッテリ602からヒータ4に通電してケース1内の温度を上昇させる。 (もっと読む)


【課題】
交流電源の周波数が変動してもフリッカを有効に抑制することができ、しかも構成が簡単なフリッカ抑制装置およびフリッカ抑制方法を提供する。
【解決手段】
定着装置20のハロゲンランプ21を流れる電流を電流検出回路19により検出し、ハロゲンランプ21の温度を温度検出センサ22により検出し、電流検出回路19の出力に基づき交流AC電源1の周波数および位相を周波数/位相認識部31で認識し、温度検出センサ22の出力および周波数/位相認識部31で認識した周波数および位相に基づきハロゲンランプ21に流れる電流をスイッチングするスイッチング素子10のスイッチングタイミングを定着装置制御部33により部補正する。 (もっと読む)


【課題】基準電圧を発生する基準電圧発生回路及び駆動回路に関し、基準電圧を所望の特性に設定できる基準電圧発生回路及び駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基準電圧を発生する基準電圧発生回路において、周囲温度に対して電圧の変動がない定電圧を発生する第1の電圧発生部(231)と、周囲温度に対して電圧が変動する電圧を発生する第2の電圧発生部(232)と、第1の電圧発生部(231)で発生した定電圧に応じて設定電圧を生成する設定電圧生成部(233)と、設定電圧生成部(233)で生成された設定電圧と第2の電圧発生部(232)で発生した電圧との差電圧を出力する減算部(234)と、第1の電圧発生部(231)で発生した定電圧を基準として減算部(234)の出力電圧を反転して、基準電圧として出力する反転部(235)とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数のセルから構成される二次電池の充放電時に、電池の温度バラツキが拡大することを防ぐ。
【解決手段】温度センサ15a〜15dによって、複数のセルから構成される二次電池1の複数箇所の温度を検出し、検出した温度のうち、最高温度Tmaxおよび最低温度Tminとの間に、Tmin<Tg<Tmax(Tgは、電池内部で発熱反応が生じ始める温度)の関係が所定の判定時間以上継続して成り立つと、充電電力制限値および放電電力制限値の値を小さくする。
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【課題】
MOSトランジスタを線形領域で動作するようにして、抵抗素子を持たない、かつ温度特性の小さな非線形カレントミラー回路や温度特性の小さな基準電流を出力するCMOS基準電流回路、および温度特性の小さな基準電圧を出力するCMOS基準電圧回路の実現を図る。
【解決手段】
カレントミラー回路を構成する第1、第2のMOSトランジスタM1、M2について、第1のMOSトランジスタのドレインと第2のMOSトランジスタのゲートが共通接続され、第1のMOSトランジスタのソースは直接接地され、ゲートとドレインは第3のMOSトランジスタM3を介して接続され、第3のMOSトランジスタのソースは第1のMOSトランジスタのドレインと接続され、ドレインは第1のMOSトランジスタのゲートと接続され、ゲートはバイアスされており、第2のMOSトランジスタのソースは直接接地され、第3のMOSトランジスタのドレインに電流が入力され、第2のMOSトランジスタM2のドレイン電流は、カスコードカレントミラー回路(M7、M8、M10〜M13)で折り返えされ、MOSトランジスタM13のソースから電流IOUTが出力され、該電流を受ける回路(M13、M14)にて電圧に変換し、MOSトランジスタM13、M14のソースとドレインの接続点より基準電圧VREFが出力される。 (もっと読む)


【課題】 製造プロセスの変動や温度変動に対する変動を低減させて高精度の複数の定電流を生成しバイアス電流として供給することができる定電流回路及びその定電流回路を使用したシステム電源装置を得る。
【解決手段】 PMOSトランジスタM1及びM2から流れる各電流i1及びi2の一方の電流の変動に対して負帰還がかけられてその変動を打ち消すように、演算増幅回路AMPがPMOSトランジスタM1及びM2の動作制御を行い、PMOSトランジスタM1及びM2から対応して電流が供給される2つのpnpトランジスタQ1及びQ2に流れる電流密度の差によって生じる電位差に接続した抵抗R1に流れる定電流を基準電流とし、演算増幅回路AMPによって動作制御されたPMOSトランジスタMA1〜MAnで該基準電流に比例した各電流をそれぞれ生成して出力するようにした。 (もっと読む)


【課題】 光起電力素子と一体化して屋外で使用される電力変換装置の回路基板において、直流電圧が印加される導体間に湿気又は水分が付着してイオンマイグレーションが起こり、導体間に短絡箇所を形成する可能性が高い。短絡箇所が形成されると、電力変換装置の電力変換効率が低下するため太陽光発電システムの出力低下をまねく。したがって、何らかの対策を施す必要がある。
【解決手段】 光起電力素子と一体化され使用される電力変換装置であって、絶縁基板上に導体パターンが形成され、且つ、前記導体パターン上に複数の素子が配された回路基板を少なくとも有し、前記導体パターンには導体間に直流電圧が印加される部分が少なくとも1箇所存在し、直流電圧印加部の中で電界強度が最大となる高電界部の近傍に発熱素子を配する。 (もっと読む)


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