【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきの影響を受けずに高精度な基準電圧を発生する回路を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体接合に異なる電流密度の電流を流す手段と、その差電圧に比例する電圧を複数の容量の並列接続に充電する手段と、次にかかる容量を直列接続につなぎ変えて電圧を発生する手段と、必要に応じ、半導体接合の電圧を複数の容量の直列接続に充電する手段と、次にかかる容量を並列接続につなぎ変えて、半導体接合の電圧に比例する電圧を発生させる手段と、かかる電圧と上記電圧を加算する手段を有する。上記差電圧として、複数の半導体接合もしくは複数の定電流源を有し、第一の個数並列接続したときの電圧を充電する手段と、第二の個数並列接続したときの電圧との差とし、必要に応じ第一もしくは第二の個数選択の際に複数の組み合せを順次選択する。 （もっと読む）

【課題】使用環境などに依存する参照電流の変動分を製品出荷前に補正する。
【解決手段】オペアンプＰ１において、帰還電圧Ｖｆｂ１と参照電圧Ｖｒｅｆとの差分に応じた出力電圧ＤＲＰＥＢ１を生成してＰチャンネル電界効果トランジスタＭＡのゲートに印加し、Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭＡに流れるドレイン電流を基準電流Ｉｓｄ１として抵抗Ｒ０〜Ｒ７の直列回路に流入させ、スイッチＳにて抵抗Ｒ０〜Ｒ７の各端点のいずれかが選択させることで、分圧電圧Ｖｔｒｍ０〜Ｖｔｒｍ７のいずれかを基準準圧ＶｂｉａｓとしてリファレンストランジスタＭＦのゲートに印加させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上に半導体装置を形成した後、その内部回路の遅延量を制御可能とする。
【解決手段】内部電源回路１１は、内部電源配線３０Ａを介して半導体装置１０の内部回路１２に電源電圧ＶＡを供給する内部電源回路であって、それぞれ互いに異なる温度依存性を有する複数のリファレンス電位ＶＡＲＥＦを生成可能に構成されたリファレンス電位発生回路１６と、リファレンス電位発生回路１６により生成されたリファレンス電位ＶＡＲＥＦを基準として電源電圧ＶＡを生成する内部電源発生回路１５Ａと、リファレンス電位発生回路１６に生成させるリファレンス電位ＶＡＲＥＦを選択する制御回路１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】定電流発生回路のミラーされる側の電流を調整する。
【解決手段】定電流発生回路７０には、電流源１、制御回路２、ＬＰＦ３、スイッチＳＷ１乃至ｎ、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１乃至ｎ、及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴＲ１乃至ｍが設けられる。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１とＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴＲ１乃至ｍ、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ２とＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴＲ１乃至ｍ、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴｎとＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴＲ１乃至ｍは、それぞれミラー比の異なるカレントミラー回路を構成する。制御回路は、スイッチＳＷ１乃至ｎのいずれか１つをオンさせて、ミラーされる側の出力電流Ｉｏｕtの値を調整する。 （もっと読む）

【課題】導体の接続形態に係る回路構成の自由度を高めた階段電圧生成回路を提供する。
【解決手段】Ｎ−１個の導体系Ｄ_１〜Ｄ_４と、直流電源電位の導体Ｄ_５と、回路グランド電位の導体Ｄ_０とを有し、Ｎ−１個の導体系からＮ−１個の端子を取り出し、当該Ｎ−１個の端子の各々と出力端子との間と、直流電源電位の導体Ｄ_５と出力端子との間と、回路グランド電位の導体Ｄ_０と出力端子との間とをスイッチ素子Ｔ_０〜Ｔ_５でそれぞれ接続すると共に、負荷容量Ｃ_Ｌを出力端子に接続し、回路グランド電位の導体に接続されたスイッチ素子をオンＴ_０にし、次に、Ｎ−１個の端子に接続されたＮ−１個のスイッチ素子Ｔ_１〜Ｔ_４をあらかじめ定めた任意の順番で順次オンにし、直流電源に接続されたスイッチ素子Ｔ_５をオンに制御した後に、逆の順番で各スイッチ素子を順次オンに制御することを繰り返えす階段電圧生成回路。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路を用いて電流を検出して、負荷の動作状態を制御する負荷制御装置において、電流検出用トランジスタに故障が生じたとしても、必要以上に大きな電流が負荷に流れることの防止。
【解決手段】出力選択回路３５では、第一検出電圧Ｖ₁₁と、第二検出電圧Ｖ₂₁とのうち、値の大きなものを特定電圧Ｖ_maxとして、制御器４５及び駆動停止部５０へと出力し、制御器４５が、特定電圧Ｖ_maxを目標値に一致させるように、制御信号を出力して、モータ１１の動作状態を制御する。この時、第一検出用トランジスタ２１Ａ、第二検出用トランジスタ２１Ｂのいずれか一方が、ミラー比によって規定される電流よりも小さい電流しか流れなくなるように故障した場合、他方の故障していない検出用トランジスタが流す検出用電流（Ｉ₁₁もしくはＩ₂₁）に応じた検出電圧（Ｖ₁₁もしくはＶ₂₁）に従って、フィードバック制御を実行する。 （もっと読む）

【課題】電力需給のひっ迫状態を効果的に緩和できる電力供給制御システムを提供する。
【解決手段】本発明の電力供給制御システムは、エリア電力供給装置３に備えられた給電統括管理サーバ５が、外部のデータネットワーク６を介して多数台の電気機器９それぞれの動作状態の情報を収集し、給電可能容量と動作中の多数台の電気機器それぞれの通常動作時の消費電力の総量を当該エリア電力供給装置の供給可能な供給電力量と比較して電力需給のひっ迫の有無を判定し、電力需給がひっ迫している場合にはデータネットワークに対して動作中の多数台の電気機器それぞれに対してそれらを識別するＩＰｖ６のＩＰアドレスと節電モードへの動作モード変更指令を送信し、他方、多数台の電気機器それぞれは電力コントローラ１１がデータネットワークを通じて給電統括管理サーバから自機アドレス宛に動作モード変更指令を受けると電気機器を節電モードへ変更する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの変動があったとしても、ヒューズトリミングを用いてミラーされた出力電流量を微調整することで精度の良いカレントミラー比が得られるカレントミラー回路の構成を提供する
【解決手段】 ミラー比１：１００のカレントミラー回路において第２のＭＯＳトランジスタのゲート幅を第１のＭＯＳトランジスタの９０倍で構成し、第１のＭＯＳトランジスタの２０倍分を細かく分割して第３のＭＯＳトランジスタ群として第２のＭＯＳトランジスタに並列に接続し、第３のＭＯＳトランジスタ群に直列にトリミング工程にて切断可能なヒューズを接続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】総線量の電離放射線又はバイアス効果によって引き起こされるデバイス特性の変化は望ましくない。
【解決手段】総線量の電離放射線及び／又はバイアスによる劣化によって引き起こされる欠陥の影響を受けやすいデバイスの動作寿命を延ばすシステム及び方法が記載される。そのデバイスは少なくとも一度だけ複製され、１つのデバイスだけが正常に動作しているように、少なくとも１つのスイッチング機構を用いて、それらのデバイス間で反復して用いられる。第１のデバイスが正常に動作しているとき、他のデバイスはバイアスをかけられる。そのバイアス条件は、総線量の電離放射線又はバイアス効果に起因して生じるデバイス変化を、遅くするか、解消するか、又はさらには逆に変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】発生させる基準電圧の電圧レベルが高くなった場合でも、基準電圧を所定の許容範囲内に調整することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】モード切替回路１２より、発生させる基準電圧に応じて当該基準電圧の電圧レベルが高くなるほど電流値の大きな供給電流を供給し、調整回路１４により、供給電流の通電経路における所定位置の電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとして出力すると共に、当該通電経路の抵抗値を変更することにより出力される基準電圧の電圧レベルを調整しており、基準電流制御回路１６により、発生させる基準電圧の電圧レベルが高い場合に通電経路に通電される供給電流の一部を分岐させる。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの縮小、素子数増加、素子相対バラツキによるオフセット増加をさせずに、グリッチの軽減が可能な電流グリッチ低減回路を提供する。
【解決手段】入力トランジスタＭ１と出力トランジスタＭ２とを有するカレントミラー回路において、入力トランジスタＭ１の制御電極と出力トランジスタＭ２の制御電極との間に、電流経路をなすようにスイッチングトランジスタＭ３を直列に接続する。さらに、一方の端子が出力トランジスタＭ２の制御電極の間に接続され、もう一方の端子が接地された容量Ｃ１を設ける。そして、スイッチングトランジスタＭ３の制御電極に二値制御信号を入力して、オンオフを制御する。 （もっと読む）

【課題】 オープン・ドレイン方式の出力部とそれに対応するバイアス調整回路を備えたアナログＬＳＩと、その調整方法を提供する。
【解決手段】 アナログ回路１２の出力側の内部ノードＮには、オープン・ドレイン方式の出力部であるＰＭＯＳ１９のゲートが接続されると共に、ヒューズ３２_ｉの切断数に応じてバイアス電流を調整できるバイアス調整回路３０が接続されている。予め、閾値電圧を変えて試作した複数のアナログＬＳＩ１０_ｊに用いて、入力端子１１に一定電流Ｉｃを流したときの電圧Ｖ_ｊと、このアナログＬＳＩ１０_ｊの出力部に最適なバイアス電流を流すためのヒューズ切断数との関係を調べておく。調整対象のアナログＬＳＩ１０の入力端子１１に一定電流Ｉｃを流して電圧Ｖｘを測定し、この電圧Ｖｘに対応するヒューズ切断数を求め、バイアス調整回路３０内のヒューズ３２_ｉを切断する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の立ち上がり時間を正確に設定することも随意に変更することも困難であった。
【解決手段】カレントミラー回路(ＣＭ１)より供給される電流(ｉ)で容量(Ｃ１)を充電し、その充電電圧を出力する基準電圧制御回路において、前記カレントミラー回路（CM１）より出力される供給電流（I）を外部からの制御信号により変更可能として、当該基準電圧制御回路が出力する基準電圧の立ち上がりを制御する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタに特性のバラツキがあっても定電流Ｉの値にバラツキがないようにすると共に消費電力を改善することを目的とする。
【解決手段】 リファレンス側及びミラー側より成る複数のカレントミラー回路と、この複数のカレントミラー回路の夫々のミラー側に設けた電流保持用容量２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、この複数のカレントミラー回路を一定の周期で順次選択する順次選択手段２３，２４ａ，２４ｂ，２４ｃと、この複数のカレントミラー回路の夫々のリファレンス側及びミラー側とを接続する第１のスイッチ手段２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、この複数のカレントミラー回路の選択の周期に合わせてミラー側の電流が一定になるように定電流発生部５，７，８のリファレンス電圧を切り換えるリファレンス電圧切換手段２３，２５，２６と、この定電流発生部５，７，８をこの選択の周期に合わせて、この複数のカレントミラー回路のリファレンス側に接続する第２のスイッチ手段２０ａ，２０ｂ，２０ｃとを有するものである。 （もっと読む）

本発明は、電圧制御方法および電圧制御システム（１１）に関する。この電圧制御方法および電圧制御システム（１１）によって、電圧制御システム（１１）の入力部（１７）に印加される第１電圧（ＶＤＤ）を、第２電圧（ＶＩＮＴ）に変換する。第２電圧（ＶＩＮＴ）は、第１電圧（ＶＤＤ）からほぼ一定の電圧（ＶＢＧＲ）を生成するため、または、そのＶＢＧＲから派生した電圧を生成するための、第１装置（１２、１３）によって、電圧制御システム（１１）の出力部（１９ｃ）に出力される。この場合、第１電圧（ＶＤＤ）からさらなる電圧（ＶＴＲＡＣＫ）を生成するために、または、そのＶＴＲＡＣＫから派生した電圧を生成するために、特に、第１装置（１２）によって生成される電圧（ＶＢＧＲ）よりも大きい電圧（ＶＴＲＡＣＫ）を得るために、装置（３４、３３）がさらに備えられている。
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