【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路１２３、１２４のそれぞれから分岐部１３１、１４１で分岐させ合流部１３２、１４２で合流させた分岐線路１３０、１４０を設けている。分岐線路１４０の電気長Ｌ２と分岐部１４１から合流部１４２までのバイアス線路１２４の電気長Ｌ１との差（Ｌ２−Ｌ１）が、不要な高周波信号の実効的な波長λｇの１／２またはその奇数倍に略等しくなるように電気長Ｌ１、Ｌ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の動作周波数でインピーダンスが低くなるが、同じ周波数ではインピーダンスが同様であるコンデンサより小さなチップ面積を使うバイパス回路を提供する。
【解決手段】バイアス接続用のバイパス回路は、コイルと直列のコンデンサを備え、その直列結合がバイアス導体とアースの間に接続される。この直列結合により、動作周波数での反射減衰量が低くなる。他の周波数で損失を与えるために、バイパス回路内にデキューイング回路１８を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】高周波伝送線路の遮断周波数を従来構造のものより高くして、広帯域に亘って挿入損失を低減した高周波伝送線路およびアンテナ装置を構成する。
【解決手段】高周波伝送線路１０１の第１端ＦＰにアンテナが接続され、第２端ＳＰにコネクタが接続される。マイクロストリップラインＭＳＬの特性インピーダンスＺｂ１はストリップラインＳＬ１，ＳＬ２の特性インピーダンスより高く、コプレーナラインＣＰＬの特性インピーダンスＺｂ２はストリップラインＳＬ２の特性インピーダンスより高いので、或る周波数でマイクロストリップラインＭＳＬの位置およびコプレーナラインＣＰＬの位置が電圧最大（電圧強度分布の腹）となるような定在波が生じる。すなわち、３／４波長共振が基本波（最低次の高調波）モードとなる。したがって、高周波伝送線路の遮断周波数が高く、広帯域に亘って信号の挿入損失は低く抑えられる。 （もっと読む）

【課題】高利得の増幅器の発振を防止することができるようにする。
【解決手段】キャビティ２，３の外側に配置されており、一方の端子が増幅器５のバイアス端子５ｃと接続され、他方の端子６ａが増幅器４の入力端子４ａと同じ側に配置されているローパスフィルタ６と、パッケージ１の接地面１ｂと接続されている状態で、パッケージ１及びローパスフィルタ６の周囲を覆っている導電性ケース７と、パッケージ１の上面１ａに配置され、パッケージ１の接地面１ｂと電気的に接続されている導電性のキャップ８と、導電性ケース７の上面７ａと導電性のキャップ８を接続している導電性の弾性体９とを備える。 （もっと読む）

【課題】共振周波数が使用周波数から十分離れたバイアス線路を容易に形成することができる高周波回路基板を提供する。
【解決手段】高周波回路基板１００では、ブラインドビアホール１０６、１０７を用いてバイアス線路１１を高周波回路１０に電気的に接続するようにすることにより、共振が発生する可能性がある経路を、ブラインドビアホール１０６、１０７の端部１０６ａ、１０７ａとバイアス線路１１を結ぶバイアスラインのみに限定することができる。端部１０６ａから１０７ａまでの経路長を調整することで、使用周波数近傍で共振が発生するのを防止することが可能となる （もっと読む）

【課題】低誘電率の絶縁体基板を用いることで横方向の指向性を改善し、高効率かつ高出力に、基板に対して横方向に発振する発振素子を提供する。
【解決手段】絶縁体基板１０上に配置された第１の電極４（４ａ）と、第１の電極４ａ上に配置された絶縁層３と、絶縁体基板上に配置された層間絶縁膜９と、層間絶縁膜上に配置され、かつ第１の電極４ａに対して絶縁層３を介して第１の電極４に対向して配置された第２の電極２と、第２の電極２上に配置された半導体層９１ａと、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、絶縁体基板１０上に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、絶縁体基板上に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、絶縁体基板１０上に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器を有するマイクロ波受信機において、小形な保護回路で、大電力のマイクロ波信号が入力されたときの後段増幅器の破壊・劣化を防ぐとともに、前段増幅器への反射電力を抑圧する。
【解決手段】この発明のマイクロ波受信機の前段増幅器の出力端と後段増幅器の入力端の間に挿入接続される保護回路は、その入力端子から出力端子へ至る使用周波数で約４分の１波長の伝送線路と、前記入力端子に一端が接続された第１の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にカソード端子が接続されアノード端子が接地されたダイオードと、前記バイアス端子と前記ダイオードのカソード端子間に接続された第２の抵抗と、前記ダイオードのカソード端子と前記ゲートバイアス回路間に接続された第３の抵抗と、から構成した。 （もっと読む）

【課題】高調波信号を抑制し、且つ、通過信号である基本波信号の減衰量を低減させる。
【解決手段】フィルタ２００は、基本波信号ｆ０及び基本波信号ｆ０の高調波信号群２ｆ０、３ｆ０、４ｆ０、５ｆ０、６ｆ０が入力される入力端子２１０と、入力端子２１０に入力された基本波信号ｆ０を出力する出力端子２２０と、入力端子２１０と出力端子２２０とを接続する伝送線路２３０と、高調波信号群２ｆ０〜６ｆ０のうちの奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０に対応して設けられ、伝送線路２３０に接続し、対応する奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０の波長の１／４の長さを備えたオープンスタブ２４３、２４５と、伝送線路２３０に接続し、基本波信号ｆ０の波長の１／４の長さを備えた第１のショートスタブ２５１と、伝送線路２３０に接続した第２のショートスタブ２５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
従来のＳＳＰＡの出力回路と入力回路の整合方法では、期待した特性が得られなかった場合、ＦＥＴ１の出力とＦＥＴ２の入力に接続されているマイクロストリップラインの線路長および線路幅を変化させて整合させる変更が必要であった。この方法では整合のため、PCB外形、筐体外形の変更が必要になり、大幅なコストアップが発生した。
【解決手段】
期待した特性が得られなかった場合、ＦＥＴの入出力に接続されている共振電極の線路長を変えることで特性改善ができ、筐体の変更は必要でなく、試作費用を削減できる。また、共振電極の線路長を設計値より少し長めにしておき、トリミングすることにより簡単に希望する特性にすることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波多層基板において、制御配線や電源配線上を高周波信号が伝播し続けることを防止して、制御配線や電源配線から高周波回路への干渉を防止できる高周波多層基板の干渉防止回路を得ること。
【解決手段】制御配線もしくは電源配線３上の第１の分岐点Ｃと該第１の分岐点を挟んで配線方向の両側に設けた第２および第３の分岐点Ａ，Ｂとの間の各線路７ａ，７ｂの長さを高周波回路２が発生する高周波信号の基本波の１／４波長とし、第１の分岐点に、線路長が高周波信号の基本波の１／４波長のオープンスタブ８を接続し、第２および第３の分岐点Ａ，Ｂのそれぞれに、抵抗素子５ａ，５ｂの一端を接続するとともに、前記抵抗素子の他端を前記高周波信号に対して接地状態にする手段（６ａ，６ｂ）を設けた。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード（ＲＦＩＮ）と、キャリア信号を出力する出力ノード（ＲＦＯＵＴ）と、前記入力ノード及び第１のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第１のインピーダンス変換素子（２０１）と、前記第１のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第２のインピーダンス変換素子（２０２）と、前記第１のノード及び第２のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第３のインピーダンス変換素子（２０３）と、前記第２のノードに接続される直流電源電圧ノード（２０４）と、前記第２のノードを交流接地状態にする接地回路（２０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 20ＧＨｚ以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。
【解決手段】 誘電体基板１の一方主面上の信号線路導体２と、信号線路導体２の両側に配置された第１の接地導体３と、誘電体基板１の内部に配置され第１の接地導体３と接続された第２の接地導体３ａと、信号線路導体２の一端と第１の接地導体３とを接続する第１の抵抗体４と、一方主面上に配置されたバイアス端子電極５と、第２の接地導体３ａと他方主面との間の誘電体基板１の内部に配置された、一端が信号線路導体２の一端に、他端がバイアス端子電極５に接続され、両端間の少なくとも一部が第２の抵抗体３ａからなるバイアス導体６とを具備する配線基板７である。信号線路導体２とバイアス導体６との電磁結合が小さく、電磁結合しても減衰して信号線路導体２への反射が小さいので良好な終端特性となる。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡って信号を伝達することができる伝送線路基板を得る。
【解決手段】誘電体基板１０の上面に、信号線路１２、第１の接地導体１４及び第２の接地導体１６が形成されている。第１，第２の接地導体１４，１６は、信号線路１２と電界結合している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６は互いに電位が異なる。重なった第１の接地導体１４の一部と第２の接地導体１６の一部との間に誘電体膜１８が形成されている。この重なった第１の接地導体１４の一部、誘電体膜１８、及び第２の接地導体１６の一部は、ＭＩＭキャパシタを構成している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、誘電体膜１８とは並列にチップコンデンサ２０が接続されている。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、チップコンデンサ２０と直列に抵抗２２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 20ＧＨｚ以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。
【解決手段】 誘電体基板１と、誘電体基板１の一方主面上に配置された信号線路導体２と、信号線路導体２の両側に間隔を設けて配置された接地導体３と、信号線路導体２の一端と接地導体３とを接続する第１の抵抗体４と、誘電体基板１の一方主面上に接地導体３と絶縁されて配置されたバイアス端子電極５と、誘電体基板１の他方主面上に配置された、一端が前記信号線路導体２の一端に、および他端がバイアス端子電極５にそれぞれ貫通導体６ｃを介して接続されており、両端間の少なくとも一部が第２の抵抗体６ａからなるバイアス導体６とを具備している配線基板７である。信号線路導体２とバイアス導体６との電磁結合が小さく、電磁結合しても減衰して信号線路導体２への反射が小さいので良好な終端特性となる。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって安定化を図ることができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】所定周波数の基本波に対して１／２波長の長さを有する主信号線路１と、主信号線路１の一端に接続され、基本波に対して１／４波長の長さを有する第１信号線路２と、第１信号線路２の反主信号線路１側に一端が接続され、他端が接地された第１キャパシタ３と、第１信号線路２と第１キャパシタ３との間に設けられた第１バイアス端子４と、主信号線路１の他端に接続され、基本波に対して１／４波長の長さを有する第２信号線路５と、第２信号線路５の反主信号線路１側に一端が接続され、他端が接地された第２キャパシタ６と、第２信号線路５と第２キャパシタ６との間に設けられた第２バイアス端子７とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】１[GHz]を超える帯域まで非常に低いインピーダンス値と非常に小さい透過係数値を有する、コンデンサでは実現出来ない、理想電源の機能を実現する。
【解決手段】インピーダンス損失線路部品は、対向して配置される誘電体酸化被膜を有する陽極箔と陰極箔と、前記陽極箔と前記陰極箔との間にセパレータを介して含浸されて形成されるモノマー又はモノマー溶液を酸化剤で重合してなる導電性ポリマーからなる固体電解質層とによって平行板線路として形成され、前記陽極箔の長さ方向の両端部と前記陰極箔の長さ方向の両端部に陽極端子３２および陰極端子３０が装着され、少なくとも端子部を残して全体が外装樹脂２８で封止されて形成され、前記陽極箔が陽極端子３２を介して電源線路の陽極配線に直列に挿入され、前記陰極箔が陰極端子３０を介して電源線路の陰極配線に並列に接続される。 （もっと読む）

【課題】同調周波数などのアンテナ特性バラツキを小さくする周波数補正回路付き同調型アンテナモジュールを提供する。
【解決手段】アンテナ素子２に可変容量手段３を接続し、その可変容量手段３の容量を周波数制御電源６の制御電圧で変化させ、アンテナ素子２で受信する電波の周波数に応じて同調周波数を変化させる同調型アンテナモジュール１において、周波数制御電源６と可変容量手段３間に、制御電圧を分圧する抵抗からなる分圧回路７を接続し、その分圧回路７で同調周波数を補正するものである。 （もっと読む）

【課題】広い周波数帯に渡って、挿入損失特性が良好で電流許容量の大きなバイアス回路を具えた高周波回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁体で構成される基板１１と、前記基板１１上の主面上又は前記基板１１内の少なくとも一方に形成された、高周波の電気信号を伝送するための金属導体部１２と、前記基板１１の裏面上及び前記基板１１内の少なくとも一方に形成された電源層１３と、前記金属導体部１２内を伝送する前記電気信号に対して直流のバイアス電圧を重畳するためのバイアス回路１４とを具備し、前記基板１１は前記バイアス回路１４のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整機構を有するようにして高周波回路基板１０を構成する。 （もっと読む）