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Fターム[5J039AB01]の内容

パルスの操作 (9,993) | エッジ(トランジェント)の検出 (82) | 遅延出力との論理操作 (33)

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【課題】電力消費量の増大を抑制しつつ、タイミング信号のスキューを低減する。
【解決手段】第1のクロック分配回路は、タイミング信号を複数の第1の分配点に分配する。第2のクロック分配回路は、タイミング信号を複数の第2の分配点に分配する。最小遅延クロック信号出力部は、複数の第1の分配点のいずれかに分配されたタイミング信号と複数の第2の分配点のいずれかに分配されたタイミング信号とのうち遅延が小さい方の信号を最小遅延タイミング信号として出力する。同期動作回路は、最小遅延タイミング信号に同期して動作する。 (もっと読む)


【課題】高精度で回路面積および消費電力が小さいデジタル位相差検出器を提供する。
【解決手段】デジタル位相差検出器は、第1の信号を累積的に遅延させて各遅延量の信号を生成する遅延回路(10)と、第2の信号に同期して各遅延量の信号をラッチするフリップフロップ群(20)と、フリップフロップ群の出力から、第1の信号の立ち上がりと第2の信号の立ち上がりおよび立ち下がりのいずれか一方との第1の位相差、および第1の信号の立ち下がりと第2の信号の立ち上がりおよび立ち下がりのいずれか一方との第2の位相差を検出するエッジ検出器(30)と、第1および第2の位相差を記憶する記憶回路(40)と、記憶回路が記憶している過去の第1および第2の位相差の差分およびエッジ検出器が新たに検出した第1および第2の位相差の差分から第1の信号の周期を算出し、当該周期を基準にして第1および第2の信号の位相差を正規化する正規化回路(50)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】TDCに関する冗長構成を削減可能なDCOを提供する。
【解決手段】DCOは、デジタル制御信号によって遅延量が制御される3以上の奇数個の単相インバータ101〜105を環状に接続したリングオシレータと、単相インバータの各々の出力信号をバッファリングし、第1の差動信号として夫々出力する奇数個のバッファ111〜115と、基準信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジにおける第1の差動信号の値を保持して第2の差動信号として夫々出力する奇数個のフリップフロップ121〜125と、奇数個のフリップフロップから出力される奇数組の第2の差動信号を入力し、奇数組の第2の差動信号を位相の進み順に配列したときの、連続する高レベル値または連続する低レベル値の末尾を示す情報を出力するエッジ検出器130とを具備する。 (もっと読む)


【課題】高速なクロックを必要とせずに、時間分解能を向上させたデジタルPWM制御を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数段の第1遅延素子を有し、これら第1遅延素子に印加される制御電圧に応じて発振周波数が制御される電圧制御型クロック発生回路と、直列に接続された複数段の第2遅延素子を有する遅延回路と、複数段の第2遅延素子がそれぞれ出力するパルス信号の中から1つを選択する選択回路と、を備え、第1遅延素子と第2遅延素子とは同じ半導体基板に形成された同じ構成の遅延素子であり、第2遅延素子の遅延量は制御電圧に応じて調整される。 (もっと読む)


【課題】 LED回路を精度良く時差駆動できるように、デューティー比を維持して入力パルス信号を一定の遅延時間で正確に遅延可能なパルス信号遅延回路を提供する。
【解決手段】 入力パルス信号Sinの立ち上がりエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第1エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第1遅延タイミング信号Sdt1を生成する第1パルスエッジ遅延回路10、入力パルス信号Sinの立下りエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第2エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第2遅延タイミング信号Sdt2を生成する第2パルスエッジ遅延回路20、第1及び第2遅延タイミング信号から、夫々同じ回数遅延した第1及び第2エッジ検出遅延タイミングで立ち上がり、立ち下がる遅延パルス信号を各別に出力する遅延パルス信号生成回路30を備える。 (もっと読む)


【課題】遅延セルの直列接続段数を大幅に削減すること。
【解決手段】入力信号の立上りのエッジ信号を複数段直列接続の遅延セル16Aの初段に入力し、4段目の遅延セル16Aが反応した後に終段と初段の遅延セル16Aを接続しループ接続し、立上りエッジをカウンタ18Aで所定回数カウントしたときカウンタ18Aからパルスを出力させ、パルスを複数段直列接続の遅延セル19Aの所望段数を経由させてフリップフロップ14のクロックに入力させる。また、入力信号の立下りのエッジ信号を複数段直列接続の遅延セル16Bの初段に入力し、4段目の遅延セル16Bが反応した後に終段と初段の遅延セル16Bを接続しループ接続し、立上りエッジをカウンタ18Bで所定回数カウントしたときカウンタ18Bからパルスを出力させ、パルスを複数段直列接続の遅延セル19Bの所望段数を経由させてフリップフロップ14のリセットに入力させ、信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】入力側と出力側とを電気的に絶縁状態にするトランスの結合係数が悪くても誤動作することがない信号伝達回路を提供することを目的とする。
【解決手段】入力信号の立上りタイミング及び立下りタイミングにおいて、それぞれ、パルス電圧を発生させる1次側回路111と、1次側回路111で発生されるパルス電圧を1次側コイルで受けるトランス113と、トランス113の2次側コイルに発生するパルス電圧のうち、最初のパルス電圧の発生タイミングで出力信号を立ち上がらせ、次に発生するパルス電圧の発生タイミングで出力信号を立ち下がらせる2次側回路2とを備えて信号伝達回路1を構成し、最初のパルス電圧が発生してから所定時間、または、次のパルス電圧が発生してから所定時間、2次側コイルに発生するパルス電圧が無視されるように2次側回路2を構成する。 (もっと読む)


【課題】動作速度を向上出来る半導体集積回路装置及びデューティ制御方法を提供すること。
【解決手段】第1クロックCLK1に同期して動作し、該第1クロックCLK1が“H”レベルでアクティブとなる第1クリティカルパス12と、“L”レベルでアクティブとなる第2クリティカルパス13とを含むプロセッサコア2と、第2クロックCLK2のデューティを制御して前記第1クロックCLK1を生成する第1クロック生成部3と、前記第1クロックCLK1と、前記第1クリティカルパス12で生じる遅延時間Δtd1だけ遅れた第3クロックCLK3との第1位相差UPと、前記第1クロックCLK1と、前記第2クリティカルパス13で生じる遅延時間Δtd2だけ遅れた第4クロックCLK4との第2位相差DNとが最小となるように前記デューティを制御するよう、前記第1クロック生成部3に命令する制御部4とを具備する。 (もっと読む)


【課題】消費電流をあまり増加させることなく、トリミング用保持回路の内容を適時にリフレッシュすることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】この半導体集積回路は、製造後にトリミングを必要とする回路ブロックを内蔵した半導体集積回路であって、回路ブロックをトリミングするために用いられるトリミングデータを格納する格納回路と、格納回路から読み出されたトリミングデータを保持する保持回路と、保持回路に保持されているトリミングデータの変化を検出して検出信号の論理レベルを変化させる検出回路と、検出回路から出力される検出信号の論理レベルが変化したときに、格納回路から読み出されるトリミングデータによって、保持回路に保持されているトリミングデータを更新するリフレッシュ回路とを具備する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路内でクロックジッタを定量的に測定する。
【解決手段】n個(nは2以上の整数)の直列に接続された遅延素子をそれぞれ有し、1段目の遅延素子には同一の入力信号が入力され、k(kは1≦k≦n−1をみたす整数)段目の遅延素子の出力信号がk+1段目の遅延素子に入力される第1及び第2の遅延回路1,2と、n個のエッジ検出部E及び読み出し部20を有し、第j(jは1≦j≦nを満たす整数)のエッジ検出部は前記第1の遅延回路のj段目の遅延素子の出力信号及び前記第2の遅延回路のn−j+1段目の遅延素子の出力信号が入力され、この2つの信号の立ち上がり又は立ち下がり変化の期間が重なるか否かを検出してその検出回数をカウントし、前記読み出し部が前記カウントされた検出回数を読み出す検出回路3と、を含む。 (もっと読む)


【課題】パルス幅を意図的に変化させるNRZ等の信号の伝送において、パルス幅のバラツキの低減を図り、さらにジッタの低減も図った電子回路装置を提供する。
【解決手段】2個のエッジ検出回路11,12と、2個の可変遅延回路13,14と、SRラッチ回路15とを備え、可変遅延回路13,14のそれぞれの入力にエッジ検出回路11,12の出力を接続し、SRラッチ回路のS入力およびR入力それぞれに可変遅延回路13,14の出力を接続する。 (もっと読む)


【課題】 コストダウンの障害となるLDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)の使用数を削減しコストダウンを図れる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】 低電位の回路において、パルス発生器11aは信号入力端HINから入力した信号の正負のエッジを検出し、それぞれのエッジを表すパルス信号をスイッチング素子Q1〜2に出力する。スイッチング素子Q1〜2は電流源Ires1〜2をオン/オフし、LDMOSQ3を介して高電位の回路において、抵抗R3に電流を供給する。抵抗R3は電流地に応じた電圧を両端に発生し、異なる閾値を有するインバータInv1〜2によって、低電位の回路にて入力された信号の正負のエッジが復元され、パルス検出回路12a、RS(Reset-Set)フリップフロップ13、スイッチング素子Q5〜6、抵抗R13〜14によって、入力された信号が復元される。 (もっと読む)


【課題】 ノイズ耐性を向上できる位相差検出回路を提供すること。
【解決手段】 次エッジタイプ判定器31と先立ち上がり判定器32と立ち上がりエッジ専用位相差検出回路80と立ち下がりエッジ専用位相差検出回路90とを設け、前記次エッジタイプ判定器31と前記先立ち上がり判定器32から出力される検出信号をもとに、立ち上がりエッジ専用位相差検出回路80と立ち下がりエッジ専用位相差検出回路90からそれぞれ出力されるUP出力、DN出力をスイッチ回路61〜68、スイッチ回路71〜78により切り替える。 (もっと読む)


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