Fターム[5J050BB16]の内容
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MOSFET駆動回路、プログラマブル電源及び半導体試験装置
半導体試験装置に使用されるプログラマブル電源において、電流レンジや出力リレーにおける大電流の高速切り換えを可能とする。
半導体試験装置1のプログラマブル電源10に設けられたスイッチ部20のMOSFET駆動回路22において、光絶縁素子22−1の受光部22−12からの電流によりコンデンサ部22−12に電荷が蓄積される。アナログスイッチ部22−3の切り換えによりSWAがON(SWBがOFF)となると、コンデンサ部22−12に蓄積されていた電荷によりMOSFET部21の各MOSFETのゲートがチャージされON状態となる。一方、アナログスイッチ部22−3のSWBがON(SWAがOFF)となると、MOSFETのゲートがディスチャージされる。
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