【課題】操作部の動きを検出できるだけでなく、操作部を強制的に動かすことができる、操作検出回路を提供すること。
【解決手段】操作部の動きに応じてインダクタンスが変化するインダクタＬ１に接続される操作検出回路であって、第１の電圧部９１とインダクタＬ１の一方の端部である第１の端部ａとの間に配置されたトランジスタＱ１と、第２の電圧部９２とインダクタＬ１のもう一方の端部である第２の端部ｂとの間に配置された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ１に並列に接続されたトランジスタＱ２とを備え、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオフのとき、インダクタＬ１と抵抗Ｒ１に検出電流ｉ１を流すことによって、操作部の動きに応じた検出信号を端部ｂから出力し、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオンのとき、操作部を可動させる駆動電流ｉ２をインダクタＬ１に流す、ことを特徴とする、操作検出回路。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の入射により検出対象物が検出対象位置にあると判断され得る受光状態になった場合でも、誤検出が生じるのを防止する。
【解決手段】検出用の光を投光する投光部１０１と、投光された光に対する反射光を受光する受光部１０２と、検出部として機能するＣＰＵ１０とを具備するセンサ１のＣＰＵ１に、受光部１０２の受光状態に基づき、検出対象物とセンサ１との間の距離があらかじめ定めた基準距離に適合するか否かを判別する第１の判別手段と、受光量を表すパラメータまたは受光量の増減に応じて調整される感度パラメータの変化の度合いがあらかじめ定めた許容範囲に入るか否かを判別する第２の判別手段との機能を付与する。各判別手段により物体との距離が基準距離に適合し、パラメータの変化の度合いが許容範囲に入ると判別されたとき、センサ１からは物体を検出したことを示す検出信号が出力される。 （もっと読む）

【課題】高感度領域で動作させた場合であっても動作が安定する磁気式スイッチを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式スイッチは、感度軸方向からの外部磁界に対して抵抗値が変化する磁気センサと、磁気センサの抵抗変化に基づいて変化するセンサ出力に基づいて、検出信号を出力する制御手段と、を具備し、磁気センサは、特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子１と、感度軸の方向において磁気抵抗効果素子１を挟むように配置された磁気増幅膜３と、磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３が占める領域よりも広い領域で磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３と重なるように配置された磁気シールド膜４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターンオン時間を犠牲にすることなく、駆動電流を低減することができるフォトＭＯＳリレー駆動回路およびそれを用いた半導体試験装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトＭＯＳリレー内の発光ダイオードが流れる経路に、両端電圧を可変できる電位差可変手段と電流制限用抵抗と電流を制御するスイッチを設け、フォトＭＯＳリレーをオンするときに電位差可変手段の両端電圧を小さくして発光ダイオードに流れる電流を大きくし、オンになると電位差可変手段の両端電圧を大きくして、発光ダイオードに流れる電流を小さくするようにした。平均的な駆動電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな抵抗を必要とすることなくマイクロコンピュータを用いてタッチセンサによる接触検知を行う。
【解決手段】マイクロコンピュータの外部端子にタッチセンサの容量電極を接続し、前記マイクロコンピュータは、前記外部端子に夫々接続された電流源回路（例えば定電流回路）及びインタフェース部と、インタフェース部に接続された計数回路と、中央処理装置とを備え、この中央処理装置は、前記インタフェース部の出力回路によりタッチセンサの蓄積電荷を初期化した後、前記電流源回路の出力電流で前記タッチセンサに電荷を積分して前記インタフェース部の入力回路から得られる信号が反転するまでの時間を前記計数回路で取得し、その計数値に基づいてタッチセンサへの接触を判別する。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動で駆動される低耐圧素子で構成される論理回路部分と駆動電圧に耐える高耐圧の素子を同一チップのＩＣで構成する場合、高耐圧素子の部分に半導体製造プロセスによる微細加工が適用できず、プロセス工程が増加するという問題があった。
【解決手段】電源供給端子ＶＤＤにソース端子が接続されたＰチャンネル型の第１と第２のＭＯＳトランジスタと、グランドにソース端子が接続されたＮチャンネル型の第３と第４のＭＯＳトランジスタと、前記第３のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第５のＭＯＳトランジスタと、前記第４のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第６のＭＯＳトランジスタと、第２の電源供給端子ＶＤにソースが接続されたＰチャンネル型の第７と第８のＭＯＳトランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】接続仕様の異なる２種類のＬＥＤが使用される電子機器におけるＬＥＤの駆動回路の共通化を可能する。
【解決手段】ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐ及びＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎからなるインバータ回路２を介して、端子極性が異なる第１の発光ダイオードＬ１、又は第２の発光ダイオードＬ２に電力を供給する。また、制御部３を設け、電源投入時にはＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐとＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎとをオフ状態として出力端Ａの電位（Ｖｏ）を取得し、取得結果に基づき、第１の発光ダイオードＬ１又は第２の発光ダイオードＬ２のいずれが接続されているのか判断させる。また、制御部３に、ＬＥＤの点灯及び消灯要求に応じ、上記判断の結果に応じて制御内容が反転するように、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐ及びＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎの動作状態を制御させる。 （もっと読む）

【課題】リングオシレータで具現された温度センサ及びそれを利用した温度検出方法を提供する。
【解決手段】温度変化によってその内部電流量が可変し、第１及び第２バイアス信号を発生する第１バイアス部と、温度変化に関係なくその内部電流量が一定であり、第３及び第４バイアス信号を発生する第２バイアス部と、第１及び第２バイアス信号に応答して第１クロック信号を発生する第１リングオシレータと、第３及び第４バイアス信号に応答して第２クロック信号を発生する第２リングオシレータと、第１クロック信号の一つのパルスをラッチしてワンショットパルスを発生するワンショットパルス発生部と、ワンショットパルス幅を第２クロック信号のパルスとしてカウントして温度コードを発生するカウンタと、を備える温度センサである。 （もっと読む）

【課題】 光ラベル交換器等の光信号処理システム全体の小型化・低コスト化を図る。
【解決手段】 ラベル交換器２０は、ＰＤ２１を介して入力された光ラベル信号Ｌをシリアル−パラレル変換して、ラベルＬとしてＣＭＯＳ処理回路２３に送信し、ＣＭＯＳ処理回路２３において変換された新しいラベルＬ’をパラレル−シリアル変換して、光変調器２４に出力するＯＣＴＡ（Optically Clocked Transistor Array）２２を備えている。すなわちＯＣＴＡ２２は、シリアル−パラレル変換およびパラレル−シリアル変換の双方向動作が可能である。 （もっと読む）

半導体試験装置に使用されるプログラマブル電源において、電流レンジや出力リレーにおける大電流の高速切り換えを可能とする。
半導体試験装置１のプログラマブル電源１０に設けられたスイッチ部２０のＭＯＳＦＥＴ駆動回路２２において、光絶縁素子２２−１の受光部２２−１２からの電流によりコンデンサ部２２−１２に電荷が蓄積される。アナログスイッチ部２２−３の切り換えによりＳＷＡがＯＮ（ＳＷＢがＯＦＦ）となると、コンデンサ部２２−１２に蓄積されていた電荷によりＭＯＳＦＥＴ部２１の各ＭＯＳＦＥＴのゲートがチャージされＯＮ状態となる。一方、アナログスイッチ部２２−３のＳＷＢがＯＮ（ＳＷＡがＯＦＦ）となると、ＭＯＳＦＥＴのゲートがディスチャージされる。

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