【課題】 高周波スイッチＳＷの前段に接続される素子の出力インピーダンスとの最適化を簡便に行え、高周波スイッチＳＷから発生する高調波を抑制できる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチＳＷの送信波入力側端子Ｐｂは、直接第１端子Ｐ１に接続されると共に移相器ＰＳ２、ＰＳ３、ＰＳ４を介してそれぞれ第２端子Ｐ２、第３端子Ｐ３、第４端子Ｐ４に分岐され、
各端子Ｐ１〜Ｐ４での移相量が３６０度を等間隔に分割するように各移相器ＰＳ２〜ＰＳ４のインダクタンス及びキャパシタンスが好適に選定されている。
これにより高周波スイッチＳＷの送信波入力側に接続されるローパスフィルタＬＰＦ等のとの接続点の条件（インピーダンス）に良好な入力側端子を選択可能にしている。 （もっと読む）

【課題】 送信側の挿入損失の低減と実装面積の低減を実現する高周波信号スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 共通端子１１にソースあるいはドレインのどちらか一方が接続され、第１の端子１２にドレインあるいはソースの他方が接続され、制御端子１４に抵抗４４を介してゲートが接続されたＦＥＴ２１と、共通端子１４に１端が接続され、他端が抵抗４５を介して制御端子１４に接続されたキャパシタ３１と、キャパシタ３１の他端にカソードが接続され、第２の端子にアノードが接続されたダイオード２６と、ＦＥＴ２１のソース及びドレイン、及びダイオード２６のアノードの各々に抵抗４１、４２、４３を介してバイアスを印加するバイアス端子１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号のスルー経路を切り換える際に必要な制御端子の数を削減することができ、その端子制御用の回路構成を簡略化することができるとともに、スルーＦＥＴのオン経路とオフ経路間でのアイソレーション特性を向上して、十分高いアイソレーションを得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ある特定の１つのスルーＦＥＴ７−ｃと、そのスルーＦＥＴ７−ｃ以外の全てのスルーＦＥＴ５−ａ、６−ｂのそれぞれに接続している全てのシャントＦＥＴ７−ａ、６−ａ、５−ｂ、７−ｂの各１つ７−ａ、７−ｂを、同一の制御端子７に入力された制御信号により同時にＯＮさせることにより、出力端子ＲＦ２、ＲＦ３からＯＦＦしているスルーＦＥＴ５−ａ、６−ｂの信号経路を介して、ＯＮさせたスルーＦＥＴ７−ｃの信号経路に漏洩しようとする高周波信号を、ＯＮさせたシャントＦＥＴ７−ａ、７−ｂを通じてＧＮＤ８、９へ逃がす。 （もっと読む）

【課題】低静電流及び高スイッチング速度を有するオンチップのロジックデコーダを備えたＲＦスイッチを提供する。
【解決手段】ＲＦスイッチのデコーダロジックは第１及び第２エンハンスメント型トランジスタとデプレション型トランジスタとを含む。デプレション型トランジスタ及び第１エンハンスメント型トランジスタのソースはＶＤＤ供給端に接続する。デプレション型トランジスタのゲートのドレイン及びゲートは第１エンハンスメント型トランジスタのゲートに接続する。第２エンハンスメント型トランジスタは接地端及びデプレション型トランジスタのドレインに接続する。活性状態では、デプレション型トランジスタは高電圧を第１エンハンスメント型トランジスタのゲートに供給してオンにして、ＲＦスイッチをＶＤＤ供給端に接続する。 （もっと読む）

小型でかつ広帯域な特性を持つ移相回路を提供するもので、スルーとキャパシタンスの容量とを切り替える第１のスイッチング素子と、スルーとグランドに対するキャパシタンス
の容量とを切り替える第２のスイッチング素子と、インダクタンスをもつ第１および第２のインダクタとを備え、第１と第２のスイッチング素子の一端同士を第１のインダクタで接続し、第１と第２のスイッチング素子の他端同士を第２のインダクタで接続し、第１のスイッチング素子の一端を高周波信号入力端子に接続し、第１のスイッチング素子の他端を高周波信号出力端子に接続して、定の条件をを満たす移相器を構成する。 （もっと読む）

本発明は、受信器（特にクロック受信器回路デバイス（１））を有する半導体素子、および、受信器（特にクロック受信器回路デバイス（１））に関する。上記受信器回路デバイスは、半導体素子の第１端子（３ａ）に接続されるように構成された第１入力部（９ａ）と、半導体素子の第２端子（３ｂ）に接続されるように構成された第２入力部（８ａ）とを備えており、複数の、特に４つ以上のトランスファーゲート（４、５、６、７）を備えていることを特徴とする。
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【解決手段】本発明のスイッチ回路は、分離チャンネルの一部を供給する第１差動増幅器対（Ｑ１，Ｑ２）と、送信チャンネルの一部を供給する第２差動増幅器対（Ｑ３，Ｑ４）と、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを供給する第３差動増幅器対（Ｑ５，Ｑ６）とを具備する。このスイッチ回路は、500μm×250μmの小寸法でありながら、15ＧHz〜26ＧHzレンジにわたる入力及び出力間に35dBの分離を提供する。
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【解決手段】本発明の双極単投（ＤＰＳＴ）スイッチは、第１入力ポートに対応する第１回路部と、第２入力ポートに対応する第２回路部と、及び出力ポートを有するスイッチ回路とを具備する。ここで、第１及び第２の回路部の各々は、分離チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第１トランジスタと、送信チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第２トランジスタと、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを提供する少なくとも１個の第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）