【課題】簡易な構成で、チップサイズを増すことなく、選択された信号通過経路に応じて歪み特性の改善、スイッチ素子の挿入損失の低減を図る。
【解決手段】第１の高周波入出力端子１０１と接地電位との間に、第１のＤＣ信号切替用スイッチ素子２２と第１のバイアス抵抗器２４とが直列接続されて設けられる一方、第１の高周波入出力端子１０１と制御回路２１との間に、第２のＤＣ信号切替用スイッチ素子２３と第２のバイアス抵抗器２５が直列接続されて設けられ、第１及び第２のＤＣ信号切替用スイッチ素子２２，２３は、その導通・非導通が第１乃至第３のスイッチ素子１１〜１３の動作に連動して制御回路２１により制御されて、第１乃至第３のスイッチ素子１１〜１３のバイアス電圧が必要に応じて変化可能となっている。 （もっと読む）

【課題】多チャンネルの高周波信号切り替えを小規模の回路構成にて容易に実現できる多チャンネル高周波信号切替装置を提供する。
【解決手段】多チャンネルの高周波信号を扱う切替回路を、四辺形のマトリクス配線領域１１を囲繞するように８組の高周波信号切替スイッチ１２Ａ〜１２Ｈを設け、各チャンネルに共通のマトリクス配線領域に集成して、多チャンネル集成型の高周波信号切替回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】送信機と受信機の双方で複数のアンテナを用いて、異なる信号の並列伝送を行なうＭＩＭＯ（ Multi-Input-Multi-Output ）方式では、それぞれのアンテナは空間的に離して配置されるため、受信部初段増幅器をできるだけアンテナに近い位置に配置することが望ましいが、回路の冗長化及び大規模化による部品実装面積の増加が避けられない。
【解決手段】本発明による無線信号処理部及び無線モジュール並びに移動通信端末は、複数の周波数帯に応じたフィルタ及び増幅器と、バンド切替回路と、高周波信号と制御信号とが重畳された信号を入出力する信号端子と、前記信号端子が入出力する信号から高周波信号と制御信号とを分離するためのインダクタ及びキャパシタを備える。 （もっと読む）

【課題】大型化せずに高耐電力化が図れるとともに、低損失化が図れる高周波スイッチ回路を得ること。
【解決手段】１／４波長の長さを有し、一方端が入力端子６に接続され、他方端が出力端子７に接続される信号線路３と、１／４波長の長さを有して前記信号線路の短手方向の両側に並置され、前記信号線路の一方端に対応する端部が信号グランドに接続される結合線路４ａ，４ｂと、スイッチング素子８とインダクタ９との並列接続で構成され、前記スイッチング素子のオフ動作時に並列共振を生ずる並列回路であって、前記並列接続の一方の接続端が前記結合線路の他方端に接続され、他方の接続端が信号グランドに接続される並列回路５ａ，５ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】高周波用スイッチ回路としての歪み特性が悪くなってしまうという問題があった。
【解決手段】本発明のスイッチ回路は、入出力端子間に直列に接続されたトランジスタと、トランジスタの導通状態を制御する信号が入力される制御端子と、トランジスタの制御電極と制御端子間に接続された第１の抵抗と、制御端子とトランジスタの制御電極間に第１の抵抗と並列に接続された、ダイオードと第２の抵抗の直列回路を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大することなく相互変調歪及び高調波歪が低減可能な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】アンテナ端子と、第１及び第２のＲＦ端子と、前記アンテナ端子と前記第１のＲＦ端子との間に配置された第１のスルートランジスタと、前記アンテナ端子と前記第２のＲＦ端子との間に配置された第２のスルートランジスタと、接地と前記第１のＲＦ端子との間に配置された第１のシャントトランジスタと、接地と前記第２のＲＦ端子との間に配置された第２のシャントトランジスタと、互いに逆方向となるように並列接続されたＭＯＳキャパシタを有し、前記アンテナ端子と前記接地との間、及び前記第１及び第２のＲＦ端子のいずれかと前記接地との間、の少なくともいずれかに配置された歪補償回路と、を備え、前記アンテナ端子と、前記第１及び第２のＲＦ端子と、の間の電気的接続が切り替え可能とされたことを特徴とする高周波スイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】雰囲気温度が高温の場合に大電力送信を行う際にあってもゲートリーク電流の増加に起因する昇圧された端子電圧の低下を抑圧し、高調波ひずみ特性の向上を図る。
【解決手段】送信の際、デコーダ回路２２によって、第１のスイッチ素子３１のゲートには、昇圧回路２１により得られた昇圧電圧Ｖ１が印加される一方、第２のスイッチ素子３２のゲートには、０Ｖが印加されることにより、第１のスイッチ素子３１は導通状態となり、第２のスイッチ素子３２は、非導通状態となり、さらに、第３のスイッチ素子３３は、導通状態となり、ダイオード３９が逆バイアス状態とされるため、第２のスイッチ素子３２のゲートリーク電流が増加しても、それに起因する昇圧された端子電圧の低下が回避できるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】変動の少ない良好な高次高調波特性を有する高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端に一端が接続され、前記高周波信号の出力端に他端が接続され、制御信号によりオン・オフ制御される高周波スイッチを具備した高周波スイッチ回路において、所定容量を有するキャパシタの一端を前記出力端に接続し、他端をボンディングワイヤを介して接地する。 （もっと読む）

【課題】シリーズラインの電子スイッチがオフのときのアイソレーション特性を向上させることができ、かつ、高速動作するスイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力端子１と出力端子２との間に接続される第１電子スイッチ４と、第１電子スイッチ４がオンするときに互いにオフし、第１電子スイッチ４がオフするときに互いにオンする第２電子スイッチ８と機械スイッチ９とが並列接続されたものであり、入力端子１と出力端子２との間とグランド５との間に接続されるシャント回路７とを有する構成とする。これにより、第１電子スイッチ４がオフしている間、シャント回路７の第２電子スイッチ８および機械スイッチ９をオンすることでリーク電流をグランド５に流す。また、第１電子スイッチ４を高速スイッチングすることでスイッチ回路を高速動作させる。 （もっと読む）

【課題】順列出力が可能で、かつ、各信号経路間、ポート間の特性の均一性が得られる４×４スイッチを提供する。
【解決手段】２×２スイッチを５個用い、信号入力端子１_１〜１_４を接続する第１、第２の２×２スイッチ１２_１，１２_２と後段に配置する第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４との間を第１〜第４の伝送線路５_２１〜５_２４で接続し、第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４それぞれの一方の出力端子を第５の２×２スイッチ１２_５に、他方の出力端子を抵抗４_２５，４_２６を介して第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の一端に接続する。第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４の他方の出力端子および第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の他端を、信号出力端子２_１〜２_４に接続する。さらに、第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の他端と第１、第４の信号出力端子２_１，２_４との接続点に第１、第２のオープンスタブ５_３１，５_３２を接続する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域に亘って低損失な特性を実現することができる高周波スイッチを得ることを目的とする。
【解決手段】一端が入出力端子１ａと接続されている高周波線路２ａと、一端が高周波線路２ａの他端と接続されているＦＥＴ３ａと、一端がＦＥＴ３ａの他端と接続され、他端がグランド４ａと接続されているＦＥＴ３ｂと、一端がＦＥＴ３ａの他端と接続され、他端が入出力端子１ｂと接続されている高周波線路２ｂと、一端が高周波線路２ａの他端と接続され、他端が入出力端子１ｃと接続されている高周波線路２ｃと、一端が高周波線路２ｃの他端と接続され、他端がグランド４ｂと接続されているＦＥＴ３ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチ回路を介して伝達される高周波信号の２次高調波歪を低減するとともに、静電気放電破壊耐性を確保する。
【解決手段】高周波スイッチ回路は、受信用の受信側トランスファ回路（１１）と、送信用の送信側トランスファ回路（１２）と、受信端子（１）への高周波信号の漏洩を防止する受信側シャント回路（１３ａ）と、送信端子（２）への高周波信号の漏洩を防止する送信側シャント回路（１４ａ）とを備える。受信側トランスファ回路を構成するＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴ（１０１−１０４）として、蓄積型で動作するトランジスタを用いる。また、アンテナ端子（３）に対して、送信側シャント回路と同一のトランジスタ構成を有するＥＳＤ保護回路（１５）を接続する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン状態において基板バイアス効果による電流駆動能力の低下を抑制し、低挿入損失、低信号歪を備えた高周波スイッチスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチトランジスタ１０６のソース・ドレインはそれぞれＤＣカット用の容量１１０，１１１を介して高周波信号の入出力端子１０１，１０２に接続され、スイッチトランジスタ１０６のゲートには抵抗１０７を介して第２のＤＣ端子１０４が接続、固定電位が印加され、ソース・ドレインは抵抗１０８, １０９を介して第1のＤＣ端子１０３が接続、スイッチトランジスタの制御電位が印加される。また、スイッチトランジスタの基板には、第３のＤＣ端子１０５が接続され、固定電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯の広い周波数範囲で遮断特性を向上する。
【解決手段】スイッチ素子として機能する電界効果トランジスタＴ１と、電界効果トランジスタＴ２と、インダクタＬと、を備え、インダクタＬと電界効果トランジスタＴ２との直列接続回路が電界効果トランジスタＴ１のソース・ドレイン間に並列に接続される。電界効果トランジスタＴ２は、電界効果トランジスタＴ１の通常動作時においてオン状態とされ、電界効果トランジスタＴ１の検査時においてオフ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】スイッチ回路のポート数が増加しても挿入損失を増加させず、且つ歪みによる高調波の影響を低減することのできるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】１個の共通出力ポートと、一端が第１ノードで共通接続されたＭ（Ｍは２以上の整数）個の第１スイッチと、一端が共通出力ポートに共通接続されたＮ（Ｎ≧１の整数）個の第２スイッチと、一端が共通出力ポートに接続され、他端が第１ノードに接続された第３スイッチと、第１スイッチの他端にそれぞれ接続されたＭ個の第１入出力ポートと、第２スイッチの他端にそれぞれ接続されたＮ個の第２入出力ポートとを備え、第１入出力ポート及び第２入出力ポート中の選択されたいずれか１つのポートのみを共通出力ポートに接続させるように駆動され、第１入出力ポートのいずれかが選択された時には、第３スイッチを閉塞することを特徴とするスイッチ回路とした。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】高周波スイッチ回路と、負電圧発生回路と、高周波スイッチ回路に制御信号を供給する制御回路とが同一半導体基板に設けられた高周波半導体スイッチ装置であって、制御回路は、低電位電源端子が負電圧発生回路に接続され、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路と、レベルシフト回路の出力ノードにアノードが接続されたダイオードと、ドレイン・ソース間がダイオードのカソードとグランドとの間に接続され、レベルシフト回路の出力ノードの電位がハイレベルからローレベルに切り替わる前にドレイン・ソース間が遮断状態から導通状態に切り替わるトランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のゲート幅を大きくすることなく、受信時に低損失、送信時に高耐電力な高周波特性が得られる高周波スイッチを得る。
【解決手段】入力端子１と第１の出力端子２ａとの間に接続された第１の高周波線路３ａと、一端が第１の出力端子に接続された第２の高周波線路３ｂと、入力端子１と第２の出力端子２ｂとの間に接続された第３の高周波線路３ｃと、第２の高周波線路３ｂの他端と第１のグランド端子５ａとの間に接続された第１のスイッチング素子４ａと、第２の出力端子２ｂと第２のグランド端子５ｂとの間に接続された第２のスイッチング素子４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体スイッチ回路に要求される挿入損失特性、ハンドリングパワー特性、歪み特性を損なわず、高いアイソレーション特性を実現することができる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 ２つの入出力端子間に、直列接続した複数の電界効果トランジスタで構成される第１のスイッチ素子と、一方の入出力端子と接地との間に、直列接続した複数の電界効果トランジスタで構成される第２のスイッチ素子とを備え、第１のスイッチ素子及び第２のスイッチ素子の接続点と第２の入出力端子との間に、１つの電界効果トランジスタで構成される第３のスイッチ素子を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、かつトータルのインダクタンスを低減することにより、電流遮断時のスイッチ両端に発生する電圧の跳ね上がりを抑制できる半導体スイッチ装置を得る。
【解決手段】半導体スタックＰＳに対して近接配置し、体ＰＳに接続されている正側母線Ｐ又は負側母線Ｎ以外の負側母線Ｎ又は正側母線Ｐからなり、断面矩形状であって、その軸方向長さがＰＳの軸方向長さと略等しい長さのリターン母線を備え、リターン母線は断面矩形状であって、かつリターン母線の対角線の交点を含む垂直面と、半導体スタックの軸心を含む垂直面とが、互いに平行になるように配設し、正側母線又は前記負側母線及び前記リターン母線にそれぞれ生ずる磁束を打消すようにしたものである。 （もっと読む）