【課題】２次高調波歪みの発生を抑制することができる高周波スイッチ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる高周波スイッチ回路は、共通端子と第１の端子との間に配置された第１のスイッチ（Ｔ１１〜Ｔ１４）と、共通端子と第２の端子との間に配置された第２のスイッチ（Ｔ２１〜Ｔ２４）と、を少なくとも備える。第１のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第１のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ１１〜Ｃｄｂ１４）がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。また、第２のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第２のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ２１〜Ｃｄｂ２４）が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２５ＧＨｚ帯の高周波帯で高性能な特性が得られる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第３整合回路１１２及び第４整合回路１２２は、マイクロストリップライン等の分布定数回路で構成されており、特性インピーダンスがＺ０で線路長が１／４波長となるように形成されている。第３整合回路１１２と第１スイッチ１１３、及び第４整合回路１２２と第２スイッチ１２３をそれぞれ組み合わせることで、送信側高周波スイッチ１１０及び受信側高周波スイッチ１２０を、ショートまたはオープンの状態に切り替えることができる。送信側高周波スイッチ１１０または受信側高周波スイッチ１２０がショート状態になるとそのスイッチが閉となり、オープン状態になると開となる。 （もっと読む）

【課題】チップやパッケージのサイズやコストの増加を抑えるとともに、安定動作が実現できる半導体スイッチ集積回路を提供する。
【解決手段】制御電圧印加端子と、オン状態のＦＥＴとオフ状態のＦＥＴの接続点との間に、抵抗素子を接続する。さらにオフ状態のＦＥＴのソース端子とドレイン端子との間に抵抗素子を接続する。その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ送信出力信号の高調波成分を低減する。
【解決手段】半導体集積回路１１０のアンテナスイッチ１００の送信スイッチ１０４は送信端子１０２と入出力端子１０１の間にＳ・Ｄ電流経路が接続されゲート端子Ｇが送信制御端子１０８に接続された送信電界効果トランジスタを含み、受信スイッチ１０５は入出力端子１０１と受信端子１０３の間にＳ・Ｄ電流経路が接続されゲート端子Ｇが受信制御端子１０９に接続された受信電界効果トランジスタを含む。送信と受信とのｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタは、シリコンオンインシュレータ(ＳＯＩ)構造で形成される。アンテナスイッチの高調波成分を低減する値に設定された電圧発生回路１０の基板電圧は、ＳＯＩ構造の支持シリコン基板に接続された端子１０８、１０９に供給される。 （もっと読む）

【課題】 切替時間の短縮と消費電流の低減を図ることができる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 外部からの経路切替信号の状態が変化した直後から予め設定された時間だけ、レベルシフト短絡スイッチ回路でレベルシフトしない高電圧でスイッチ回路を駆動し、一定時間経過後はレベルシフト短絡スイッチ回路を開放させることによりレベルシフト回路を経由させ、電圧降下させた電圧でスイッチ回路を駆動させる。 （もっと読む）

【課題】大きなパルス幅を有する大電力の高周波信号が入力された場合であっても、リミタ回路および受信回路の増幅器が破壊されることを抑制することができる送受信モジュールを提供する。
【解決手段】アンテナ１１と、リミタ回路１６および受信系電力増幅器１７を備えた受信回路１４と、送信系電力増幅器２０を備えた送信回路１５とが、送受信切替スイッチ１３により接続され、アンテナ１１と送受信切替スイッチ１３の間に設けられた検波回路１２により、送受信切替スイッチ１３を制御する制御信号を生成する。送受信切替スイッチ１３は、制御信号が入力されない状態ではアンテナ１１と受信回路１４とを導通させ、制御信号が入力されるとアンテナ１１と送信回路１５とを導通させる。制御信号は、送受信切替スイッチ１３に信号が入力された時から、リミタ回路１６の熱時定数よりも短い時間までの間に送受信切替スイッチ１３に入力される。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの高調波歪特性を改善する。
【解決手段】アンテナスイッチのアンテナ端子２にアンテナが接続され、第１信号端子３とアンテナ端子２の間に第１転送スイッチ１００が接続され、第２信号端子４とアンテナ端子２の間に第２転送スイッチ１０１が接続され、第１信号端子３と接地電位の間に第１シャントスイッチ１０２が接続され、第２信号端子４と接地電位の間に第２シャントスイッチ１０３が接続される。負電圧生成回路１０４の入力１０は第１信号端子３に供給される送信信号に応答可能とされ、出力端子１１に生成される負電圧に応答して第２転送スイッチ１０１と第１シャントスイッチ１０２とはオフ状態に制御される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価かつ容易に歪特性の劣化を抑制できる検出回路とそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電力増幅器とアンテナの間に配置された方向性結合器の結合線路両端の信号を用いて、該電力増幅器の歪特性劣化を検出する回路であって、該結合線路の結合端子の電力を移相および減衰する移相・減衰器と、該移相・減衰器からの出力電力と、該結合線路のアイソレーション端子の電力の差分を出力する手段と、該差分をＤＣ信号に変換する検波回路と、該ＤＣ信号の電圧レベルが所定値よりも高いかを判定する比較回路とを備える。そして、該移相・減衰器は、該電力増幅器の歪特性が劣化する該アンテナ端の負荷状態において、該移相・減衰器が出力する信号の位相が該アイソレーション端子の信号の位相と１８０°の位相差になるように該結合端子の電力を移相することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オフ歪みを低減した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】負の第１の電位を生成する電圧生成回路と、外部から入力される端子切替信号に応じて前記第１の電位を変化させる電圧制御回路と、電源電圧または電源電圧よりも高い正の第２の電位と前記第１の電位とが供給され、前記端子切替信号を入力し前記端子切替信号に基づいて前記第１の電位及び前記第２の電位の少なくとも一方を出力する駆動回路と、ＳＯＩ基板に設けられ、前記駆動回路の出力により端子間の接続を切り替えるスイッチ部と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】多チャンネルの高周波信号切り替えを小規模の回路構成にて容易に実現できる多チャンネル高周波信号切替装置を提供する。
【解決手段】多チャンネルの高周波信号を扱う切替回路を、四辺形のマトリクス配線領域１１を囲繞するように例えば８組の高周波信号切替スイッチ１２Ａ〜１２Ｈを設け、各チャンネルに共通のマトリクス配線領域に集成して、多チャンネル集成型の高周波信号切替回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのドレインとバックゲート間およびソースとバックゲート間に生じる電流の漏洩を抑圧し、高周波信号の透過損失の増大を抑制できる高周波半導体スイッチを得る。
【解決手段】高周波半導体スイッチは、接地部を有するＳｉ等の真性半導体基板と、この真性半導体基板に形成され、バックゲート端子を有するＭＯＳトランジスタと、真性半導体基板の接地部およびＭＯＳトランジスタのバックゲート端子間に設けられたインダクタとを備える。 （もっと読む）

【課題】通信仕様が各種存在していても、スイッチＩＣの設計、作製に要するコストや時間を抑圧できる高周波スイッチモジュールを実現する。
【解決手段】スイッチＩＣ１０は、スイッチ制御部１０１とスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９を備える。各スイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９は、一つのアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）に対して各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の間にそれぞれ挿入されている。全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９は、ＦＥＴを同じ段数で接続した構成からなり、全てのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９が同じ電気的特性を有する。各通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）とアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ９が同じであることで、通信用ポートＰ_ＩＣ（ＲＦ１）〜Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）の全てを、送信用、受信用、送受信兼用に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 単極多投スイッチを提供すること。
【解決手段】 単極多投スイッチは、第１の切り替えユニット、共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第２の切り替えユニット、および整合ユニットを備える。整合ユニットは、第１の切り替えユニットと共通ポートとの間に結合することができ、整合ユニットは、第１の切り替えユニットがアクティブであり、第２の切り替えユニットが非アクティブである場合、第２の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される。 （もっと読む）

【課題】スイッチＩＣ内にチャージされた電荷を高速に放電し、高速なスイッチ切替制御を実現する。
【解決手段】高周波スイッチモジュール１は、スイッチＩＣ１０を備える。スイッチＩＣ１０のアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）には、インピーダンス整合回路２０が接続されている。インピーダンス整合回路２０は、ハイパスフィルタ２００Ｈとローパスフィルタ２００Ｌとからなり、アンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）側にハイパスフィルタ２００Ｈが配置される。ハイパスフィルタ２００Ｈは、キャパシタＣｍ１とインダクタＬｍ１とのＬ型回路であり、インダクタＬｍ１によりアンテナ用ポートＰ_ＩＣ（ＡＮＴ０）がグランドへ接続される。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路中の容量に対する高速な充電手段を提供する。
【解決手段】負バイアス発生回路１中のダウンコンバータ１２内に容量が存在する。高速な充電を行うためにはこの容量を小さくし必要な電荷の量を最小限にする。一方、ダウンコンバータ１２内の容量とは別に外付け容量１７を直接電源電圧に接続して充電する。ダウンコンバータ１２内の容量の充電終了後に、並列に外付け容量１７とダウンコンバータ１２内の容量を接続する。これにより、充電高速化とリップルノイズへの耐性向上を両立することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アイソレーションを改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】第１の端子と、第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に接続されたスルーＦＥＴ及び前記第２の端子と第１の接地端子との間に接続されたシャントＦＥＴを有してなるスイッチ部と、前記スルーＦＥＴを駆動する第１の制御端子と、前記シャントＦＥＴを駆動する第２の制御端子と、前記スイッチ部と同一の基板に設けられ前記第１の制御端子及び前記第２の制御端子に差動出力する駆動回路と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増大させずにスイッチング時間を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】複数の端子間の接続状態を切り替えるスイッチ部と、高電位側電源の電位よりも高い正電位を生成する正電圧生成回路と、前記正電圧生成回路の出力に接続され、端子切替信号により前記スイッチ部に制御信号を供給する駆動回路と、前記スイッチ部と同一基板に設けられ前記複数の端子間の接続状態の変化に対応した第１の時間は前記正電圧生成回路の出力を前記高電位側電源に接続し、前記第１の時間経過後は前記正電圧生成回路の出力から前記高電位側電源を切り離すように制御する電圧制御回路と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】サンプリングパルスの周波数を高めたりデューティ比を特別に絞り込むことなく実効的にデューティ比の小さいサンプリングパルスを得ることができ、従って、高域までの周波数特性に関する要求水準が緩和されたサンプリングミキサ回路を提供する。
【解決手段】サンプリングに適用する各キャパシタＣ１〜Ｃ４の充電経路となる各電流パス１１３−１，１１３−２，１１３−３，１１３−４を第１スイッチおよび第２スイッチの直列接続回路を含むように構成し、これら各電流パスが所定の各位相差で順次周期的に導通すると共に各電流パス毎の第１および第２スイッチが所定の位相差でオンになる多相のサンプリングパルスを各対応する第１スイッチおよび第２スイッチに供給することによって、各電流パスにおける導通状態の繰り返しに関するデューティ比が上記サンプリングパルスのデューティ比よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ（７００）はスタックに結合された複数のトランジスタ（７１０ａ−ｋ）と、スタック内の少なくとも１つの中間ノードへ結合された少なくとも１つの抵抗器（７４０ａ−ｋ）とを含む。トランジスタは、（ｉ）スタック内の第１のトランジスタへ印加される第１の電圧と、（ｉｉ）第１の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第２の電圧（Ｖ_ＢＵＬＫ）とを有する。抵抗器（７４０ａ−ｋ）は、トランジスタ（７１０ａ−ｋ）がオフのときにトランジスタ（７１０ａ−ｋ）の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に１つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第１の電圧との間に１つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第１の電圧に維持する。
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改良されたバイアスを備え、優れた分離および信頼性を有するスイッチが説明される。例示的な設計では、スイッチ（５０Ｄ）は、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットと、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットと、追加の抵抗器（５３０）とを用いて実装される。トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットは積層構造で結合され、入力信号を受信し、出力信号を提供する。抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットは、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのゲートに結合される。追加の抵抗器（５３０）は、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットに結合され、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのための制御信号を受信する。抵抗器は、トランジスタがオンにされると、それらの寄生キャパシタンスによる信号損失を低減する。抵抗器はまた、トランジスタがオフされると、トランジスタにわたって入力信号の信号振幅をほぼ均一に分割するのを助け、それによりトランジスタの信頼性を改善しうる。スイッチ（５０Ｄ）は、スイッチプレクサ、電流増幅器（ＰＡ）モジュールなどで使用されうる。
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