【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。半導体素子駆動回路１３は、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅを可変することによって、ＩＧＢＴ１１のターンオン及びターンオフを制御する。半導体素子駆動回路１３のｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、電子回路１の主電流であるＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間的変化、即ち時間微分値ｄＩｃ／ｄｔに基づき帰還電圧ＶＦＢを生成し、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅの一部として加算する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの遮断遅延を抑制し、絶縁ゲート型トランジスタ（ＩＧＢＴ）の保護動作を向上できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲートに、相補型の対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂを接続し、対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２の電流制御により絶縁ゲート型トランジスタ３１を駆動するゲート駆動回路２５において、トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２に、ターンオン時にベースライン電流で充電されるコンデンサＣｓと、ターンオフ時にコンデンサＣｓに充電された電荷を消費すると共に、絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲート電位上昇によりトランジスタ４１Ａのベースに供給された電荷を消費する抵抗Ｒｂ２とを並列接続した電荷消費回路４３Ａを設けた。 （もっと読む）

本発明は、電子スイッチに電気的に接続される制御回路に基づいて、様々なタイプの負荷を駆動することができ、広く使用される電子スイッチに関する。制御回路は、本スイッチの少なくとも導通の時点で、制御回路に電力を供給するように設計された電圧レギュレータブロックに接続される。従って、少なくとも一つの交流電圧源（４）と、少なくとも一つの電子スイッチ（１）と、少なくとも一つの負荷（５）と、少なくとも一つの制御回路（３）とを備え、交流電圧源（４）は、第１の電力端子（２０）を介して電子スイッチ（１）の第１の導通端子（２５）と電気的に接続され、電子スイッチ（１）の第２の導通端子（３５）は、第１の負荷端子（４０）を介して負荷（５）と接続され、負荷（５）は、第２の負荷端子（８０）を介して第２の電力端子（３０）と接続され、制御回路（３）は、第１の電位端子（１０１）、第２の電位端子（１０２）及び第３の電位端子（１０３）を備え、制御回路（３）は、トリガー端子（１００）を介して電子スイッチ（１）に命令を出すように配置され、制御回路（３）は、電圧レギュレータブロック（２００）と電気的に接続され、電圧レギュレータブロック（２００）は、第１の電気接続端子（１０４）及び第３の電気接続端子（１０６）と、第１の導通端子（２５）及び第２の導通端子（３５）とをそれぞれ介して電子スイッチ（１）と電気的に接続され、電圧レギュレータブロック（２００）は、電子スイッチ（１）の少なくとも導通の時点で制御回路（３）を稼動するように、最小電圧（V_min）を供給するように配置される、電子スイッチ制御システム（１０）が記載される。 （もっと読む）

【課題】キャリア信号発振部から出力されるキャリア信号と異なる周波数でＰＷＭ変調して得られたゲート信号に相当するゲート信号を出力させる。
【解決手段】キャリア信号ｆｃを出力するキャリア信号発振部５と、そのキャリア信号ｆｃと電圧指令Ｖｕｒ，Ｖｖｒ，Ｖｗｒとを振幅比較してＰＷＭ信号Ｐｕ，Ｐｖ，Ｐｗを出力するコンパレータ４ａ，４ｂ，４ｃと、ＰＷＭ信号Ｐｕ，Ｐｖ，Ｐｗに応じて相補の第１ゲート信号Ｇｕ，Ｇｖ，Ｇｗ，第２ゲート信号Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを出力するデッドタイム発生回路６ａ，６ｂ，６ｃと、デッドタイム発生回路６ｂの第１ゲート信号Ｇｖと、デッドタイム発生回路６ｃの第２ゲート信号Ｇｚと、を入力するＡＮＤ回路８ａと、デッドタイム発生回路６ｂの第２ゲート信号Ｇｙと、デッドタイム発生回路６ｃの第１ゲート信号Ｇｗと、を入力するＯＲ回路８ｂと、を設ける。 （もっと読む）

【課題】正電圧の電源のみで、導通損失を増加させることなく、誤点弧を防止する電圧駆動型半導体素子のドライブ回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】半導体素子を駆動するドライブ回路において、直流電源の正側に接続された第１のスイッチと、第１のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第２のスイッチと、直流電源の正側に接続された第３のスイッチと、第３のスイッチの他端子に接続された第４のスイッチと、第４のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第５のスイッチと、第１のスイッチの他端子と第４のスイッチの他端子に接続されたコンデンサを備え、半導体素子のゲートは第３のスイッチの他端子に接続され、半導体素子のソースは直流電源の負側に接続する。
【効果】正電圧の電源のみで、半導体素子のゲートに負電圧を印加することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】入力信号の減衰量が少なく、スイッチング動作に伴う容量成分の充放電による影響を低減することが可能な半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】この半導体スイッチ回路では、スイッチング動作を行うスイッチング制御回路８へのバイアス印加を間欠的にすることで、スイッチング動作に伴う結合コンデンサ５，６の充放電による影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 過電圧を抑制しながら、小型化、低コスト化を達成することができる電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 オン状態またはオフ状態のＩＧＢＴ３のゲート３ｇに、それぞれ所定のオフ用電圧値Ｖｏｆｆまたはオン用電圧値Ｖｏｎをゲート回路７から入力することによってオン、オフ制御を行うようにしたＩＧＢＴ３の駆動方法で、一方の状態から他方の状態へ切り替える時、ゲート回路７からゲート３ｇに、先ず、オン用電圧値Ｖｏｎまたはオフ用電圧値Ｖｏｆｆの一方の電圧値からオン用電圧値Ｖｏｎとオフ用電圧値Ｖｏｆｆの間の所定中間電圧値まで所定の時間をかけて漸次変化するよう電圧値を入力し、その後、他方の電圧値を入力することによりオン、オフ制御を行う。 （もっと読む）

入力される制御信号によりオン／オフし、第１端子１１及び第２端子１２間に入力された交流信号をオン／オフ制御させる交流スイッチであって、第１端子１１に第１主電極２１が接続され第２端子１２に第２主電極２２が接続されゲート信号を入力するゲートＧが接続されたノーマリオン型のＦＥＴＱ１と、第１端子１１及び第２端子１２の内の電位が低い端子とゲートＧとの間にゲート信号部１３のゲート信号を入力するダイオードＤ１，Ｄ２とを有する。
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【課題】負荷信号の駆動を細やかに制御し、消費電力を低減する。
【解決手段】マイコン側に接続された発光ダイオード１１と、受光素子２１およびプッシュプル回路を備えたＩＧＢＴゲート制御部２０と、交流制御のための双方向スイッチ部３０とからなり、双方向スイッチ部３０は、エミッタ同士を接続するとともに、各ゲートにプッシュプル回路の出力を接続した第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２と、アノード同士を接続した第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４とからなり、第１ＩＧＢＴ３１のコレクタと第１ＦＲＤ３３のカソード、及び第２ＩＧＢＴ３２のコレクタと第２ＦＲＤ３４のカソードとをそれぞれ接続し、第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２のエミッタ同士の接続点と、第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４のアノード同士の接続点とを信号線で接続することにより、出力側の交流電流のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】商用電源から負荷への電力供給を入切する際に負荷電圧を急激に変化させることがなく、多種多様な負荷が接続可能なスイッチを提供する。
【解決手段】第２の電源部１０７は、負荷開閉部１０５が開成されて商用電源ＡＣから負荷Ｌへの電力供給が停止しているときに負荷開閉部１０５を制御する制御部１０３の動作電源を生成する第１の電源部１０７に電源を供給する。第３の電源部１０４は、負荷開閉部１０５が閉成されて商用電源ＡＣから負荷Ｌへの電力供給が行われているときに第１の電源部１０７に電源を供給する。第２の電源部１０１の出力電圧が第３の電源部１０４の出力電圧と同じか若しくは低い電圧に設定されている。故に商用電源ＡＣから負荷Ｌへの電力供給を入切する際に負荷電圧を急激に変化させることがなく、多種多様な負荷が接続可能になる。 （もっと読む）