【課題】バッテリ逆接続でのリレー動作防止を実現するとともに、リレー回路の駆動電流経路の電圧降下を抑制する技術を提供する。
【解決手段】リレー装置１００では、電源電圧ＶｂａｔｔからグランドＧＮＤに向けて、逆流防止回路１５０、リレー駆動回路１１０及びリレー回路ＲＬＹが直列に配置されている。逆流防止回路１５０は、ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とを備えている。ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とは並列に接続されており、順方向が同じである。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子１ｂから所定距離離間した位置にゲート制御端子５を備え、サージ発生時にドレイン端子１ｂとゲート制御端子５との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子５にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子１のゲートを充電し、パワー半導体素子１をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子１ｂに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子１が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】主に自動車内の各種電子機器の操作に用いられる入力装置に関し、誤検出がなく、確実な操作が可能なものを提供することを目的とする。
【解決手段】第一の端子１７と第二の端子１８の間に複数のダイオード１３〜１６を直列に接続すると共に、第一の端子１７とダイオード１３〜１６に複数のスイッチ５〜８を接続し、制御手段１９がスイッチ５〜８の操作に応じた第一の端子１７と第二の端子１８からの電圧を減算して、操作されたスイッチを検出することによって、接続された電子機器３０が異なる抵抗値の抵抗３１や３２が設けられた機器に取替えられた場合でも、制御手段１９がどのスイッチが操作されたかを、値が一定のダイオードの電圧降下によって検出しているため、誤検出がなく、確実な操作が可能な入力装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ（１０）は、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と電源ライン（１５、１６）との間に接続された複数の静電破壊保護素子（１１Ｈ、１１Ｌ、１２Ｈ、１２Ｌ）と、複数のパッドのうち少なくとも２つのパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）に現れる印加電圧（Ｓ１１、Ｓ１２）が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部（１３）と、サージ検出部（１３）の検出結果（Ｓ１３）に応じてその動作が許可／禁止される内部回路（１４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】互いにオンオフ状態が反転するように制御すべき２つのスイッチング素子の特性に応じて容易にデッドタイムを調整可能なスイッチ制御装置を提供する。
【解決手段】互いにオンオフ状態が反転するように制御する第１及び第２のスイッチング素子を備えるスイッチ制御装置であって、前記第１及び第２のスイッチング素子の内、一方のスイッチング素子に出力する制御信号をオフレベルに切替えた時点から、コンデンサの容量で設定される設定期間後に他方のスイッチング素子に出力する制御信号をオンレベルに切替える信号を出力する制御信号生成回路を備える。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 特殊なスイッチを用いず、手動による動作停止およびコントロール回路からの制御による動作停止が可能であり、無駄な電力消費が少ない電源回路を提供する。
【解決手段】 リレースイッチＳＷ２がＯＦＦの状態でスイッチＳＷ１が押圧されると、交流電圧が給電線１０１および１０３間に与えられ、負荷４００に対する直流電圧が立ち上がる。すると、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＮさせる。このとき、充電回路１１０および１２０では、電解コンデンサＣ１およびＣ２の充電が行われるが、電解コンデンサＣ２の充電電流が小さいため、ＬＥＤ１０４は発光しない。リレースイッチＳＷ２がＯＮの状態で、スイッチＳＷ１が押圧された場合、放電回路１３０が開くため、電解コンデンサＣ２が急速充電される。この場合、ＬＥＤ１０４が発光し、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＦＦにする。 （もっと読む）

【課題】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦを切り換えること
によって生じる電力損失を抑制する。
【解決手段】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子に対して並列に還流ダイオー
ドを設けておく。そして、何れのスイッチ素子もＯＦＦの期間（デッドタイム期間）では
、ＯＮにしようとする方のスイッチ素子に設けられた還流ダイオードに順方向電圧がかか
ったら、デッドタイム期間を終了して、一方のスイッチ素子をＯＮにする。こうすれば、
二つのスイッチ素子の寄生容量での電荷の回生および充電が完了した後に、スイッチ素子
をＯＮに切り換えることができるので、ＯＮにしようするスイッチ素子の寄生容量に蓄え
られた電荷が、ＯＮにしたスイッチ素子を流れて電力損失が発生することを回避すること
が可能となる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加に制限があるスイッチング素子を高い周波数で高速にスイッチングできる半導体スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ダイオードＤａ１及びスイッチＳａ１，スイッチＳａ２及びダイオードＤａ２で正側，負側直列回路を夫々構成し、コンデンサＣ１，Ｃ２を正側，負側直列回路に夫々並列に接続し、スイッチＳａ１，Ｓａ２によりゲート駆動用電源３とコンデンサＣ１，Ｃ２の間の接続形態を切替える。スイッチＳ１及びＳ２の共通接続点とＦＥＴ１のゲートとの間に抵抗素子Ｒｇを接続し、前記ゲートとゲート駆動用電源３の正側端子との間にスイッチＳ３を配置する。通電制御回路４は、スイッチＳａ１，Ｓａ２，Ｓ１〜Ｓ３を制御してコンデンサＣ１，Ｃ２を充電する経路，ＦＥＴ１のゲートを充電する経路，ゲートの電位が電圧ＶＧを超えようとする際にゲート駆動用電源３に還流電流を流す経路と、ＦＥＴ１のゲートを放電する経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電力伝送効率がよく、より小型のスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るスイッチング素子駆動回路は、電力変換装置を構成するスイッチング素子と、前記スイッチング素子のオン／オフを切り替えるためのゲート信号を発生する制御演算手段と、前記ゲート信号を変調する為の所定周波数の交流信号を発生する発振手段と、前記発生されたゲート信号の立ち上がり及び立下りの各所定時間内において、前記交流信号の振幅を変化させ、前記ゲート信号を変調する変調手段と、前記変調手段にて変調されたゲート信号を復調し、前記スイッチング素子のゲートに供給する復調手段と、
前記制御演算手段と前記スイッチング素子間の絶縁を確保した上で、前記変調手段にて変調されたゲート信号を前記復調手段に伝送し、プリント基板上に実装されたトランスとを具備する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、オフ駆動用回路１２２と、制御回路１２８とを備えている。オン駆動用定電流回路１２１は、電流制御用ＦＥＴ１２１ａと、電流検出用抵抗１２１ｂとを有している。制御回路１２８は、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいて電流制御用ＦＥＴ１２１ａを制御し、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに定電流を流し込み、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンする。オン駆動用定電流回路１２１の電流制御用ＦＥＴ１２１ａや電流検出用抵抗１２１ｂが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路１２１の異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用定電流回路１２１が故障して、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路１２２の電流を調整する。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路１２１が故障しても、ＩＧＢＴ１１０ｄの破損を抑えて駆動することができる。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アレイを含む電力切替システムを提供すること。
【解決手段】切替システム（４）は、ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、複数のダイオードに接近して結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）とを含む。ＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）は（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続される。（Ｍ×Ｎ）アレイは、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）に並列に電気的に接続された第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）を含む。第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）は直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイを含み、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）は直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイを含む。 （もっと読む）

【課題】モータ駆動装置内で駆動信号経路のオープン故障が発生した場合にも、モータ駆動回路のトランジスタを安全、確実にオフ状態とする。
【解決手段】モータ駆動回路３のトランジスタＱ１〜Ｑ６に駆動信号を供給してトランジスタをオン・オフ制御するトランジスタ駆動回路５を備えたモータ駆動装置において、トランジスタＱ１〜Ｑ６のゲート・ソース間（またはベース・エミッタ間）に、トランジスタ駆動回路５からトランジスタＱ１〜Ｑ６への駆動信号経路上にオープン故障が発生した場合に、トランジスタＱ１〜Ｑ６をオフさせるための抵抗体Ｒｇｓ及び／又はコンデンサＣｇｓを接続すると共に、抵抗体、コンデンサをトランジスタの内部に配置したもの。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】高周波信号が通る信号線と、オーディオ信号が通る複数の信号線が合流して使用される場合において、高周波信号およびオーディオ信号に発生する歪成分を抑制する。
【解決手段】高周波信号を伝送可能なケーブルの端子と、オーディオ信号を専用に伝送するケーブルの端子を共通に挿し込むことができる共通端子５０からの信号線は二つに分岐して、高周波系スイッチ（ＵＳＢスイッチ１０）の一端と、第１階層のオーディオ系スイッチ（オーディオスイッチ２０）の一端にそれぞれ接続される。高周波系スイッチの他端からの信号線は目的の回路に接続される。第１階層のオーディオ系スイッチの他端からの信号線は複数に分岐して、それぞれ第２階層のオーディオ系スイッチ（ヘッドホンスイッチ２１、マイクスイッチ２２）の一端に接続される。第２階層の複数のオーディオ系スイッチの他端からのそれぞれの信号線はそれぞれの目的の回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）