【課題】 半導体スイッチが故障することを抑制することのできるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】
電源装置１は、電流路内に配置されオン・オフ動作可能なメインＦＥＴ１３１と、メインＦＥＴ１３１にオン・オフ動作を行わせる制御部１９と、メインＦＥＴ１３１の温度を検出する第１サーミスタ１３４と、電流路内においてメインＦＥＴ１３１と並列に配置されオン・オフ動作可能なサブＦＥＴ１３２と、を備え、制御部１９は、メインＦＥＴ１３１の温度が所定温度を超えた場合に、オン・オフ動作を行わせるＦＥＴをメインＦＥＴ１３１からサブＦＥＴ１３２に切り替える。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】負荷と直列に電流検出用のトランジスタを介在させることなく、オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】オン指令期間では、センストランジスタ２３が負荷電流を検出する。オフ指令期間では、制御装置２５は、オン指令期間に取得した少なくとも２つの時点の検出電流値を用いることにより、既知の電源電圧ＶＢの下でリニアソレノイド２の時定数情報を算出し、その時定数情報と、オフ指令期間に移行する前に検出したオン指令期間の電流、電源電圧ＶＢなどに基づいて、オフ指令期間における負荷電流を演算する。コンパレータ２４は、オフ指令期間において出力電圧Ｖoutと基準電圧Ｖrefとを比較し、制御装置２５は、比較結果に基づいて還流ダイオード６のオープン故障を検出する。 （もっと読む）

【課題】可変ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供する。
【解決手段】熱によるＦＥＴのソース及びドレイン間の電流減少の問題を効果的に解決し、またＦＥＴの温度を低めることができる可変ゲートＦＥＴ及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供し、可変ゲートＦＥＴは、ＦＥＴと、ＦＥＴの表面または発熱部分に取り付けられ、回路的には、ＦＥＴのゲート端子に連結されておりゲート端子の電圧を変化させるゲート制御素子と、を備え、ＦＥＴの温度が所定温度以上に上昇しているときに、ゲート制御素子が、ゲート端子の電圧を変化させて、ＦＥＴのソース及びドレイン間のチャンネル電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するスイッチング素子を適正な温度範囲で駆動させる技術を提供する。
【解決手段】通常制御状態では、ＭＣＳ２０は、電源電圧や指示値等に基づき、モータ６０の動作状態をＰＷＭ駆動、ＤＣ駆動及び出力停止に遷移させる。ＭＣＳ２０は、自己診断出力回路４０の出力や温度検出回路７０の出力のモニタリングの結果、異常が発生していると判断した場合、ＭＣＳ２０はモータ６０のモータ制御状態を、フェイルセーフ制御Ｉに遷移させる。ここで、ＰＷＭ駆動中であれば、ＭＣＳ２０は、温度検出回路７０の出力に基づいてＩＰＳ３０の温度を算出し、所定温度以上、例えば１１０度以上であると判断すると、モータの駆動態様をＰＷＭ駆動からＤＣ駆動へと遷移させる。 （もっと読む）

【課題】 温度検出素子を備えた集積回路に、温度検出素子が検出した温度情報を出力する機能を追加しつつ、端子数の増加を防止する。
【解決手段】 第１の抵抗と温度検出素子が直列に接続された第１の直列回路と、前記第１の抵抗とトランジスタが直列に接続された第２の直列回路と、駆動対象を駆動する駆動回路が停止すべき状態であることを検出した場合に、前記トランジスタをオンすることにより、前記第２の直列回路の接続点に前記駆動回路の動作を停止させるための制御信号を発生させる検出回路と、前記第１の直列回路の接続点および前記第２の直列回路の接続点に共通に接続される端子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】並列接続される複数の半導体スイッチング素子の温度および流れる電流のアンバランスを容易で簡便に抑制する。
【解決手段】基準駆動信号Ｌｉｎのターンオンとターンオフの双方のタイミングが所定時間遅れた遅延駆動信号Ｌｄを遅延回路９にて発生し、基準駆動信号Ｌｉｎと遅延駆動信号Ｌｄとを切り替えて、並列接続される各ＩＧＢＴ１、４の駆動信号Ｓ１、Ｓ２を生成する信号生成回路７を備え、各ＩＧＢＴ１、４の温度を比較して、低温側のＩＧＢＴ１に遅延駆動信号Ｌｄを用い、高温側のＩＧＢＴ４に基準駆動信号Ｌｉｎを用いることで、低温側のＩＧＢＴ１のスイッチング損失を増大させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子として電圧制御型トランジスタを備えた駆動回路において、回路規模の大型化や制御装置の処理負荷の増加を招くことなく、スイッチング素子の発熱を抑制しつつスイッチングノイズを低減できるようにする。
【解決手段】エンジンＥＣＵのＭＰＵ２から出力されるチャージ駆動信号によりチャージＳＷ２６がオン／オフされて、コンデンサ２８にインジェクタ４開弁用の高電圧を蓄積するインジェクタ駆動回路において、チャージＳＷ２６を構成しているＭＯＳＦＥＴのゲート抵抗として、ＮＴＣ型のサーミスタ３０を用いる。この結果、チャージＳＷ２６の低温時には、ゲート抵抗が大きくなってスイッチングノイズが抑制され、チャージＳＷ２６の温度が上昇すると、ゲート抵抗が低下して、チャージＳＷ２６の発熱が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 温度が上昇しても負荷駆動素子の発熱増大を抑制し、装置の小型化を可能とする。
【解決手段】 開示される負荷制御装置では、三角波生成回路１は、定電圧Ｖｃに接続された、トランジスタＱ２〜Ｑ４からなるカレントミラー回路（定電流源）、トランジスタＱ５〜Ｑ７からなるカレントミラー回路（定電流源）及び抵抗Ｒ２により得られる定電流に基づいて、コンパレータＣＰ１がコンデンサＣ１の電圧ＶＣ１と基準電圧Ｖｔ１とを比較することにより、コンデンサＣ１の充放電を切り換えて三角波信号を生成している。この負荷制御装置では、カレントミラー回路（定電流源）を構成するトランジスタＱ２に対して、温度の上昇に伴ってその特性が変化するダイオードＤ１を付加している。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータ，センサおよび負荷を含む入出力機器のインタフェース（ＡＳ−ｉ）用スレーブの過負荷・短絡保護回路の改良。
【解決手段】スレーブ主回路１Ａを持ち、ＡＳ−ｉ電源を供給されるスレーブ１に設けられるトランジスタＴ１〜Ｔ４，抵抗Ｒ１〜Ｒ７およびコンデンサＣ１等からなる過負荷・短絡保護回路に対し、コンデンサＣ３を付加して一定時間以下の過電流では動作しないようにしたものに、さらに抵抗Ｒ１０（または抵抗とＰＴＣサーミスタの直列回路）を設け、過負荷・短絡保護回路が動作した場合でも抵抗Ｒ１０を通して電流Ｉ２を流し、センサ電源電流Ｉが０にならないようにすることで、センサ接続時の突入電流を減衰させ、センサへ正常に電源供給できるようにする。 （もっと読む）