【課題】高周波で作動でき、電力散逸量が少なく、共通モードの変化に対して耐性を有するレベルシフトデバイスを提供する。
【解決手段】第１電圧レベル（１３）で作動する入力側（１４）と、第２電圧レベル（５３）で作動する出力側（５４）と、入力側と出力側とを接続するレベルシフト回路（４８）とを備え、入力回路は、第１電圧レベルを基準とする入力信号（１４）を受信し、入力信号の変化に対応する出力信号を発生する。レベルシフト回路は、ＭＯＳＦＥＴ（２８）を備え、ＭＯＳＦＥＴのゲートは、入力回路の各出力に接続され、ソース−ドレインパスは、第２電圧と第１電圧の基準との間に結合されている。出力側は、微分回路トポロジー（５０）を有し、入力信号の変化を対応する信号をサンプリングし、その変化の間のサンプルをホールドする第１回路（５６）と、微分された形態でホールドされたサンプル信号を受信して、シングルエンド形態に変換する出力回路（５４）を有している。 （もっと読む）

データ保持モードのために回路をパワー・ダウンする方法は、電源電圧ノードを能動状態の電源電圧レベルから非能動状態の電源レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのソースを電源電圧ノードに接続する工程と、Ｐチャネル・デバイスのバック・ゲートに保持用電源電圧レベルを供給する工程と、Ｐチャネル・デバイスのドレイン電圧を保持用電源電圧レベルとは異なる基準電圧レベルに変更する工程と、Ｐチャネル・デバイスのゲート電圧を基準電圧レベルに変更する工程とを含む。
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小型でかつ広帯域な特性を持つ移相回路を提供するもので、スルーとキャパシタンスの容量とを切り替える第１のスイッチング素子と、スルーとグランドに対するキャパシタンス
の容量とを切り替える第２のスイッチング素子と、インダクタンスをもつ第１および第２のインダクタとを備え、第１と第２のスイッチング素子の一端同士を第１のインダクタで接続し、第１と第２のスイッチング素子の他端同士を第２のインダクタで接続し、第１のスイッチング素子の一端を高周波信号入力端子に接続し、第１のスイッチング素子の他端を高周波信号出力端子に接続して、定の条件をを満たす移相器を構成する。 （もっと読む）

【課題】回路電源を高速化または低電圧化しても安定な動作が可能で、高速化または低消費電力化に適した信号伝送回路を提供する。
【解決手段】複数の単位回路で構成され、駆動パルスに従って単位回路からパルス電圧が順次出力される。単位回路は、駆動パルスをドレインに入力して、パルス電圧としてソースから出力する第１の出力トランジスタ（Ｔ１２）と、第１の出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続された第１のブートストラップ容量（Ｃ１１）と、第１のブートストラップ容量を充電するために、ソースが第１の出力トランジスタのゲートに接続され、ドレインが電源線または接地線あるいは充電パルス線に接続された充電トランジスタ（Ｔ１１）と、一端が充電トランジスタのゲートに接続された第２のブートストラップ容量（Ｃ２２）とを備える。 （もっと読む）

本発明は複数の誘導負荷を制御する装置に関する。この装置は、
複数の制御段から成る少なくとも１つの第１のグループと、
前記グループの制御段に共通した再導通化回路とを有しており、
前記制御段の各々は、
− 誘導負荷のためのボンディングパッドと、
− 導通化信号のための受信入力側と、
− 前記受信入力側に接続された制御電極と前記ボンディングパッドに接続された出力電極とを有するスイッチと、
− 前記ボンディングパッドに印加された電圧を測定し、該電圧がイネーブルレベルに達した場合にイネーブル信号を発生させるイネーブル回路を有しており、
前記再導通化回路は、前記グループの制御段のボンディングパッドにおける電圧を前記グループの各制御段のイネーブルレベルよりも高い共通のレベルに制限し、前記制御段のうちの１つのイネーブル回路がイネーブル信号を発生した場合に、導通化信号を該制御段のスイッチの制御電極に印加する。
本発明は、特に、ボンディングパッドに接続された負荷に対して同じ給電持続時間を保証するために使用することができる。
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携帯電子機器（１０２）には周辺コンポーネント（１０４）が取り付けられ、この周辺コンポーネント（１０４）はオプション選択回路を使用して周辺コンポーネントのオプションクラスを示す。オプション選択回路は、携帯電子機器に割り込みを生成し、次いで種々のオプション論理ラインの論理レベルの変更により、オプションクラスを決定する。オプション選択ラインのうちの一つの論理状態の反転が検知されると、携帯電子機器はオプション選択回路のプレゼンスを知り、従って周辺コンポーネントのオプションクラスを決定する。
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【解決手段】ハーフブリッジスイッチング回路で使用するためのブートストラップダイオードエミュレータ回路が提供される。スイッチング回路は、負荷ノードにおいてトーテムポール構造の形で互いに繋がれているトランジスタと、これらのトランジスタを駆動するための駆動回路と、高圧側駆動回路に電力を供給するためのブートストラップコンデンサとを含む。ブートストラップダイオードエミュレータ回路は、ゲート、バックゲート、ソース、およびドレインを有し、そのドレインを高圧側供給ノードに結合され、そのソースを低圧側供給ノードに結合されているＬＤＭＯＳトランジスタと、ＬＤＭＯＳトランジスタのゲートに電気的に結合されているゲート制御回路と、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに電気的に結合されているダイナミックバックゲートバイアス回路とを備える。ダイナミックバックゲートバイアス回路は、ＬＤＭＯＳがオンにされたときに、ＬＤＭＯＳトランジスタのドレインの電圧に近いけれども同電圧よりも僅かに低い電圧をＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに印加することによって、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートを動的にバイアスするように動作可能である。 （もっと読む）

増幅回路はキャパシタ構造（４２）と切替装置とを備える。キャパシタ構造は、電圧依存性静電容量を有する第一のキャパシタ（Ｃ_２）と第二のキャパシタ（Ｃ_１）（これもまた電圧依存性としてよい）とを有する。同回路は２つのモードで、すなわち少なくとも第一のキャパシタの一端子に入力電圧が提供される第一のモードと、切替装置によって第一及び第二のキャパシタ同士の間で電荷の再配分が起こることにより、第一のキャパシタにかかる電圧が変化し第一のキャパシタの静電容量が減少し、出力電圧が第一のキャパシタにかかる電圧に依存する第二のモードとで、動作可能である。本発明は電圧制御静電容量をキャパシタ間の電荷共有と併せて使用するものであり、これにより、結果的に電圧増幅特性が提供される。よってこの機構は、アナログ電圧の増幅に、または固定レベル（すなわちデジタル電圧）の昇圧に利用できる。よって本発明の回路は、レベルシフトまたは増幅のために、例えばアクティブマトリクスアレイ装置のピクセルでの用途に使用できる。
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共振ゲートドライバ回路は、例えば、ＭＯＳＦＥＴの効率的なスイッチングを提供する。しかし、共振ゲートドライバ回路は、高いスイッチング周波数が必要とされる用途を可能にさせないことがしばしばある。本発明によれば、共振ゲートドライバ回路のインダクタのプリチャージングが実行される。これは、ＭＯＳＦＥＴの極めてエネルギー効率が良い高速な動作を可能にさせる。
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【解決手段】本発明の双極単投（ＤＰＳＴ）スイッチは、第１入力ポートに対応する第１回路部と、第２入力ポートに対応する第２回路部と、及び出力ポートを有するスイッチ回路とを具備する。ここで、第１及び第２の回路部の各々は、分離チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第１トランジスタと、送信チャンネルの一部を提供する少なくとも１個の第２トランジスタと、送信チャンネル又は分離チャンネルのいずれかを選択する制御バイアスを提供する少なくとも１個の第３トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【解決手段】開示される双方向スイッチ（２０）は、第１および第２の半導体スイッチング素子（２２）と、これらのスイッチング素子に直列に接続されることによって直列回路を形成する電流センサ（ＲＳ）と、これら第１および第２のスイッチング素子がほぼ同時にオン・オフされるようにこれら第１および第２のスイッチング素子のオン・オフ操作を制御する駆動回路（３０）であって、制御入力に応じてこれら第１および第２のスイッチング素子をオンにしたり電流センサの電流がほぼゼロ電流近くまで低下する際にこれら第１および第２のスイッチング素子をオフにしたりする駆動回路と、を備える。また、このような双方向スイッチ（２０）を用いたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用の放電サステイン駆動回路も開示される。 （もっと読む）