【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器を有するマイクロ波受信機において、小形な保護回路で、大電力のマイクロ波信号が入力されたときの後段増幅器の破壊・劣化を防ぐとともに、前段増幅器への反射電力を抑圧する。
【解決手段】この発明のマイクロ波受信機の前段増幅器の出力端と後段増幅器の入力端の間に挿入接続される保護回路は、その入力端子から出力端子へ至る使用周波数で約４分の１波長の伝送線路と、前記入力端子に一端が接続された第１の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にカソード端子が接続されアノード端子が接地されたダイオードと、前記バイアス端子と前記ダイオードのカソード端子間に接続された第２の抵抗と、前記ダイオードのカソード端子と前記ゲートバイアス回路間に接続された第３の抵抗と、から構成した。 （もっと読む）

【課題】高さを抑えつつ、バイアスラインの寄生容量を低減し、バイアスラインの長さが高周波的に短く見えるのを防ぐことができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】多層基板１１上に半導体チップ１２が実装されている。多層基板１１は、交互に重なった複数の樹脂材３１〜３３及び複数の導体３４〜３６と、最下層の樹脂材３１の下面に設けられた接地電極３７とを有する。半導体チップ１２は、増幅用トランジスタ２１，２２を有する。導体３４は、増幅用トランジスタ２１，２２に駆動電圧を供給するためのバイアスライン２７，２８を有する。最下層の樹脂材３１の厚みは、最上層の樹脂材３３の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】広帯域にバイアス回路の損失が小さく、雑音特性が良好なマイクロ波増幅器を得る。
【解決手段】ゲートに入力端子２が接続され、かつドレインに出力端子３が接続された電界効果トランジスタ１と、入力端子２及び出力端子３を結ぶ信号線に接続されたバイアス回路４とを設けたマイクロ波増幅器であって、バイアス回路４は、前記信号線に一端が接続された１／４波長伝送線路４１と、１／４波長伝送線路４１の他端に接続された１／４波長オープンスタブ４２と、１／４波長伝送線路４１の他端に接続された抵抗４３と、抵抗４３に一端が接続された１／４波長伝送線路４６と、１／４波長伝送線路４６の他端に一端が接続され、他端が接地されたキャパシタ４４とを含む。 （もっと読む）

【課題】 少ない部品点数で小型化を可能にしたマルチバンドに対応出来るバイアス回路を提供する。
【解決手段】 交流信号が供給されるバイアス点２１０に一端を接続する第１のリアクタンス手段２と第２のリアクタンス手段５と、第１のリアクタンス手段２の他端を接地する容量性手段３と、第１のリアクタンス手段２と容量性手段３との接続点に直流バイアス信号を供給する直流回路４とを備え、交流信号供給点から第１のリアクタンス手段２及び第２のリアクタンス手段５側を見た総合のアドミタンスがゼロになるように第１，第２のリアクタンス手段２，５のリアクタンス値を設定した。 （もっと読む）

【課題】非対称電力駆動を用いて高効率を維持しながら最適の線形性を達成するドハーティ増幅器を提供する。
【解決手段】非対称電力駆動器５００，伝送ライン５０２，互いに並列に連結されているキャリア増幅器５０４及びピーク増幅器５０６、オフセットライン５０８，第１λ／４伝送ライン５１０，及び第２λ／４伝送ライン５１２から構成される。 （もっと読む）

電気回路が形成されているウェハ上にアクティブ・バイアス（１０）が形成され、電気回路に追加的に印加される入力信号に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。具体的には、アクティブ・バイアス（１０）は、少なくとも１つのトランジスタを備え、電気回路に影響を及ぼすウェハ・ロット変動がアクティブ・バイアスの特性に対し相応して影響を及ぼすように、電気回路を形成するトランジスタ（１０）と同型であることが好ましい。アクティブ・バイアス（１０）は、ドレインが電気回路の出力に電気的に接続された１つの電界効果トランジスタ（１０）を備える。加えて、ドレインはトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタ（１０）を流れる電流は、トランジスタ（１０）のドレインおよびトランジスタのゲートにそれぞれ電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。この電圧（Ｖｏｕｔ）は次いで、電気回路にバイアス電圧として印加される。この回路で、トランジスタ（１０）を流れる電流はウェハ・ロット変動のため変動し、その結果、電気回路に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）が相応して変化する。アクティブ・バイアス（１０）はさらに追加トランジスタを備えることができ、各トランジスタ（１０）のチャネルは他のトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタを流れる電流は、トランジスタが流れる電流を過度に増減させるのを防止するために相互に調整される。
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【課題】 モノリシックアレイについての改良されたバイアス線バイパス技術を提供する。
【解決手段】 バイアス線バイパス構造(300)が具備する複数のバイアス線バイパス回路（306）は、複数のアンプユニット（202）のそれぞれの周囲の少なくとも一部において繰り返し構造を構成し、アンプユニットとグリッドバイアスネットワーク（204）との間のＲＦ電流フローを減少させる。各バイアス線バイパス回路は、薄膜キャパシタ（308）と、誘導ワイヤブリッジ（310）と、グランドビア（314）に接続された薄膜抵抗（312）と、を具備し得る。薄膜キャパシタは、誘導ワイヤブリッジの関連する１つおよび薄膜抵抗の関連する１つと共振してＲＦ周波数に亘ってＲＦ電流フローを分流するよう選択された異なる値を有する。実施形態によっては、誘導ワイヤブリッジは、薄膜キャパシタの関連する１つがグランドにショートした場合に回路を開放する誘導ワイヤブリッジヒューズを具備し得る。 （もっと読む）