【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】プリントインダクタのＱ値を高く設定してもその形成面積を小さくすることができるなどの新規のプリントインダクタおよびその製造方法ならびに電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本実施形態のプリントインダクタ１は、第１のインダクタパターン１０、第２のインダクタパターン２０および接続部材３０（例えば、第３のインダクタパターン３０Ａ）を備えている。第２のインダクタパターン２０（または第１のインダクタパターン１０）における遠方部分２０ａ（または１０ａ）の幅寸法は、その近接部分２０ｂ（または１０ｂ）の幅寸法よりも小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置に関し、複雑な成膜工程や微細加工の必要がない簡単な素子構造によりマイクロ波発振を可能にする。
【解決手段】強磁性体層１１とスピン軌道相互作用を有する金属層１２との積層構造からなり、金属層両端の端子１３_１、１３_２との間に電源１４から電圧を印加して、金属層１２に電流を流す事で、スピンホール効果により金属層１２から強磁性体層１１へ純スピン流が注入され、マイクロ波発振を励起する。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、位相雑音特性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、能動素子としての集積回路１２と、集積回路１２に電気的
に接続される複数の接続電極（１４，１５）とを含む半導体基板１０と、半導体基板１０
の接続電極１４，１５が形成される面に、接続電極１４，１５を避けて形成される第１の
樹脂層７０と、半導体基板１０と第１の樹脂層７０の間に形成され、複数の接続電極のう
ちの一つに接続される接続配線層２５，２６と、接続配線層２５，２６に一端が接続され
、第１の樹脂層の表面に形成されるＣｕ配線層からなる渦巻き形状のスパイラルインダク
タ４０，５０と、スパイラルインダクタ４０，５０の表面を覆う第２の樹脂層７５と、複
数の接続電極のいくつかと電気的に接続され、第２の樹脂層７５から一部が突出してなる
外部端子８１〜８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】容易、かつ、安価に製造でき、小型で高出力なサブミリ波帯発振器を実現できるようにする。
【解決手段】サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔１を有する基板２と、複数の貫通孔１に設けられた複数の導電性材料製の空洞共振器３と、複数の空洞共振器３のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子４と、複数の負性抵抗素子４に電気的に接続されたバイアス線路５とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ミクロ機械の可変／同調可能なインダクタを提供する。
【解決手段】本発明のインダクタは、空間電磁継手を支持することができる少なくとも二つの素子と、その幾何学的関係を変化させるための手段とを備える。上記素子の間の幾何学的関係を変化させると、インダクタのインダクタンスが変化する。ある実施形態の場合には、変化する幾何学的関係は、二つの素子の間の空間である。上記空間は、上記素子の間の差動運動により変化する。他の実施形態の場合には、本発明は、上記可変インダクタを内蔵する共振回路を含み、オッシレータは、上記共振回路を含む。 （もっと読む）

【課題】特性の安定した誘電体共振器、及び、発振器を提供する。
【解決手段】 平板状セラミック誘電体からなる誘電体共振器であって、
４角形以上の多角形の平面形状を有しており、その角部が丸められている。 （もっと読む）

【課題】２個以上の値の間で切替え可能なインダクタンス値を有する可変集積インダクタについて記載する。
【解決手段】好適な実施形態において、可変集積インダクタは、一対の２次インダクタに電磁結合されたマルチループ１次インダクタを含んでいる。２次インダクタは互いに接続されて閉回路を形成しており、その内部で２次インダクタは、マルチループ１次インダクタにより出力されるインダクタンス値を変化させるように直列接続と並列接続との間で切替え可能な可変トポロジを有している。一応用例において、可変集積インダクタは、マルチバンドＲＦ無線トランシーバ（例えば、無線通信装置）で使用可能な種類である電圧制御発振器（ＶＣＯ）内で用いられる。他の応用例において、可変集積インダクタは、同調増幅器負荷、インピーダンス整合ネットワーク、デジタル制御発振器、または他の任意の種類の周波数選択ＬＣネットワークに利用可能である。 （もっと読む）

電磁界の放射を抑圧し、高いＱをもったＴＭＯ１０モード共振器装置、発振器装置および送受信装置を提供する。 誘電体基板１の表面１Ａと裏面１Ｂにそれぞれ円形状の共振器電極２Ａ，２Ｂを互いに対向して設け、ＴＭＯ１０モード共振器２を形成する。また、誘電体基板１には、円形状の共振器電極２Ａ，２Ｂに沿って内壁面３Ａの電極が省かれた複数のスルーホール３を設け、これらのスルーホール３によって開放端を形成する。これにより、誘電体基板１内に形成される電磁界をスルーホール３と空気との境界で全反射させることができ、電磁界の放射を抑圧することができる。
（もっと読む）

本発明は、ＹＩＧフィルタ（２）又はＹＩＧ発振器用のカップリング導体（１）に関する。前記導体は、金属箔（７）の侵食、レーザー切断及び／又はエッチングにより、金属箔から製作される。本発明によれば、カップリング導体（１）は、ＹＩＧ要素（６）を少なくとも部分的に囲む少なくとも１つの湾曲部（１７）と、少なくとも１つの導体部（１８）とを具備する。
（もっと読む）

【課題】 発振周波数の調整が確実かつ容易であり、しかもその構成が比較的簡単であって組立作業も容易なマイクロ波発振器を提供する。
【解決手段】 マイクロストリップラインを共振器として、トランジスタ３のエミッタ端の容量性スタブ１３、およびトランジスタ３の内部容量とを帰還容量とするマイクロ波発振器において、誘電体基板１４の表面の一部に接地導体膜（ＧＮＤ面）１７を形成するとともに、接地導体膜１７上に所定の距離隔てた状態で該接地導体膜を跨ぐ橋形状に配置した帯状の金属片１配置してマイクロストリップライン共振器を構成し、金属片１と接地導体膜１７との間に発振周波数を微調整する誘電体板２配置する。この誘電体板２をマイクロストリップライン共振器と交差する方向に移動することによりマイクロストリップライン共振器の実効長を変化させて発振周波数を微調整する。 （もっと読む）