【課題】情報通信の安定化を図りうる通信装置を提供する。
【解決手段】通信装置は、送信機１と受信機２を含む。送信機１は、送信すべき情報ＩＮを変調して出力する変調回路３と、この変調回路３からの送信出力信号を放射する送信アンテナ電極４と、を有する。受信機２は 送信アンテナ電極４と対をなし、送信アンテナ電極４から放射された送信出力を受信する受信アンテナ電極５と、この受信アンテナ電極５と送信アンテナ電極４との間に存在する準静電界の静電容量Ｃを回路要素として発振動作を行う発振回路６と、この発振回路６からの出力信号を復調する復調回路７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプを用いずに、出力周波数の精度を高くすることのできる自動調整発振器を提供する。
【解決手段】発振器１０は、発振回路１１、第１電圧供給回路１３、第２電圧供給回路１４及び調整値生成回路１６を備えている。第１電圧供給回路１３は、基準時間で第１電圧Ｖ１が基準電圧Ｖrefに到達するような時定数となる抵抗値の抵抗器Ｒ１とキャパシタン
スのキャパシタＣ１とを備える。第２電圧供給回路１４は、発振回路１１の周波数に応じたパルス信号Ｓ１，Ｓ２によってスイッチングを行なう第１及び第２スイッチング手段ＳＷ１，ＳＷ２によって第２電圧Ｖ２を上昇させる。調整値生成回路１６は、第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも先に基準電圧Ｖrefになった場合には、周波数を低くする調整値を
発振回路１１に供給し、第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも遅れて基準電圧Ｖrefになっ
た場合には、周波数を高くする調整値を発振回路１１に供給する。 （もっと読む）

【課題】位相雑音が小さく低電源電圧動作と高周波信号の発振が可能な、ＬＳＩ化ＬＣ発振回路またはＬＳＩ化電圧制御ＬＣ発振回路を提供する。
【解決手段】トランジスタ素子の出力端子に負荷としてトランスの１次側インダクタ素子（１次コイル）と固定容量素子または可変容量素子とを並列に接続したものを接続し、該出力端子の信号を反転してトランジスタ素子の入力端子に信号電圧を帰還する形のＬＣ発振回路または電圧制御ＬＣ発振回路において、トランジスタ素子の出力端子の電圧波形と同相の電流波形を発生せしめるために、入力端子の電圧を増加させると出力端子に流れる電流が増加するような第２のトランジスタ素子、あるいは複数のトランジスタ素子を用いた可変利得の差動増幅回路を用意し、同相の電流をトランスの１次側インダクタ素子（１次コイル）に結合した２次側インダクタ素子（２次コイル）に流す。 （もっと読む）

【課題】 生産コストの増大を防ぎ、かつ、誘電体共振器の共振周波数の温度特性を安定させることが可能な誘電体共振器の実装構造ならびにそれを備えた誘電体発振器、低雑音ダウンコンバータおよびトランスミッタを提供する。
【解決手段】 誘電体共振器の実装構造は、基板１０１と、誘電体共振器１１０とを備え、基板１０１に貫通孔１０９が形成され、誘電体共振器１１０が実装される基板１０１の実装面における貫通孔１０９の断面が、誘電体共振器１１０が実装される領域の一部である。 （もっと読む）

本出願は、集積回路と一緒に形成されたフィードバック発振器装置（１０）を開示する。このフィードバック発振器装置は、接地面上に半導体材料基板を有している。この回路は、入力および出力を有して少なくとも部分的に前記半導体材料基板上に設けられた増幅器（１７）を有している。方向性結合器（１８）が、平行離間伝送線路（１８’、１８’’）伝達システムおよびバラクタなどのキャパシタ（２１）によって増幅器出力信号を増幅器入力に結合させるために使用される。前記基板は、ガリウムヒ素であってよい。
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【課題】バイポーラトランジスタを形成する半導体層のうち、ベース層とコレクタ層とで構成されるＰＮ接合及びバイポーラトランジスタを用いて同一半導体基板上に容量成分と直列に繋がる抵抗成分の小さい可変容量素子を備えた電圧制御発振回路を形成できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（ＢＰＴ）を形成する半導体層のうちベース層とコレクタ層とによって形成されるＰＮ接合を、単一のコレクタ層８に複数のベース層９を形成することによって複数個のＰＮ接合を形成すると共に、各ＰＮ接合を上記コレクタ層を共通として逆直列接続し、各ベース層間に発生する容量が共通のコレクタ層に印加する電圧に応じて変化するようにした可変容量素子３１を同一半導体基板６上に形成されたＢＰＴ１０と組み合わせて接続することにより電圧制御発振回路を形成する構成とする。 （もっと読む）