十分な減衰量を得ることができ、加えて、低損失かつ広帯域であるフィルタ装置を提供する。 通過帯域の相対的に低い第１のバンドパスフィルタまたは通過帯域が相対的に高い第２のバンドパスフィル
タとを含む通信システムの第１のバンドパスフィルタとして用いられるフィルタ装置であって、入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３が挿入されており、直列腕と基準電位とを結ぶ並列腕にそれぞれ、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２が接続されており、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２に直列にインダクタンスＬ１，Ｌ２が接続されており、インダクタンスＬ１，Ｌ２の挿入により生じた副共振の共振周波数が、該ラダー型フィルタに対して相手側のフィルタである受信側または送信側帯域フィルタの通過帯域内またはその近傍に位置されている、フィルタ装置１。 （もっと読む）

薄膜音響結合変成器(FACT)の一実施形態(100)は、減結合スタック型バルク音響共振器(DSBAR)を有し、DSBARは下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。FACTは更に、FBARの一方の電極に電気接続された第１の端子(132,134)と、FBARの他方の電極に電気接続された第２の端子(136,138)とを有する。別の実施形態(200)は、各々が上述したものと同じである複数のDSBAR(106,108)と、下側FBARを相互接続する第１の電気回路と、上側FBARを相互接続する第２の電気回路とを有する。FACTはインピーダンス変換を行い、シングルエンド回路を平衡回路に、又はその逆に接続でき、及び一次と二次との間に電気絶縁を提供する。いくつかの実施形態は更に電気的に平衡している。 （もっと読む）

薄膜音響結合変成器ＦＡＣＴ（４００）は、減結合された積層型バルク音響共振器、つまりＤＳＢＡＲ（１０６、４０８）と、第１の電気回路と、第２の電気回路とを有している。各ＤＳＢＡＲは、下側薄膜バルク音響共振器ＦＢＡＲ（１１０）と、上側薄膜バルク音響共振器ＦＢＡＲ（１２０）と、音響減結合器（１３０）とを有している。上側ＦＢＡＲは、下側ＦＢＡＲ上に積層されており、音響減結合器は、これらのＦＢＡＲ間に配置されている。各ＦＢＡＲ上は、向かい合う平面電極（１１２、１１４）と、これらの電極間の圧電要素（１１６）とを有している。第１の電気回路は、下側ＦＢＡＲ（１１０、４５０）を相互接続する。第２の電気回路は、上側ＦＢＡＲ（１２０、４６０）を相互接続する。１つのＤＳＢＡＲ（４０８）のＦＢＡＲの電気インピーダンスは、別のＤＳＢＡＲ（１０６）のＦＢＡＲと異なっている。ＦＡＣＴは、１：ｍ^２より大きいインピーダンス変換比を有しており、この場合、ｍはＤＳＢＡＲの数である。実際のインピーダンス変換比は、ＦＢＡＲのインピーダンスの比に依存する。 （もっと読む）

帯域フィルタ(100)は、下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。音響減結合器は、FBAR間の音響エネルギーの結合を制御する。特に、音響減結合器は、FBAR間での直接接触により結合されたものに比べて、FBAR間の音響エネルギーを少なく結合する。低減された音響減結合は、帯域内と帯域外の望ましい特性を帯域フィルタに与える。 （もっと読む）

基板(100)と、基板の上に配置された音響ブラッグ反射器(180)と、音響ブラッグ反射器の上に配置された圧電素子(116)と、圧電素子の上に配置されたリモート側電極(114)とを含む圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。音響ブラッグ反射器は、プラスチックブラッグ層(184)に近接配置された金属ブラッグ層(182)を含む。プラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスと金属ブラッグ層の金属の音響インピーダンスの比が大きいため、FBARと基板の間を音響的に十分に分離することができ、FBARと基板の間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
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ＦＢＡＲ（圧電薄膜共振器）スタックを含む温度補償型圧電薄膜共振器デバイス（１００）。ＦＢＡＲスタックはＦＢＡＲ（１１０）及び温度補償要素（１０９）を含む。ＦＢＡＲは、温度係数を有する共振周波数によって特徴付けられ、対向する２枚の平坦な電極（１１２、１１４）、及び、それらの電極間に配置された圧電素子（１１６）を含む。圧電素子は温度係数を有し、共振周波数の温度係数はその温度係数に少なくとも一部依存する。温度補償要素は、圧電素子の温度係数の符号とは反対の符号の温度係数を有する。
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基板(102)、基板の上に積み重ねられたFBARスタック(111)、FBARスタックを基板から音響的に分離する要素(104)、FBARスタックを覆うカプセル材料(121)、及び、FBARスタックの上面(113)とカプセル材料(121)の間に配置された音響ブラッグ反射器(190)からなるカプセル化圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。FBARスタックはFBAR(110)と、基板から離れたところにある上面(113)とを有する。FBARは対向する2枚の平坦な電極(112,114)と、それらの電極間に配置された圧電素子(116)とを含む。音響ブラッグ反射器は金属ブラッグ層(192)と、金属ブラッグ層に近接配置されたプラスチックブラッグ層(194)とを含む。金属ブラッグ層の金属とプラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスの比が大きいため、音響ブラッグ反射器はFBARとカプセル材料との間を音響的に十分に分離し、FBARとカプセル材料との間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
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薄膜音響結合変成器（ＦＡＣＴ）（２００）が、第１（１０６）および第２（１０８）の減結合積層型音響共振器（ＤＳＢＡＲ）を有する。各ＤＳＢＡＲは、下側薄膜バルク波共振器（ＦＡＢＲ）（１１０）、この下側ＦＢＡＲ上に設けられた上側ＦＢＡＲ（１２０）、およびこれらのＦＢＡＲ間に設けられている音響減結合器（１３０）を有する。各ＦＢＡＲは、対抗する平面電極（１１２、１１４）およびこれらの電極間に設けられている圧電要素（１１６）を有している。第１の電気回路（１４１）が、第１のＤＳＢＡＲおよび第２のＤＳＢＡＲの下側ＦＡＢＲ（１１０，１５０）に相互接続されている。第２の電気回路（１４２）が、第１のＤＳＢＡＲおよび第２のＤＳＢＡＲの上側ＦＢＡＲ（１２０、１６０）を相互接続されている。ＤＳＢＡＲの少なくとも１つには、音響減結合器および下側ＦＡＢＲおよび上側ＦＢＡＲの、音響共振器に隣接するそれぞれ１つの電極が、寄生キャパシタ（Ｃ_ｐ）を構成する。ＦＡＣＴは、寄生キャパシタと並列に電気的に接続されているインダクタをさらに有している。このインダクタによって、ＦＡＣＴのコモンモード除去比が増大する。
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減結合スタック型バルク音響共振器(DSBAR)デバイス(100)は、下側圧電薄膜共振器（FBAR）(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間の音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とからなる。音響減結合器は、異なる音響インピーダンスを有する音響減結合材料の複数の音響減結合層(182,183)を有する。複数の音響減結合層の音響インピーダンスと厚さは、音響減結合器の音響インピーダンス、ひいてはDSBARデバイスの通過帯域幅を決定する。次いで、プロセス互換性のある音響減結合材料を用いて、音響インピーダンス及び通過帯域幅を有する音響減結合器を作成することができ、その音響インピーダンス及び通過帯域幅は、係る音響インピーダンスを有するプロセス互換性のある音響減結合材料がないことに起因して、別な方法で得ることができない。 （もっと読む）

【課題】 音叉型圧電振動片に衝撃が加わっても、音叉型圧電振動片を実装するパッケージと振動腕が衝突するのを防止する音叉型圧電振動片および音叉型圧電振動片の実装方法を提供する。
【解決手段】 音叉型圧電振動片１０は、複数の振動腕１４を有する音叉型圧電振動片本体１６と、前記音叉型圧電振動片本体１６の長手方向と交わる方向に沿って形成され、前記圧電振動片本体１６に接続する短辺部１８と、前記短辺部１８から前記音叉型圧電振動片本体１６の長手方向に沿って形成し、衝撃緩和部２２を有する長辺部２０とを備えた構成である。 （もっと読む）

特にフィルムバルク音響波共振子（ＦＢＡＲ）又は固定実装バルク音響波共振子（ＳＢＡＲ）のようなバルク音響波（ＢＡＲ）共振子になる共振子構造体（１００）であって、少なくとも一つの基板（１０）と、前記基板（１０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの反射体層（２０）と、前記反射体層（２０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのボトム電極層（３０）、特にボトム電極と、前記ボトム電極層（３０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの圧電層（４０）、特にＣ軸垂直圧電層と、前記圧電層（４０）が前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間にもたらされるように前記ボトム電極層（３０）上及び／又は前記圧電層（４０）上にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つのトップ電極層（５０）、特にトップ電極とを有する共振子構造体をもたらすため、前記ボトム電極層（３０）と前記トップ電極層（５０）との間の非オーバラップ部の少なくとも一つの領域における少なくとも一つの空間上及び／又は少なくとも一つの空間内にもたらされるか、又は堆積される少なくとも一つの誘電層（６３、６５）が提案されている。本発明はこのような共振子構造体を製造する方法及びその用途にも関する。

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複数のバルク音響波共振器を有するラダー型のフィルタである。前記複数のバルク音響波共振器は、当該フィルタの入力端子と出力端子との間で直列の複数の直列共振器と、２つの直列共振器の間の接続とコモン端子との間に各々接続されている１つ以上のシャント共振器とを有し、前記直列共振器は、前記入力端子に接続された入力直列共振器と、前記出力端子に接続された出力直列共振器とを有する。前記シャント共振器は、１のアスペクト比を満足するように設計されており、前記直列共振器は、１とは異なるアスペクト比を満足するように設計されている。前記アスペクト比は、前記共振器の長さの幅に対する比として規定される。
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【課題】ＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、内側半径内に配置され、共振器体から間隔を置かれた第１電極、および環状共振器体の周りに配置され、外側半径から間隔を置かれた第２電極を含む。第１電極および前記第２電極は、共振器体の駆動および検出を提供する。ピエゾ抵抗検出およびピエゾ電気駆動／検出技術も利用されえる。全体の面積は１ｃｍ²よりも小さく、複数のアンカーによって支持基板上に配置される。基板は、駆動電極および検出電極を集積回路に接続するアンカーを持つＲＦトランシーバ集積回路を備えうる。共振器は、従来の半導体集積回路製造技術を用いて容易に製造される。 （もっと読む）

本発明は、多層高剛性キャップを有するシール空洞内に微細機械構造を製造するための方法を含む。キャップに用いられる高剛性材料は、パッケージングプロセスに内在する破壊的環境的影響力、及び環境的損傷から下にある微細構造体を保護する。
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【課題】 基材の上に形成された水晶薄膜と基材を利用した水晶振動子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による水晶振動子の水晶振動片２は、基材結晶５の表面にエピタキシャル成長させられた水晶薄膜１を加工して形成される。前記水晶振動片２を励振するのに必要な電極３ａ等は金属の蒸着膜で形成できる。前記基材１となる結晶は単元素半導体、化合物半導体または酸化物結晶とすることができる。基材を半導体として、そこに半導体回路を設け振動子と一体にモジュール化して利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】 基本波のＣＩ値を低く抑えながら、ＣＩ値比を一定に保持すると共に、基部を短くしても、振動片、素子間のＣＩ値バラツキを小さくし、並びに振動片全体も小型化できる振動片、これを有する振動子、この振動子を備える発振器及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 基部１１０と、この基部から突出して形成されている振動腕部１２１，１２２と、前記振動腕部の表面部及び／又は裏面部に溝部１２３，１２４が形成されている振動片であって、前記基部に切り込み部１２６が形成されていると共に、前記溝部の一部に電極部１２３ａ，１２４ａが形成され、前記振動腕部の側面の一部にも電極部１２３ｂ，１２４ｂが形成されていることで振動片１００を構成する。 （もっと読む）

【目的】振動特性を良好に維持した空間電界方式による高周波用の表面実装型水晶振動子を提供する。
【構成】一対の実装電極を外表面に有する表面実装容器内に水晶片を密閉封入してなる表面実装用の水晶振動子において、前記水晶片は両主面に厚みの小さい振動領域とこれより厚みの大きい補強部を外周に有する凹状として、第１励振電極を有する励振電極板を前記水晶片の一主面の補強部に接合し、前記表面実装容器の内底面には前記実装電極の一方と接続した端子電極と前記実装電極の他方と接続した第２励振電極とを形成し、前記水晶板の振動領域を前記内底面の第２励振電極に対向させるとともに、前記励振電極板の第１励振電極と前記内底面の端子電極とを導電性接着剤によって電気的に接続して前記水晶片を前記内底面に固着した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質の導電性接着剤により圧電振動素子をセラミックパッケージ内底面に接続しても、熱応力の発生に起因する諸特性の劣化を解決する表面実装型圧電デバイス（振動子、フィルタ）を提供する。
【解決手投】 圧電振動素子を表面実装型パッケージ内に片持ち保持で電気的機械的に接続する圧電デバイスであって、前記圧電振動素子の片面上のパッド電極と表面実装型パッケージ内底面上の導通パッドとの接続を硬質の導電性接着剤にて行ったものにおいて、パッド電極上の各導電性接着剤を結ぶ直線の延長上に圧電振動素子の主振動部が位置するように構成した。 （もっと読む）