【課題】電気機械結合係数とＱ値を両方共に大きくしたＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供することにある。
【解決手段】ＢＡＷ共振器は、ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面側に形成された下部電極２０と、下部電極２０におけるベース基板１０側とは反対側に形成された単結晶のＫＮＮからなる圧電層３０と、圧電層３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。ここで、下部電極２０の材料は、ベース基板１０に比べて圧電層３０との格子整合性が良好な材料を用いており、ＫＮＮからなる圧電層３０の場合、下部電極２０の材料としてはＬＮＯ又はＳＲＯを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】相互変調歪み（ＩＭＤ）の発生を抑制できる分波器を提供する。
【解決手段】分波器１００は、共振素子が梯子型に接続された送信フィルタ１００ａと、共振素子及び縦結合型弾性波フィルタ素子を含む受信フィルタ１００ｂとを備える。送信フィルタの共振素子うち送信フィルタ１００ａと受信フィルタ１００ｂとが接続される共通端１００ｘに最も近い共振素子と、受信フィルタ１００ｂの共振素子及び縦結合型弾性波フィルタ素子のうち共通端１００ｘに最も近い共振素子との少なくとも一方が、直列接続された複数の共振器１０１ａ，１０１ｂ；１０９ａ，１０９ｂ；１１１ａ，１１１ｂを含む共振器群で構成される。 （もっと読む）

【課題】低入力ロスと急峻なフィルター特性を持つ高周波フィルターを提供する。
【解決手段】本発明の音響共振器は、高音響インピーダンス材料層と低音響インピーダンス材料層とが交互に積層されてなる音響反射器と、前記音響反射器上に設けられた圧電膜を有する音響共振部とを備え、低音響インピーダンス材料層は酸化珪素（ＳｉＯ_Ｘ、１．８≦Ｘ≦２．０）を含み、かつ低音響インピーダンス材料層の音速はブリルアン振動を用いた測定法において６１００ｍ／ｓ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相互変調歪み（ＩＭＤ）の発生を抑制できる分波器を提供する。
【解決手段】分波器１００は、直列共振器１０１，１０３，１０５，１０７と並列共振器１０２，１０４，１０６とが梯子型に接続された送信フィルタ１００ａと、受信フィルタ１００ｂとを備える。送信フィルタ１００ａの共振器１０１〜１０７のうち、送信フィルタ１００ａと受信フィルタ１００ｂとが接続される共通端１００ｘに最も近い共振器１０１が弾性波共振器で構成されている。 （もっと読む）

【課題】軽量なねじり振動体を有するマイクロメカニカル共振器を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル共振器１は、基板２と、一方端が基板２に固定されたねじり振動体１１とを備えている。ねじり振動体１１には、空隙部が設けられている。空隙部は、たとえば、ねじり振動軸Ａと平行な方向に延び、ねじり振動体１１を貫通する孔３０として構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 振動漏れを十分に低減できる基部の長さを確保したうえで、全長を短くして小型化を図ること。
【解決手段】 基端から先端に向かって一方向に延在した状態で互いに平行に配置された一対の振動腕部１１、１２と、基端から先端に向かう途中位置で一対の振動腕部にそれぞれ接続された接続部１３ａを有し、該接続部を介して一対の振動腕部を一体的に支持する基部１３と、を備えた圧電板１０と、一対の振動腕部の外表面上にそれぞれ形成され、駆動電圧が印加されたときに一対の振動腕部を振動させる励振電極２０、２１と、基部の外表面上に形成され、一対の励振電極に対して電気的にそれぞれ接続された一対のマウント電極２２、２３と、を備え、基部の少なくとも一部分が一対の振動腕部の間に挟まれるように配置されている圧電振動片２を提供する。 （もっと読む）

【課題】結合共振器を有する機械的に結合されるＢＡＷ型音響共振器に基づく帯域通過フィルタ回路の帯域幅近傍における選択度を改良する。
【解決手段】基板１００と、音響共振器を支持し、これらの共振器を基板から絶縁するための音響ミラー１０１と、少なくとも一層の音響結合層１３０を介して互いに結合される上側共振器１２０および下側共振器１１０を有する第１構造（左）と、少なくとも一層の音響結合層２３０を介して互いに結合される上側共振器２２０および下側共振器２１０を有する第２構造（右）と、を有し、第１および第２構造の前記下側共振器は同一電極２１１、２１３を有する。フィルタは、第１および第２構造が、第５共振器３００を介して接続され、第５共振器の電極および圧電層は、いわゆる第１および第２構造の前記下側共振器のものである。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因する共振周波数変化を温度変化に対して受動的に補償した従来の静電振動子に比べ、広い温度範囲で共振周波数を一定に保つことが可能な静電振動子を提供する。
【解決手段】基板８に固定された振動体１と、前記振動体に対し間隙を隔て配置された電極２と、前記振動体に圧接する拘束体３、６及び４、５と、を備え、前記電極からの交流電圧によって前記振動体に振動が生じる静電振動子であって、前記振動体と前記拘束体が温度変化に起因して膨張、または収縮し、前記膨張、または前記収縮によって前記振動体と前記拘束体とが圧接する振動体圧接部に変化が生じ、前記振動体圧接部の変化によって前記振動体の振動範囲の長さが変化する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量による挿入損失の発生がなく、良好な共振特性を得ることが可能な共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成された共振子３とを備えたＢＡＷ共振器であり、共振子３が、支持基板１の上記一表面側において支持基板１の厚み方向に立設された柱状（円柱状）のコア電極３１と、コア電極３１の外周面を被覆した圧電材料部３２と、圧電材料部３２の外周面を被覆した外側電極３３とで構成されている。ここで、共振子３は、支持基板１の厚み方向に直交する断面において、コア電極３１、圧電材料部３２および外側電極３３それぞれの外周形状が円形状であり、コア電極３１と圧電材料部３２と外側電極３３とが同心円状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を大きくすることが可能な共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成された音響ミラー２と、音響ミラー２上に形成された共振子３とを備えたＢＡＷ共振器であり、共振子３が、支持基板１の上記一表面側において音響ミラー２上に形成された下部電極（主電極）３１と、下部電極３１上に形成された圧電層３２と、圧電層３２上に形成され下部電極３１と対をなす上部電極（主電極）３３と、支持基板１の厚み方向に直交する方向において圧電層３２を挟む形で形成された一対の補助電極３４，３５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】共振子のＱ値を向上させることが可能で且つ上部電極の形成のためのプロセス設計の自由度が高い共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上記一表面側に音響ミラー１２を形成し（図１（ａ））、支持基板１１と音響ミラー１２とからなるベース基板１上に、下部電極３１を形成してから、下部電極３１上にＰＺＴ層からなる圧電層３２を形成し（図１（ｂ））、その後、上部電極３３を形成する（図１（ｄ））。上部電極３３の形成にあたっては、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側の全面に金属材料（例えば、Ｔａなど）からなる金属膜３３ａを形成する金属膜形成工程を行い、その後、金属膜３３ａをパターニングするパターニング工程を行い（図１（ｃ））、その後、金属膜３３ａの表面側を硬化させる表面処理工程を行うことで高硬度部３３ｂを形成する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】共振子全体のＱ値を向上させることが可能な共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１の一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３との積層構造を有する共振子３を備えている。上部電極３３は、当該上部電極３３の電極材料に比べて機械的品質係数の高い絶縁材料からなり共振子３でのエネルギ損失を抑制するエネルギ損失抑制部３４が厚み方向に貫通する形で設けられている。ここにおいて、上部電極３３の平面視形状が網状（ここでは、正方格子状）であり、エネルギ損失抑制部３４が上記網状の上部電極３３の各開口部（網目）に満たされている。 （もっと読む）

【課題】共振子全体のＱ値を高めることが可能な共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１の一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３との積層構造を有する共振子３を備えている。圧電層３２中における１次モードの弾性定在波の波長をλ〔ｎｍ〕、圧電層３２の厚さをｔ〔ｎｍ〕とするとき、０．０３λ≦ｔ≦０．１５λを満足するように圧電層３２の厚さｔ〔ｎｍ〕が設定されている。 （もっと読む）

本発明は、構成素子（１）の取付が、応力を低減して実施される、構成素子に関する。構成素子（１）は、膜（４）上に載置され得、またはバネ要素（２）によって担持され得る。膜（４）又はバネ要素（２）は、膜（４）によって部分的に橋架された窪み（６）または開口（７）の上に設置される。膜（４）は、構成素子（１）の弾性係数または基板（３）の弾性係数以下である弾性係数を有することが好ましい。構成素子（１）は、２つの側面で全体的にまたは部分的に、金属電極（１０）で平面状に覆われ得る。 （もっと読む）

【課題】送受信帯域外の減衰特性と送受信端子間のアイソレーション特性を低下させることなく、従来よりも小型化、低背化が可能なアンテナ分波器を提供する。
【解決手段】アンテナ端子と送信端子との間に配置される送信フィルタと前記アンテナ端子と受信端子との間に配置される受信フィルタとをパッケージに実装してなるアンテナ分波器において、パッケージ内の受信フィルタ用のグランドパターン１５２は、他のグランドパターン１５６，１５７とは分離されている。 （もっと読む）

【課題】機械的品質係数並びに電気機械結合係数の双方を大きくする。
【解決手段】例えば、ＡｌＮで形成した１層目の圧電薄膜３０とＰＺＴで形成した２層目の圧電薄膜３１を積層して圧電薄膜層３を構成し、この圧電薄膜層３を下部電極２０と上部電極４０で厚み方向に挟み込んでいる。従って、互いの分極率の大小関係と機械的品質係数の大小関係とが異なる複数種類の圧電材料（ＡｌＮとＰＺＴ）で各々形成された複数の圧電薄膜３０，３１を積層して圧電薄膜層３を構成しているので、単一の圧電材料で圧電薄膜を構成する場合と比較して、機械的品質係数並びに電気機械結合係数の双方を増大することができる。 （もっと読む）

【課題】下部電極間でクロストークが発生することを抑制できるとともに、製造コストの低減が図れる共振装置を提供することにある。
【解決手段】共振装置は、ベース基板１と、ベース基板１の主表面側に形成された下部電極３０、下部電極３０におけるベース基板１側とは反対側に形成された圧電体薄膜４０、および圧電体薄膜４０における下部電極３０側とは反対側に形成された上部電極５０とで構成された複数の共振子２とを備え、隣り合う２つの共振子２の上部電極５０が共通に接続されてなり、ベース基板１は、低音響インピーダンス層１３と、高音響インピーダンス層１４とを、支持基板１１の主表面側を覆う形で、最上層が低音響インピーダンス層１３となるように交互に積層することにより形成された音響多層膜１２を有し、隣り合う２つの共振子２の一方と厚み方向で重なる部位に、ベース基板１を貫通する空洞部１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】目的の通過帯域のみを通過させ、目的外の周波数の減衰率を大きくとることができ、しかも小型化が可能な帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】ＢＡＷフィルタ１は、圧電体層１０を上部電極１２および下部電極１１の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。平面パターンフィルタ２は、ＢＡＷフィルタ１と共通の基板３に形成され誘電体層２０を介して地導体層２１および帯状の信号導体層２２を積層した伝送線路２３と、信号導体層２２の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路２４とを有しＢＡＷフィルタ１の阻止帯域を減衰させる。ＢＡＷフィルタ１と平面パターンフィルタ２とは信号導体層２２を介して接続される。スタブ回路２４は、信号導体層２２から離間したローディング部２４ａと、一端が伝送線路２３に連続し他端がローディング部２４ａに連続するタップ部２４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】下部電極と圧電体薄膜との積層膜のベース基板からの剥離を防止することが可能な共振装置の製造方法、共振装置およびＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】共振装置の製造にあたっては、ベース基板１の一表面側に下部電極３１の基礎膜となる第１の多孔質金属層３１ａを形成する多孔質金属層形成工程を行ってから、ＰＺＴの成分元素を含む金属アルコキシドを溶媒に溶かした溶液を第１の多孔質金属層３１ａ上に塗布する塗布工程を行い、その後で上記溶媒を除去することによりＰＺＴ薄膜３２ｂの前駆体膜３２ａを形成する仮焼成工程を行い、続いて、前駆体膜３２ａを焼結することによりＰＺＴ薄膜３２ｂを形成する焼結工程を行い、その後、ＰＺＴ薄膜３２ｂの一部からなる圧電体薄膜３２上に上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】音響ミラーを介した共振子間のクロストークの発生を抑制でき且つ製造が容易な高性能の共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面側に絶縁性薄膜からなる低音響インピーダンス層２１を形成する工程と絶縁性炭素薄膜からなる高音響インピーダンス層２２を形成する工程とを交互に繰り返すことにより音響ミラー２を形成し、音響ミラー２の表面側の全面に各共振子３の下部電極３１の基礎となる導電性層３１ａを形成し、ゾルゲル法により導電性層３１ａの表面側の全面にＰＺＴ薄膜３２ａを形成し、ＰＺＴ薄膜３２ａをパターニングすることでそれぞれＰＺＴ薄膜３２ａの一部からなる複数の圧電体薄膜３２を形成し、導電性層３１ａをパターニングすることでそれぞれ導電性層３１ａの一部からなる複数の下部電極３１を形成し、各ＰＺＴ薄膜３２それぞれの表面側に上部電極３３を形成する。 （もっと読む）