【課題】安価な製造技術で作製でき、従来よりも小型化が可能な薄膜バルク弾性波共振器およびフィルタを提供する。
【解決手段】ＢＡＷ共振器およびフィルタは、基板と、基板上に置かれた第１のＢＡＷ共振器と、第１のＢＡＷ共振器の上に置かれた音響反射層と、音響反射層の上に置かれた第２のＢＡＷ共振器から成り、音響反射層が導電性を有する。ここで、音響反射層は第１の電極を成し、この第１の電極により、第１のＢＡＷ共振器と第２のＢＡＷ共振器とが電気的に接続され、音響的には分離されている。 （もっと読む）

【課題】共振器を構成する各層に対して、不純物の内部混入を抑圧できる素子構造と製造方法を提供する。これにより、膜質向上による高Ｑ化が実現可能な圧電薄膜バルク波共振器および圧電薄膜バルク波共振器フィルタ、薄膜音叉型屈曲振動子を得ることを目的とする。
【解決手段】圧電薄膜と、該圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第１の金属電極膜及び第２の金属電極膜を含み基板上に形成された積層構造と、該積層構造に対応する位置の前記基板に形成された音響絶縁層とを備えて成り、前記基板上に前記第１の金属電極膜が形成され、該第１の金属電極膜上に前記第２の金属電極膜が、前記圧電薄膜を挟んで形成されて成り、前記第２の金属電極膜の上面を覆うように該第２の金属電極膜上に積層された保護膜を有して成ることを特徴とする圧電薄膜共振器。 （もっと読む）

【課題】短い製造工程で同一基板上に形成可能なそれぞれ異なる共振周波数を有する複数の圧電薄膜共振器からなる弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１と、基板１１上に設けられた下部電極１０と、下部電極１０上に設けられた圧電膜１２と、圧電膜１２を挟み下部電極１０と対向する共振部１６を有するように圧電膜１２上に設けられた上部電極１４と、上部電極１４上に設けられた質量負荷膜１８と、を有し、質量負荷膜１８は共振部１６に設けられ、質量負荷膜１８の面積は共振部１６の面積より小さい圧電薄膜共振器を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上を図ることができる圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電振動子１００の製造方法は，基板２、基板の上方に形成された第１層３、および第１層の上方に形成された第２層４を有する基体１を用意する工程と、基体の上方に駆動部２０を形成する工程と、第２層をパターニングして、支持部４０、支持部の内側を基端とし他端を支持部に接しないように設けられた振動部１０、支持部と振動部を連続させる接続部３０、および第１層を露出させる開口部を形成する工程と、開口部により露出した部分から第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも振動部の下方に空隙部８０を形成する工程と、空隙部を形成した後に、接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、駆動部を形成する工程は、基体の上方に第１電極２２を形成する工程と、第１電極の上方に圧電体層２４を形成する工程と、圧電体層の上方に第２電極２６を形成する工程と，を有する。 （もっと読む）

【課題】小型のものでありながら、ＣＩ値を高くすることなく、振動周波数の可変感度を大きくすることができるようにした水晶ブランクとその製造方法及び、水晶ブランクを利用した水晶振動子、水晶発振器、水晶発振回路、携帯電話装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ以下のパッケージ２２に収容でき、Ｘ方向として特定される一方向に長い形状を有し、主振動ｆ０が２６ＭＨｚ帯のＡＴカット水晶ブランク１０であって、前記主振動ｆ０と、この主振動ｆ０に最も近接した副振動ｆｓである前記Ｘ方向３次のインハーモニックとの周波数差ΔＳを、４５０ＫＨｚないし５９０ＫＨｚの範囲に設定した。 （もっと読む）

音響共振器は、第１電極、第２電極、および第１電極と第２電極との間に配置されるチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）誘電体層を含み、ＤＣ（直流）バイアス電圧をＢＳＴ誘電体層の両端に印加すると、音響共振器は共振周波数をもつ共振器としてスイッチオンされる。逆に、音響共振器は、ＤＣバイアス電圧をＢＳＴ誘電体層の両端に印加しなければ、スイッチオフされる。さらに、音響共振器の共振周波数は、ＤＣバイアス電圧のレベルに基づいて同調させることができ、共振周波数は、ＢＳＴ音響共振器に印加するＤＣバイアス電圧のレベルを上げると高くなる。 （もっと読む）

【課題】所望の信号を振幅変調または位相変調するための整調可能なＢＡＷ共振器を組み込んだ装置を提供する。
【解決手段】基板と、共振手段と、前記共振手段の第１の面に隣接する第１電極と、前記共振手段の第２の面に隣接する第２電極と、前記第２電極および前記基板間に位置する膜と、１対のエッチング窓と、前記基板の少なくとも一部分を前記膜の少なくとも一部分から隔てるエアギャップとからなり、前記エアギャップが、前記エッチング窓を通して前記基板の一部分を除去することにより形成され、前記共振手段が、前記の第１および第２の電極間に印加された電圧によって当該電極間に生じた電界に応答して共振し、前記エアギャップが、前記共振手段により生成された振動を前記基板から絶縁するバルク型音波共振器から絶縁する。 （もっと読む）

【課題】 小型で、回路に組み込んで用いるときに生じる信号の干渉および損失を抑制することができるとともに、設計の自由度の高く、低コストで所望の共振周波数特性を得ることができる薄膜バルク音響波共振子を提供する。
【解決手段】 導体パターン膜２７は、共振子本体２３のＺ方向に設けられており、共振子本体２３と導体パターン膜とが圧電体薄膜３５の厚み方向に積層されることによって、導体パターン膜２７を設けても薄膜バルク音響波共振子２０を小型に形成することができる。導体パターン膜２７は共振子４０に直列または並列に接続されるので、導体パターン膜２７によって薄膜バルク音響波共振子２０のインピーダンスを変化させて直列共振周波数と並列共振周波数の差を調整することができるので設計の自由度が向上し、また外部素子を接続しないで、低コストでインピーダンスを調整することができ、信号の干渉および損失が抑制される。 （もっと読む）

本発明は音響バルク波によって動作するフィルタに関する。本発明のフィルタは、少なくとも１つの第１のレゾネータおよび少なくとも１つの第２のレゾネータを含み、各レゾネータ内を音響縦モードが伝搬可能であり、各層の材料および厚さを適切に選択することにより第１のレゾネータでは正規分散が調整され、第２のレゾネータでは非正規分散が調整される。これにより特にフィルタの通過領域の高周波数縁部での出力適合性が改善される。
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１ＧＨｚのオーダの周波数で動作するＲＦ選択フィルタで使用するためのＳＢＡＲまたはＦＢＡＲのような薄膜バルク音響（ＢＡＷ）共振器。ＢＡＷ共振器は、反対側に第１および第２の表面、ならびに第１の表面に広がる第１の電極（１６）および第２の表面に広がる第２の電極（１２）を有し、第１および第２の電極の重なり合いの区域（Ｒ１）の広がりが共振器の基本的な厚み伸張（ＴＥ）モードの励振領域を決める圧電層（１４）を備える。共振器に対する挿入損失は、誘電体（１８）を第１の電極（１６）と同じ層内にその電極を取り囲んで設けることによって削減される。誘電体（１８）を構成する材料は、それが取り囲んでいる第１の電極（１６）をなす材料と一般的に５％〜１５％異なる質量を有する。誘電体（１８）の質量は、第１の電極（１６）の質量より小さくまたは大きくすることができる。誘電体（１８）の平坦化が装置の性能を高める。
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【課題】音叉型圧電振動片に衝撃が加わっても、音叉型圧電振動片を実装するパッケージと振動腕が衝突するのを防止する音叉型圧電振動片および音叉型圧電振動片の実装方法を提供する。
【解決手段】音叉型圧電振動片１０は、複数の振動腕１４を有する音叉型圧電振動片本体１６と、前記音叉型圧電振動片本体１６の長手方向と交わる方向に沿って形成され、前記圧電振動片本体１６に接続する短辺部１８と、前記短辺部１８から前記音叉型圧電振動片本体１６の長手方向に沿って形成し、衝撃緩和部２２を有する長辺部２０とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】 クロック源内蔵型半導体集積回路デバイスにおいて、圧電体セラミックス化してセラミック振動子を形成し、半導体集積回路素子にセラミックパッケージ自身からクロック供給する。
【解決手段】 図１の半導体集積回路デバイスにおいてセラミックスパッケージ２の一部に対向電極３、４を設け、セラミックス基板２焼結後、シリコンチップＬＳｉ1搭載前に、電極間に高電圧を加えて分極処理、圧電体セラミックス化してセラミックス振動子を形成しする。その後シリコンチップＬＳｉ1を搭載してＬＳｉの内部回路に用意したインバータ等のドライバ回路に接続して発振回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズの小型化を図り、簡易な工程で歩留まりを向上してコスト低減を図る。
【解決手段】 ウエハー３０上に多数個のチップ素子３や配線パターン７を形成し、各チップ素子に対向してキャップ基板４を所定の厚みを有する接合シール層５を介して実装した後に、ウエハー３０を切り分ける。チップ基板２の主面２ａとキャップ基板４の第１主面４ａとの間に、チップ素子３を封装するチップ素子収納空間部６を構成する。 （もっと読む）

音響ミラー上に設けられた体積音波によって作動する、基板上に構成された共振器のために、共振器内に形成可能な体積音波の基本モードを抑制することが提案されている。音響ミラーを適合することによって、音響ミラーに対して並列に振動モードを励振し、共振器用に利用することができるようになる。
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本発明は出力側で受信パスと送信パスに分岐された送受信パスを備えたデュプレクサに関している。この受信パスは有利には入力側が非対称の信号伝送のためにそして出力側が対称性の信号伝送のために構成されている。受信パス内には表面音響波で動作する受信フィルタが設けられており、送信パス内にはバルク音響波で動作する送信フィルタが設けられている。これらのフィルタは有利には別個のチップとして構成され共通の支持体基板上に組み付けられている。
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【課題】共振特性に優れた音響ミラー型薄膜弾性波共振器を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜弾性波共振器５０７ｂは、基板１０１ｂと、基板１０１ｂ上に配置されており、高音響インピーダンスと低音響インピーダンスとを交互に有する複数のインピーダンス層５０２ｂ、５０３ｂから構成される音響ミラー層５０８ｂと、音響ミラー層５０８ｂ上に配置されており、下部電極５０４ｂ、圧電薄膜１０５ｂ、および上部電極５０６ｂから構成される圧電薄膜振動子５０９ｂとを備える。下部電極５０４ｂの膜厚と上部電極５０６ｂの膜厚とを足し合わせた膜厚が、圧電薄膜振動子５０９ｂ全体の膜厚に対して、５％以上６０％以下であり、かつ、下部電極５０４ｂの膜厚が上部電極５０６ｂの膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

通常、ＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）と呼ばれているような封入された電子パッケージ内における熱放散を改善する方法が開示されている。電子パッケージは、ダイ上に製造された一つまたは複数の音響波コンポーネントを有しており、このダイは、導電性バンプにより分離された非導電性のキャリア上に配設されている。電子パッケージの上部は、ラミネートおよびハーメチックシールレイヤによって覆われている。ラミネートの一部を除去した後に電子パッケージ上に熱伝導性材料のレイヤを形成し、かつ、キャリアを貫通して一つまたは複数の熱伝導性経路を形成することにより、熱放散を改善することが可能である。
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帯域フィルタ(100)は、下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。音響減結合器は、FBAR間の音響エネルギーの結合を制御する。特に、音響減結合器は、FBAR間での直接接触により結合されたものに比べて、FBAR間の音響エネルギーを少なく結合する。低減された音響減結合は、帯域内と帯域外の望ましい特性を帯域フィルタに与える。 （もっと読む）

基板(102)、基板の上に積み重ねられたFBARスタック(111)、FBARスタックを基板から音響的に分離する要素(104)、FBARスタックを覆うカプセル材料(121)、及び、FBARスタックの上面(113)とカプセル材料(121)の間に配置された音響ブラッグ反射器(190)からなるカプセル化圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。FBARスタックはFBAR(110)と、基板から離れたところにある上面(113)とを有する。FBARは対向する2枚の平坦な電極(112,114)と、それらの電極間に配置された圧電素子(116)とを含む。音響ブラッグ反射器は金属ブラッグ層(192)と、金属ブラッグ層に近接配置されたプラスチックブラッグ層(194)とを含む。金属ブラッグ層の金属とプラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスの比が大きいため、音響ブラッグ反射器はFBARとカプセル材料との間を音響的に十分に分離し、FBARとカプセル材料との間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
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