【課題】携帯電話の基地局における送信機等の相互変調歪を簡単、安価且つコンパクトに低減可能にする歪低減回路を提供する。
【解決手段】入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴ間に順次接続されたベースバンド回路１１、コンバータ回路１２、第１電力増幅器１３、メモリエフェクト低減回路１４、第２電力増幅器１７およびカプラ１８を備え、更にカプラ１８とベースバンド回路１１間にプリディストーション回路１９を備える。メモリエフェクト低減回路１４は、サーキュレータ１５および可変位相器１６により構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増大を招くことなくインダクタンスを変えることができる可変インダクタを用いて構成される低消費電力の増幅器及びそれを用いた無線通信装置を提供すること。
【解決手段】増幅器は、交流信号を増幅する増幅素子Ｔ１と、入力部、出力部の少なくとも１方に含まれる可変インダクタ４１、４３とを具備する。可変インダクタ４１、４３のそれぞれは、一方の端子と他方の端子の間の少なくとも１個所にタップが設けられたタップ付きインダクタと、固定容量を介して上記タップと上記他方の端子の間に接続された、印加電圧によって容量オン、容量オフが制御される可変容量とを含んで構成される。可変インダクタは、可変容量の容量オン、容量オフに応じて一方の端子と他方の端子の間でインダクタンスが変化する。 （もっと読む）

振幅および位相変調信号を増幅するときに使用するための回路および方法。回路は、二重の並列信号増幅器と共に結合器を用い、これらの増幅器が結合器に信号を供給する。信号増幅器は低出力インピーダンスを有し、一方で結合器は、信号増幅器からの入力間の分離を提供しない。他のチャイレックス・アーキテクチャでのように、信号増幅器からの信号は、結合器に供給される前に位相変調される。その後、結合器はこれらの２つの信号を結合し、そしてこれらの２つの信号がどのように結合されるかによって、結合器の結果としての出力は、振幅変調される。信号増幅器は、信号の高効率増幅を提供するために、Ｄ級またはＦ級増幅器であってもよい。
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【課題】バイアス回路の設計の自由度を大きくし、かつ、インピーダンス変成を容易とするマイクロ波増幅回路を得る。
【解決手段】入力端子４１から出力端子４２に至る信号経路に安定化回路３０とトランジスタ２０とを直列接続したマイクロ波増幅回路において、安定化回路２０は、第１の抵抗３２と第１のコンデンサ３１とが並列接続された第１の回路と、第２の抵抗３４と一端が接地された第２のコンデンサ３３とが直列接続された第２の回路と、第３のコンデンサ３５を有するショートスタブ３６とから構成されており、入力端子４１とトランジスタ２０の入力電極との間に第１の回路が直列接続され、入力端子４１と第１の回路との間に第２の回路とショートスタブ３６とが並列接続された安定化回路３０を備えたマイクロ波増幅回路である。 （もっと読む）

【課題】 外部容量やスタブ等を用いることなく各電子部品のインピーダンスを等しくする、高効率で歪みの少ない接続回路装置を提供する。
【解決手段】 電極５に直接接続される第１接続端子１５と、容量１７を介して接続される第２接続端子１６と、第２容量２２を介して接続される第３接続端子２１を、電極５に隣接して１つ乃至複数個配列する。第２接続端子１６に誘導性を有する接地接続線１８を接続し、接地接続線１８と容量１７によって形成した直列共振回路を高調波において共振させ、接地することで高調波において電極５を短絡させる。第３接続端子に誘導性を有して接地された誘導性接地接続線２４を接続し、第２容量２２と誘導性接地接続線２４によって動作信号に対して整合回路を形成する。第１接続端子１５には直流接続線２６を介して直流回路２７が接続されており、電子部品１４に直流バイアスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 送信信号のスロット数が変わった場合にＡＢクラスで増幅動作していても歪み特性を悪化させることが少ない高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】 この発明の高周波増幅装置には、増幅素子のMOS-FET101が配置されている。そのドレインDにはストリップライン112による整合パターンを介してドレイン電源が供給され、ソースにはソース電圧が印加されている。そして、整合パターンとドレイン電源を接続するライン上にあって、前記高周波信号で整合パターン側からドレイン電源側を見た場合にオープン状態に見える位置に配置された第１のコンデンサ107を有するとともに、ビート成分を最小にさせる位置で整合パターンに配置された第２のコンデンサ113を有する。第２のコンデンサは、第１のコンデンサと協働して、整合パターンに現れるビート成分を最小にするので、MOS-FETのドレイン電流は安定し、出力に現れる歪み成分は少なくなる。
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【課題】 異なる周波数帯の信号を安定的に増幅させることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 本発明の電力増幅器１は、複数の整合回路ＷＭ−１〜ＷＭ−ｍ、ＶＭ−１を備えており、これらの内、出力端子１２の直前の整合回路ＶＭ−１は可変整合回路であり、整合回路ＶＭ−１以外の整合回路ＷＭ−１〜ＷＭ−ｍは広帯域整合回路である。又、可変整合回路ＶＭ−１は、制御回路ＣＣと電気的に接続され、制御回路ＣＣが可変整合回路ＶＭ−１の制御を行うことで、可変整合回路ＶＭ−１に入力される信号の周波数に応じた整合を行う。 （もっと読む）

【課題】負荷インピーダンスの最適化により、線形増幅を維持しながら増幅器電力効率を高めた無線周波数電力増幅器を提供する。
【解決手段】互いに並列に接続した第１および第２の増幅器サブセクションを電力増幅段に備える。第１の増幅器サブセクションは増幅すべき信号を受け、第２の増幅器サブセクションは増幅すべき信号を第１のインピーダンス反転回路経由で受ける。第１の増幅器サブセクションの増幅器出力信号を第２のインピーダンス反転回路に加え、その出力を第２の増幅器サブセクションからの増幅出力信号と合成する。低電力モードでは、第１の増幅器サブセクションが第１の線形増幅器として動作し、第２の増幅器サブセクションはオフ状態にバイアスされている。高電力モードでは、第１および第２の増幅器サブセクションが両方とも線形増幅器として動作する。第２の遅延素子のインピーダンスと第１の遅延素子のインピーダンスとを等しくすることによって、高電力モードおよび低電力モードの両方の期間中の増幅器効率を改善する。
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共通の出力ノードに結合される出力を有する第１のトランジスタと、制御信号に従って選択的に、相対的に高い電力動作モードの期間中は、第１のトランジスタの制御電極を第１のバイアス源に結合して、このような第１のトランジスタを導通状態にバイアスするか、又は、相対的に低い電力動作モードの期間中は、このような制御電極を第１のバイアス源から取り除いて、第１のトランジスタを非導通状態にするためのスイッチとを有する増幅器。第２のトランジスタは、共通の出力ノードに結合される出力と、相対的に高い電力動作モード及び相対的に低い電力動作モードの双方の期間中に、第２のトランジスタへの制御電極に結合されて、このような第２のトランジスタを導通状態にバイアスするための第２のバイアス源とを有する。
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信号を増幅するための方法は、入力信号（２４）を受信するステップを有する。入力信号（２４）は、増幅信号（２６）を発生させるよう直交結合増幅器（３０）で増幅される。入力信号（２４）は、誤差信号（４６）を発生させるよう増幅信号（２６）と比較される。誤差信号（４６）は、増幅誤差信号（６０）を発生させるよう直交結合増幅器（３０）で増幅される。増幅誤差信号（６０）は、出力信号（２８）を発生させるよう増幅信号（２６）と結合される。
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第１出力及び第２出力を有し、第１出力が９０°だけ位相が異なる第１及び第２出力を有する主電力スプリッタ（３３２）と接続され、第２出力が９０°だけ位相が異なる第１及び第２出力を有する補助電力スプリッタ（３４２）と接続されている電力スプリッタ（１２０）と、第１（３３４）及び第２（３３５）の主対増幅器の入力が主電力スプリッタ（３３２）の第１及び第２出力と接続されて成る主最終段階増幅器（２３４）と、第１（３４４）及び第２（３４５）の補助対増幅器の入力が補助電力スプリッタ（３４２）の第１及び第２出力と接続されて成る補助最終段階増幅器（２４４）であり、第１の主対増幅器（３３４）からの出力がインピーダンス変換器（２５０）によって第１の補助対増幅器（３４４）からの出力と接続され、第２の主対増幅器（３３５）からの出力がインピーダンス変換器（２５１）によって第２の補助対増幅器（３４５）からの出力と接続され、相対的な位相シフトがインピーダンス変換器の位相シフトをオフセットすべく主及び補助の電力スプリッタへの信号入力に与えられるように、主及び補助対増幅器を配置して成る。 （もっと読む）

増幅器が振動する（ｏｓｃｉｌｌａｔｅ）のを防止するために、安定化回路（５３０）が、電力増幅器トランジスタ（５０２）の出力に接続される。この安定化回路（５３０）は、基本的に、コンデンサ（５３４）と直列に接続された抵抗器（５３６）を含む。また、この安定化回路は、コンデンサと抵抗器とに直列に接続されたインダクタ（５３２）を含んでもよい。このインダクタは、プリント導電線及び／又はボンディング・ワイヤによって部分的に、又は完全に実現されることができる。この安定化回路は、動作周波数の範囲全体にわたって、トランジスタ出力において低インピーダンスをもたらす。
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本発明は無線周波数信号の増幅を調節するための調節回路に関する。該調節回路は複数の入力端および出力端と、端へおよびからの心経入力および信号出力をマッチングする上で効果を有するマッチング構成部品とを備える。調節回路はまた、少なくとも一つの振幅調節回路端の入力および出力の抵抗を変化させるための、少なくとも一つの調節抵抗器をマッチング構成部品と接地の間に備える。信号振幅を調節するための調節回路が複数の入力端と出力端と、少なくとも一対の調節インピーダンス器とを備えることが考えられ、調節インピーダンス器の各一対は、入力端と出力端との間に配置される。各加減インピーダンス器は、信号線と接地との間に並列に接続され、各対のインピーダンス着が相互に関連する相補的なリアクタンスを有する。 （もっと読む）

電気回路が形成されているウェハ上にアクティブ・バイアス（１０）が形成され、電気回路に追加的に印加される入力信号に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。具体的には、アクティブ・バイアス（１０）は、少なくとも１つのトランジスタを備え、電気回路に影響を及ぼすウェハ・ロット変動がアクティブ・バイアスの特性に対し相応して影響を及ぼすように、電気回路を形成するトランジスタ（１０）と同型であることが好ましい。アクティブ・バイアス（１０）は、ドレインが電気回路の出力に電気的に接続された１つの電界効果トランジスタ（１０）を備える。加えて、ドレインはトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタ（１０）を流れる電流は、トランジスタ（１０）のドレインおよびトランジスタのゲートにそれぞれ電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。この電圧（Ｖｏｕｔ）は次いで、電気回路にバイアス電圧として印加される。この回路で、トランジスタ（１０）を流れる電流はウェハ・ロット変動のため変動し、その結果、電気回路に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）が相応して変化する。アクティブ・バイアス（１０）はさらに追加トランジスタを備えることができ、各トランジスタ（１０）のチャネルは他のトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタを流れる電流は、トランジスタが流れる電流を過度に増減させるのを防止するために相互に調整される。
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本発明はアダプタデバイス３を介して負荷インピーダンス２と並列に結合された特定数Ｎ個の能動部品１１から１Ｎを備え、少なくとも特定数Ｎ個の基準サセプタンス補償回路４１から４１Ｎを含む増幅器に関する。サセプタンス補償回路４１から４１Ｎは、能動部品の出力サセプタンスを補償するためにＮ個の能動部品１１から１Ｎの出力に、またＮ個のサセプタンス補償回路の出力にそれぞれ接続されたＮ個の入力と、増幅器の負荷インピーダンス２に接続された出力とを有するコンダクタンス結合および適合回路にそれぞれ接続されている。本発明は高い出力パワーダイナミックスを有するマイクロ波増幅器に適用可能である。
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増幅器(20)は、主増幅器回路(22)および少なくとも1つの補助増幅器回路(24)を含む。増幅されるRF信号(26)の一部が、主増幅器(22)および補助増幅器(24)に送られる。補助増幅器回路(24)は、選択的に動作可能であり、RF信号(26)のレベルに基づくなどして、主増幅器回路(22)と組み合わせて動作する。少なくとも1つのハイブリッドカプラ回路(44)は、主増幅器回路(22)および補助増幅器回路(24)の出力と結合された入力ポートを備える。ハイブリッドカプラ回路(44)は、カプラ第1出力ポート(29)で増幅器回路出力信号を組み合わせるように動作可能である。カプラ第2出力ポート(28)は、短絡回路および開回路の一方で終端される。
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【課題】反対方向に伝搬する送信信号及び受信信号双方を増幅する送受信機モジュール用双方向増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器（１０）は、共通伝送線路（２０）に沿って電気的に結合される第１及び第２の共通ゲートＦＥＴ（２２、２４）を含む。送信信号入力ポート（１２）と第１ＦＥＴ（２２）との間で、第１可変整合ネットワーク（２８）が伝送線路（２０）に電気的に結合され、受信信号入力ポート（１４）と第２ＦＥＴ（２４）との間で、第２可変整合ネットワーク（３０）が伝送線路（２０）に電気的に結合される。第１及び第２ＦＥＴ間において、段間可変整合ネットワーク（３２）が伝送線路に電気的に結合される。ＤＣ電圧レギュレータ（３４）が、整合ネットワーク（２８、３０、３２）及びＦＥＴにＤＣバイアス信号を供給し、送信信号及び受信信号に対し、異なる信号増幅特性及び異なるインピーダンス整合特性を与える。 （もっと読む）

【課題】従来より著しく小型で、伝送信号の波長によっては、定在波が発生することのない特性の安定した高信頼度の電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。導体パターン２０は誘電体基板１５によって支持されている。誘電体基板１５は、その最大差し渡し寸法をＬｍ（ｍ）としたとき、Ｌｍ＜｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４を満たす。誘電体基板は、エポキシ樹脂材料とセラミック材料とを含む複合材料でなる。 （もっと読む）