【課題】最小限の構成を用いて、演算増幅器の入出力端子間の寄生容量に起因する増幅回路の演算誤差を補償し、高精度の増幅率を得る。
【解決手段】増幅回路１０は、一方の端子が演算増幅器Ａ１の反転入力端子に、他方の端子が演算増幅器Ａ１の反転出力端子に接続された容量ＣＰ５と、一方の端子が演算増幅器Ａ１の非反転入力端子に、他方の端子が演算増幅器Ａ１の非反転出力端子に接続された容量ＣＮ５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の帰還抵抗、及び、入力ノードの配線長による寄生容量を増加させ得る。
【解決手段】集積回路は、第１のトランスインピーダンス増幅器、第２のトランスインピーダンス増幅器を備えている。この集積回路では、第１のトランスインピーダンス増幅器及び第２のトランスインピーダンス増幅器の一方が動作状態となり、他方が非動作状態となる。第１のトランスインピーダンス増幅器及び第２のトランスインピーダンス増幅器は入力トランジスタを共有している。第１のトランスインピーダンス増幅器は、その帰還ノードと入力トランジスタに接続する入力ノードとの間に設けられた第１の抵抗を有している。第２のトランスインピーダンス増幅器は、その帰還ノードと第１の抵抗との間に設けられた第２の抵抗を有している。第２のトランスインピーダンス増幅器の帰還抵抗は、第１の抵抗と第２の抵抗の直列接続により構成されている。 （もっと読む）

【課題】無視することが出来ない寄生容量や寄生インダクタンスを有するトランジスタを用いながら、４次以上の次数に亘ってＦ級または逆Ｆ級の負荷条件を満たす増幅回路を提供する。
【解決手段】トランジスタの後段に、ｎ段（ｎ＝１、２、３、…）の梯子型回路を有する高調波処理回路を設ける。高調波処理回路の後段に、それぞれの共振周波数が互いに異なる２ｎ＋１個の共振器を有する共振回路部を設ける。２ｎ＋１個の共振器の共振周波数を、高調波処理回路の出力部を短絡した場合にトランジスタのドレーン出力部および接地面との間に形成されるｎ＋１個の極およびｎ個の零点の周波数にそれぞれ一致させる。２ｎ＋１個の共振器のうち、２ｎ個の共振器の共振周波数を、２次から２ｎ＋１次の高調波の周波数にそれぞれ一致させる。 （もっと読む）

【課題】接続線路のようなレイアウト寄生成分による帯域劣化を抑制する。
【解決手段】差動分布回路は、入力コプレナー線路ＣＰＷ１Ｐ，ＣＰＷ１Ｎおよび出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎに沿って配置された複数の差動増幅器とを備える。各差動増幅器は、電流源ＩＳと、トランジスタＱ１Ｐを含む差動半回路ＤＰと、トランジスタＱ１Ｎを含む差動半回路ＤＮと、一端がトランジスタＱ１Ｐのエミッタに接続され、他端が電流源ＩＳに接続された接続線路ＭＥ１Ｐと、一端がトランジスタＱ１Ｎのエミッタに接続され、他端が電流源ＩＳに接続された接続線路ＭＥ１Ｎとから構成される。接続線路ＭＥ１Ｐ，ＭＥ１Ｎは、キャパシタンス成分がインダクタンス成分よりも大きい線路である。 （もっと読む）

【課題】回路性能の劣化に繋がる先鋭度の高い利得ピークを抑圧する。
【解決手段】差動分布回路ＩＣチップ１０２は、バイアス電圧端子ＶＣＣ＿ＣＰ，ＶＣＣ＿ＣＮからバイアス電圧ＶＣＣが供給され、出力端がチップの出力端子ＤＯＵＴＰ，ＤＯＵＴＮに接続された出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎと、入力端子ＤＩＮＰ，ＤＩＮＮから差動信号が入力され、出力が出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎに接続された差動増幅器ＣＭＬとを有する。パッケージ１０３ａは、バイアス電圧端子ＶＣＣ＿ＣＰ，ＶＣＣ＿ＣＮにバイアス電圧ＶＣＣを供給するボンディングワイヤ１１０ａ，１１１ａ，２０４，２０５に対して直列に挿入された抵抗Ｒ５Ｐ，Ｒ５Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の応答速度等を改善する。
【解決手段】増幅回路１は、差動増幅回路２０と複数のソースフォロア回路３０、複数の位相補償ブロック３００、複数の帰還回路４０を含む。差動増幅回路２０は、入力信号と基準信号が入力されるＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２３、２４を備え、スイッチ１８−１−３、１８−２−３により差動出力電流を取り出すべき接続点（Ｐ１、Ｐ２）を選択する。複数の帰還回路４０は、スイッチ１８−１−１、１８−１−２により選択される。スイッチ１８−１−１、１８−２−１、１８−１−２、１８−２−２は互いに連動する。スイッチ１８−１−１がオンのときには、帰還回路４０−１、接続点Ｐ１、位相補償ブロック３００−１、ソースフォロア回路３０−１がまとめて選択される。 （もっと読む）

【課題】帰還回路内のスイッチを用いずに電圧増幅度を切り替え可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明による増幅回路３ｂは、差動入力部８１Ａ及び８１Ｂと、該差動入力部８１Ａ及び８１Ｂのうちのいずれか一方を選択するスイッチ７９Ａ及び７９Ｂと、を備え、該スイッチ７９Ａ及び７９Ｂにより選択された差動入力部を用いた増幅処理を行うオペアンプ７０ｂと、オペアンプ７０ｂの出力端と差動入力部８１Ａの入力端との間に設けられ、所定抵抗値の抵抗を有する第１の帰還回路と、オペアンプ７０ｂの出力端と差動入力部８１Ｂの入力端との間に設けられ、上記所定抵抗値とは異なる抵抗値の抵抗を有する第２の帰還回路と、を備えることを特徴とする。差動入力部の選択により電圧増幅度を切り替え可能であるので、帰還回路内のスイッチを用いずに電圧増幅度を切り替え可能となっている。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する光受信回路および光結合装置を提供する。
【解決手段】入力光１１に応じて電流Ｉｐを出力する受光素子１２と、入力端子１３ａに受光素子１２が接続された反転増幅器１３と、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏを入力端子１３ａに帰還する帰還回路１４とを具備する。帰還回路１４が、反転増幅器１３の入力端子１３ａと出力端子１３ｂとの間に直列接続された第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点１４ａと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣとを具備する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードに流れる電流のジッタを低減する。
【解決手段】ＬＤ駆動電流が出力する差動形式の出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２およびＬＤバイアス電流が出力するＬＤバイアス端子ＢＢを有するＬＤドライブ回路１０と、レーザダイオードＬＤの一方の端子と出力端子ＯＵＴ１との間に接続されるの伝送線路Ｔ１と、レーザダイオードＬＤの他方の端子と出力端子ＯＵＴ２との間に接続されるの伝送線路Ｔ２と、レーザダイオードＬＤの一方の端子とＬＤ電源端子ＶＣＣ２との間に接続されるバイアス用インダクタＬ１と、レーザダイオードＬＤの他方の端子とＬＤバイアス端子ＢＢとの間に接続されるバイアス抵抗Ｒ６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 動作速度を犠牲にせず、半導体集積回路の出力信号のリンギングを低減する。
【解決手段】 リンギング低減回路４０ＮＡは、出力信号線１２０および低電位電源線１１２間のＮチャネルトランジスタ４０１と、コンパレータ４１０とを有する。コンパレータ４１０は、出力信号ＯＵＴを高電位電源線１１１のレベルＰＶＤＤＩと比較し、出力信号ＯＵＴがレベルＰＶＤＤＩを越えるオーバシュートが発生しているとき、Ｎチャネルトランジスタ４０１をＯＮ状態とし、オーバシュートを低減する。リンギング低減回路４０ＰＡは、同様の原理により、出力信号ＯＵＴのアンダシュートを低減する。 （もっと読む）

接続部（１１，１２）に結合された電極を有する素子（５）を備え、一つ以上の接続部（１１，１２）がインピーダンス送信ネットワークの一部を形成する装置（１）において、接続部（１１，１２）の最大部分が非平行面に配されることにより、接続部（１１，１２）の間の電磁結合が低減される。これにより、さらに、不要なフィードバック及び素子（５）の送信特性の悪化が低減され、さらに、各素子（５）の別個の電極が互いにより近接して配置されてサイズが小さくなる。接続部（１１，１２）の最大部分は、それぞれの他の平面の一部を形成せず、同一平面の一部を形成しない。これら平面は４５度と１３５度との間の角度をなす。一つの接続部（１１，１２）がループ等の形状を有し、さらに電磁結合を低減する。インピーダンス送信ネットワークの一部を形成する一つ以上の接続部（１１，１２）がインダクタンスを備え、一つ以上の接続部（１１，１２）が素子内部容量（１３，１４）に結合される。
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【課題】 出力電圧の反転を防止するとともに、入力電圧範囲を広くすることができる差動増幅回路を提供する。
【解決手段】 第１の入力信号をベースに入力する第１のトランジスタと、第２の入力信号をベースに入力する第２のトランジスタと、第１の電源電位に接続し、第１および第２のトランジスタに電流を供給する電流源とからなる差動回路と、第１のトランジスタのコレクタにエミッタを、第２電源電位にベースを接続した第３のトランジスタと、第３のトランジスタのコレクタと第２電源電位との間に接続した第１の負荷と、第２のトランジスタのコレクタと第２電源電位との間に接続した第２の負荷と、第３のトランジスタのコレクタに接続した第１の出力端子とで構成する。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの共通のベースラインと電源線との間に抵抗が接続されている場合でも高精度のミラー比を得る。
【解決手段】 カレントミラー回路１８において、抵抗Ｒ５はノイズ耐量を上げるとともにトランジスタＱ１０、Ｑ１１の漏れ電流を防止するために必要であり、トランジスタＱ１２のコレクタ電流は、抵抗Ｒ５に流れる電流が支配的となる。トランジスタＱ１２のベース電流ＩB(Q12)を、トランジスタＱ１４のベース電流ＩB(Q14)により補償する。抵抗Ｒ５に流れる電流とトランジスタＱ１１、Ｑ１３〜Ｑ１５に流れる電流とが等しい場合にほぼ完全に補償でき、ミラー比はより正確に１に近付く。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に形成された差動増幅回路において、ソースタイ型のトランジスタの基板効果による、動作開始時の誤動作を防止する。
【解決手段】 入力信号ＩＮＰ，ＩＮＭが与えられる増幅部１０のソースタイ型のＮＭＯＳ１１ａ，１１ｂのドレインと、負荷用のＰＭＯＳ１４ａ，１４ｂが接続されるノードＮ３，Ｎ２との間に、アクティブ時にオンになり、スタンバイ時にオフとなるＮＭＯＳ１５ａ，１５ｂを挿入する。スタンバイ時には、ノードＮ１と接地電位ＧＮＤとの間の定電流用のＮＭＯＳ１２もオフになるので、ＮＭＯＳ１１ａ，１１ｂは完全にフローティング状態となり、ボディの電位はスタンバイ状態になる直前のアクティブ時の状態に維持される。従って、再びアクティブ状態になった時に、ソースとボディの電位差が生じないので、基板効果による影響を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の影響で、歪み補償回路の減衰特性が電力増幅器の歪み特性と異なってしまう場合においても、電力増幅器の出力信号の歪みを低減することが可能な増幅器およびその増幅器を搭載した無線通信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる増幅器は、半導体トランジスタを含み、入力信号の電力を増幅する電力増幅器３３と、電力増幅器３３の入力側に設けられ、入力信号レベルの増加に伴って減衰量が減少する特性を有し、電力増幅器３３の出力信号の歪みを補償する歪み補償回路３２と、電力増幅器３３の利得抑圧特性と歪み補償回路３２の減衰特性との傾きのズレを解消すべく、電力増幅器３３の利得抑圧特性を調整する利得抑圧調整回路３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】小型で利得が高く、高い出力が得られる高出力差動増幅器を得る。
【解決手段】基本トランジスタセルをＮ段（Ｎは２以上の整数）並列接続してなる第１の増幅器１１および第２の増幅器１２を有し、第１の増幅器１１のエミッタ端子および第２の増幅器１２のエミッタ端子を互いに接続して仮想接地点６を設け、第１の増幅器１１のベース端子および第２の増幅器１２のベース端子にそれぞれ逆位相となる信号を入力することにより、第１の増幅器１１のコレクタ端子および第２の増幅器１２のコレクタ端子から増幅された信号を出力する高出力差動増幅器において、第１の増幅器１１および第２の増幅器１２の対応する段の基本トランジスタセルのエミッタ電極同士を接続して１対ごとの仮想接地点６ａ〜６ｆを設け、１対ごとの仮想接地点６ａ〜６ｆを互いに接続したものである。 （もっと読む）

【課題】 内部回路から出力される信号の駆動能力を高め、外部負荷に出力するバッファ回路において、容易にリンギングを抑制する。
【解決手段】 出力バッファ６０は、入力される信号の駆動能力を可変し、外部負荷９０に出力する。電圧モニタ回路７０は、出力バッファ６０から出力される信号を駆動能力制御回路５０にフィードバックする。駆動能力制御回路５０は、電圧モニタ回路７０から出力される信号に応じて、出力バッファ６０の駆動能力を制御する。これにより、外部負荷９０に出力する信号の状態に応じて、信号の駆動能力が制御されるので、回路上の伝送線路負荷定数の変更や、回路を構成している半導体装置の変更等、回路条件を変更することなく、容易にリンギングを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】出力端子におけるＶＳＷＲを劣化させることなく、しかも、歪特性や効率の変化を招くことなく回路の安定性向上を図る。
【解決手段】第１乃至第３のトランジスタ１１〜１３は、それぞれエミッタ接地増幅回路を形成し、第１及び第２の段間整合回路５，６を介して縦続接続されると共に、それぞれのエミッタは、第１乃至第３の寄生インピーダンス１４ａ〜１４ｃを介してグランドに接続される一方、第１のトランジスタ１１のエミッタと第３のトランジスタ１３のエミッタがインピーダンス素子１５を介して接続されて高周波増幅回路が構成されており、これによって、ＶＳＷＲ特性劣化、歪特性や効率の変化を伴うことなく、回路安定性が確保されたものとなっている。 （もっと読む）

増幅器が振動する（ｏｓｃｉｌｌａｔｅ）のを防止するために、安定化回路（５３０）が、電力増幅器トランジスタ（５０２）の出力に接続される。この安定化回路（５３０）は、基本的に、コンデンサ（５３４）と直列に接続された抵抗器（５３６）を含む。また、この安定化回路は、コンデンサと抵抗器とに直列に接続されたインダクタ（５３２）を含んでもよい。このインダクタは、プリント導電線及び／又はボンディング・ワイヤによって部分的に、又は完全に実現されることができる。この安定化回路は、動作周波数の範囲全体にわたって、トランジスタ出力において低インピーダンスをもたらす。
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