【課題】フィードバック制御を行っても、出力電力の低下を抑制できる電力増幅回路を実現する。
【解決手段】電力増幅回路を備える高周波モジュール１０は、高周波電力増幅素子２０、整合回路３０、および駆動電源回路４０を備える。高周波電力増幅素子２０は、高周波増幅回路２１０、方向性結合器２３０を備える。方向性結合器２３０の主線路２３１の第１端は、高周波増幅回路２１０の後段増幅回路２１２の出力端子に接続されている。主線路２３１の第２端は、出力整合回路２４０を介して、高周波電力増幅素子２０の高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔに接続されている。後段増幅回路２１２の出力端子は、高周波電力増幅素子２０
子２０の第２駆動電源印加端子Ｐ_Ｖ２にも接続されている。高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔと高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔとは、接続導体５０で接続されている。 （もっと読む）

【課題】歪の発生を少なくする。
【解決手段】入力信号（ＩＮ）を受ける初段増幅回路（ＰＲＥＡ）と、ゲートに初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の出力信号を受けるソース接地の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）と、ソースを第１のトランジスタ（Ｔｒ１）のドレインに接続し、ドレインから出力信号（ＯＵＴ）を送出すると共にドレインに対して電源供給がなされるゲート接地の第２のトランジスタ（Ｔｒ２）と、初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の電源端と第２のトランジスタ（Ｔｒ２）のソースとの間に介在する第１のインピーダンス回路（Ｚ１）と、を備える。第１のインピーダンス回路（Ｚ１）は、直流を通過させると共に、所定の周波数帯域において所定のインピーダンス以上となるように構成された回路である。 （もっと読む）

【課題】雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供すること。
【解決手段】このソースフォロア回路は、電界効果型トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）によって構成されるソースフォロア回路部と、電界効果型トランジスタ（Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）によって構成されるカレントミラー回路部と、を備える。電界効果型トランジスタ（Ｍ４，Ｍ５）のゲートにクロスカップルに容量（Ｃ１，Ｃ２）を接続することにより、カレントミラー回路部をアンプとして機能させる。 （もっと読む）

【課題】利得の低下を防止して、高利得、高出力、高効率及び広帯域特性を実現することができる分布形増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】並列に接続されている複数のトランジスタ１ａ〜１ｊと、複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに対して入力側バイアス電圧を供給する電圧源２と、複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに対して出力側バイアス電圧を供給する電圧源５，７とを備え、電圧源５，７から複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに供給される出力側バイアス電圧のうち、トランジスタ１ａに供給される出力側バイアス電圧が、トランジスタ１ｂ〜１ｊに供給される出力側バイアス電圧と異なるように構成する。 （もっと読む）

【課題】送信するデータの偏りによって生じる送信出力の偏りを是正し、常時平均電力を一定に保つ手段を提供することにある。
【解決手段】変調ベースバンド部１０４は、現在のタイムスロットが送信側の制御用物理チャネルか否か判定する。送信側の制御用物理チャネルである場合には、変調ベースバンド部１０４は、利得調整器１０３にその旨を通知する。利得調整器１０３は制御用物理チャネル時には乗算係数を変化させることで、直交変調器９０６に入力される信号の振幅を一定のレベルに調整する。 （もっと読む）

【課題】単相信号を高利得で増幅することができる小型の増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】増幅回路は、第１のインダクタ（３０３）及び第２のインダクタ（３０４）が磁気結合されている第１のトランスフォーマ（３０６）と、ゲートが前記第１のインダクタ（３０３）を介して第１の入力ノード（Ｎ１）に接続され、ドレインが前記第２のインダクタ（３０４）を介してドレインバイアス電位ノード（Ｖｄ）に接続され、ソースが基準電位ノードに接続される第１の電界効果トランジスタ（３０５）と、前記第１の電界効果トランジスタ（３０５）のドレインに接続される第１の出力ノード（ＯＵＴ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バースト光信号を受信する光電変換増幅装置において、簡単な構成で高速応答化、広ダイナミックレンジ化及び高感度化を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明は、光信号を電気信号に変換するアバランシェフォトダイオード１１と、電気信号を増幅する増幅回路素子１２と、アバランシェフォトダイオード１１のアノードＡ及びカソードＣの間のバイアス電圧を印加するための定電圧を入力するバイアス電圧端子１３と、バイアス抵抗１４及びバイアス容量１５からなるローパスフィルタを構成するバイアス回路と、を備え、アバランシェフォトダイオード１１が受信したバースト光信号の強度が変化してから規定の時間の範囲内で、強度変化後のバースト光信号に関するビットエラーレートが規定のビットエラーレートに遷移するように、バイアス抵抗１４の値及びバイアス容量１５の値が設定されている光電変換増幅装置１である。 （もっと読む）

【課題】発振器の発振周波数、又は負荷の大小によるバッファー回路の出力レベル変動を抑制して、バッファー回路の消費電力を低減する発振器を提供する。
【解決手段】この発振器１００は、発振回路１８と、発振回路１８の発振信号を増幅するプリバッファー回路１９と、最終段のバッファー回路１１と、バッファー回路１１の出力電圧レベルを検出するレベル検出回路８と、レベル設定２に応じてレベル検出回路８のレベルを増幅する増幅回路１と、増幅回路１から出力したレベル検出回路８の検出レベルに基づいて出力信号（ＯＵＴ）の電圧、又は電流を制御してバッファー回路１１の出力レベルを調整するレベル調整回路５と、を備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】縦続接続することが可能な感圧性増幅段を提供する。
【解決手段】感圧性増幅段１０は、第１及び第２のユニポーラ型の圧力センサ用トランジスタ１２，１４，１６、１８を２組備えており、それぞれ圧電抵抗性の電流経路１２ｄ、１４ｄ、１６ｄ、１８ｄを有し、２つのブリッジ部２２，２４を有する圧力測定ブリッジとして接続されている。該電流経路１２ｄ、１４ｄ、１６ｄ、１８ｄは直列に接続されている。２つのユニポーラ型の制御トランジスタ２６，２８を更に備えられており、制御端子２６ａ，２８ａと第１の端子２６ｂ，２８ｂ及び第２の端子２６ｃ，２８ｃの間に配置された電流経路２６ｄ，２８ｄとを有し、第１の端子２６ｂ，２８ｂ同士及び第２の端子２６ｃ，２８ｃ同士は互いに接続されており、制御端子２６ａ，２８ａは、２つのブリッジ部における第１及び第２の圧力センサ用トランジスタの間の接続点２２ａ，２４ａに夫々接続されている。 （もっと読む）

【課題】伝送線路の中心周波数での位相を維持した状態で、群遅延時間（位相の周波数特性の傾き）を任意に調整できる群遅延時間調整回路および電力分配合成回路を提供する。
【解決手段】群遅延時間調整回路１０は、信号が入力する入力端子２１、信号を出力するアイソレーション端子２２、結合端子２３および通過端子２４を備えた３ｄＢハイブリッド回路２０と、片端が結合端子２３に接続され、他端が接地された、第１の特性を有する第１のリアクタンス３０と、片端が通過端子２４に接続され、他端が接地された、第１の特性を有する第２のリアクタンス４０と、アイソレーション端子２２に接続され、第１の特性に対応する電気長が設定された調整用線路５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力電力に対する利得の線形動作領域を広くすることができる差動増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】差動増幅回路は、ゲートが第１の差動入力信号端子に接続され、ソースが基準電位ノードに接続され、ドレインが第１の差動出力信号端子に接続される第１のトランジスタ（２１１）と、ゲートが第２の差動入力信号端子に接続され、ソースが基準電位ノードに接続され、ドレインが第２の差動出力信号端子に接続される第２のトランジスタ（２１２）と、第１のトランジスタのゲート及び第２のトランジスタのドレイン間に接続される第１の可変容量（４０１）と、第２のトランジスタのゲート及び第１のトランジスタのドレイン間に接続される第２の可変容量（４０２）と、第１の差動出力信号端子又は第２の差動出力信号端子の信号の包絡線を検波する第１の包絡線検波器（４０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路のゲイン精度を向上することのできる増幅回路システムの提供を図る。
【解決手段】ゲイン設定抵抗Ｒａ，Ｒｂによりゲインが設定される増幅回路１と、該増幅回路の後段に設けられた半導体集積回路２と、を有する増幅回路システムであって、前記ゲイン設定抵抗Ｒａ，Ｒｂが、前記半導体集積回路２の内部に形成されているように構成する。 （もっと読む）

【課題】安定性が高く、かつ高い利得を有する高周波差動増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態としての高周波差増増幅回路は、第1MOSトランジスタ、第2MOSトランジスタ、第1正帰還素子および第2正帰還素子を備える。前記第1MOSトランジスタおよび第2MOSトランジスタは、ソースがそれぞれ第1電源に接続され、ドレインがそれぞれ負荷を介して第2電源に接続され、互いに反転した位相関係にある第1および第2入力信号をゲートで受ける。前記第1正帰還素子は、前記第1MOSトランジスタのゲートと、前記第2MOSトランジスタのドレインとの間に直列接続された第1キャパシタおよび第1可変抵抗を含む。前記第2正帰還素子は、前記第2MOSトランジスタのゲートと、前記第1MOSトランジスタのドレインとの間に直列接続された第2キャパシタおよび第2可変抵抗を含む。 （もっと読む）

【課題】入力変調信号のエンベロープのダイナミックレンジが大きい場合においても、利得の低下を抑えることができるエンベロープトラッキング方式の高周波増幅器を提供すること。
【解決手段】変調電源回路１００は、エンベロープ信号に対応した変調電源制御信号に応じて出力電圧を可変する変調電源１２０と、前記出力電圧が高い第１の電圧領域で最適な動作をする第１の高周波デバイス１４０と、前記出力電圧が第１の電圧領域より低い第２の電圧領域で最適な動作をする第２の高周波デバイス１５０と、第１の高周波デバイス１４０又は第２の高周波デバイス１５０のどちらかの通過経路及び出力信号を切り替える入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０と、入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０を切替制御する切替信号を生成する切替信号生成部１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号の信号レベルを増幅するに際し、十分な利得を得ながら、サーマルノイズとフリッカノイズとの両者を同時に低減することができるＣＭＯＳオペアンプ、及びセンサ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１ＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ２が配置されており、互いに信号レベルが異なる２種類の信号の入力を受け付ける信号入力部１０と、第２ＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ１１が配置されており、信号入力部１０により受け付けられた２種類の信号の差分を増幅して出力する信号出力部１１と、を備える。第１ＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ２のゲート酸化膜の厚さは、第２ＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ１１のゲート酸化膜の厚さよりも小さく、第２ＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ１１のゲート酸化膜の厚さは、基準厚さを超える厚さとされており、基準厚さは、第２ＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ１１が予め設定された利得を得ることができる基準電圧値のゲート電圧に耐える厚さとされている。 （もっと読む）

【課題】高利得特性を有するとともに、小型でかつ安定な差動増幅動作を実現した差動増幅回路を得る。
【解決手段】１対のバイポーラトランジスタ１、２と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の各々に対する出力バイアス印加回路および入力バイアス印加回路と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の２つの出力端子の一方を接地するための終端抵抗１５と、を備えている。１対のバイポーラトランジスタ１、２は、互いに異なるサイズからなり、２つの出力端子の他方は、振幅が大きい線路側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧、低消費電流に対応可能とし、高利得、広帯域化を図る演算増幅回路を提供する。
【解決手段】入力信号を差動で受け低抵抗負荷Ｒ１、Ｒ２を持つ差動対Ｍ１、Ｍ２を含む初段増幅部と、前記初段増幅部の出力に接続され出力端子から出力信号を出力する次段増幅部を備え、次段増幅部は前記差動対Ｍ１、Ｍ２の出力対の一つをゲートに入力し前記出力端子にドレインが接続されたトランジスタＭ１９，Ｍ２０を含む１段構成の第１の信号経路と、前記差動対の出力対の他方をゲートに入力するトランジスタＭ５，Ｍ６を含む入力段と、前記出力端子にドレインが接続されたトランジスタＭ１７，Ｍ１８を含む出力段とを備えた第２の信号経路とを備えている。さらに次段増幅部において、第１の信号経路のトランジスタＭ１９，Ｍ２０と第２の信号経路のトランジスタＭ５，Ｍ６に流れるバイアス電流を設定するバイアス回路を備えている。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器の後段において、アイソレータのような負荷安定化デバイスを削除しても、アンテナ負荷状態によって利得や歪み特性・消費電流が変化することのない低コスト・小面積・低消費電力の無線送信装置を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００の負荷依存特性を予めメモリ７０に記憶しておくことで、送信電力検出と電力増幅器の電流検出から電力増幅器１００からみたアンテナ負荷を特定し、その結果により電力増幅器１００の負荷調整を可変負荷４０で、また電源電圧調整をＤＣ／ＤＣコンバータ９０で実施する。 （もっと読む）

【課題】超広帯域応用のために高い電圧利得および利得帯域幅を有するＣＭＯＳ型の増幅器を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ増幅器３００は、第１電源ＶＤＤと第２電源ＧＮＤとの間でフィードバック動作を行うＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ Ｎ１，Ｎ２を用いることにより、ゼロ位置を追加して利得を増加させる能動負荷回路３１０と、能動負荷回路３１０に連結されて共通バイアスＶＣを受ける電流制御回路３２０と、電流制御回路３２０に連結されて差動入力信号ＶＩＮ＋，ＶＩＮ−を受ける信号入力回路３３０と、第２電源ＧＮＤと信号入力回路３３０との間に連結された第１電流源と、を備え、差動入力信号ＶＩＮ＋，ＶＩＮ−を受けて増幅し、電流制御回路３２０の二つのＭＯＳＦＥＴと能動負荷回路３１０との間の二つの接点ＶＯＵＴ＋，ＶＯＵＴ−を介して差動信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】高速低消費電力の電流検出型センスアンプの実現には、低バイアス電流でゲイン帯域積が大きな増幅器をゲート接地型トランジスタに設ける必要がある。
【解決手段】ソースが電流入力端子Iin1,Iin2、ドレインが負荷8,9および電圧出力端子Vout1,Vout2に接続されたゲート接地型トランジスタペアM1,M2のゲート・ソース間に、トランジスタM3とM5およびM4とM6の２組のソースが共通のプシュプル型CMOS反転増幅器で構成される差動増幅器の共通ソースに定電流トランジスタM7が設けられた差動増幅器AMPを設ける。 （もっと読む）