ソースフォロア回路
【課題】雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供すること。
【解決手段】このソースフォロア回路は、電界効果型トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）によって構成されるソースフォロア回路部と、電界効果型トランジスタ（Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）によって構成されるカレントミラー回路部と、を備える。電界効果型トランジスタ（Ｍ４，Ｍ５）のゲートにクロスカップルに容量（Ｃ１，Ｃ２）を接続することにより、カレントミラー回路部をアンプとして機能させる。
【解決手段】このソースフォロア回路は、電界効果型トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）によって構成されるソースフォロア回路部と、電界効果型トランジスタ（Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）によって構成されるカレントミラー回路部と、を備える。電界効果型トランジスタ（Ｍ４，Ｍ５）のゲートにクロスカップルに容量（Ｃ１，Ｃ２）を接続することにより、カレントミラー回路部をアンプとして機能させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流源からの雑音特性を改善したソースフォロア回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソースフォロア回路は、集積回路内でインピーダンスの異なる２つの回路の接続に用いられている（例えば、特許文献１参照）。図４は、従来のソースフォロア回路の構成例を示す図である。このソースフォロア回路は、差動入力される電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１から構成されるソースフォロア回路部２０と、電界効果型トランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４から構成されるカレントミラー回路部２１と、を備えている。電界効果型トランジスタＭ２０のゲートは入力端Ｖｉｎ１に接続され、ドレインは電圧源２２に接続されている。電界効果型トランジスタＭ２１のゲートは入力端Ｖｉｎ２に接続され、ドレインは電圧源２２に接続されている。電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインは定電流源２３に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ２３のゲートは電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２０のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ１に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ２４のゲートは電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２１のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ２に接続され、ソースはグランドに接続されている。
【０００３】
以上のように構成されたソースフォロア回路では、カレントミラー回路部２１がソースフォロア回路部２０の電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１に一定の駆動電流を流して駆動し、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に入力信号が差動入力されると、電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１のソースに接続された出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から入力信号と同相の電圧が差動出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−２６７６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のソースフォロア回路においては、電流源として用いるカレントミラー回路部２１から雑音が出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に重畳し、出力信号に雑音の影響が大きく表れてしまう問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のソースフォロア回路は、差動信号が供給される第１および第２の入力端からなる差動入力端と、ゲートが前記第１の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第１の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第２の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第２の電界効果型トランジスタと、ドレインが定電流原に接続され、ゲート−ドレイン間が接続され、ソースが接地された第３の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第４の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第５の電界効果型トランジスタと、前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続された第１の出力端、および前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続された第２の出力端からなる差動出力端と、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第１の容量と、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第２の容量と、前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第１の抵抗と、前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第２の抵抗と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の入力端をカレントミラー回路を構成する第５の電界効果型トランジスタのゲートに対して第１の容量を介して接続し、第２の入力端をカレントミラー回路を構成する第４の電界効果型トランジスタのゲートに対して第２の容量を介して接続したので、第４および第５の電界効果型トランジスタがソース接地型増幅回路として作用し、これによりソースフォロア回路の出力信号のＳ／Ｎ比を改善でき、雑音特性を改善することが可能となる。
【０００９】
上記ソースフォロア回路において、前記第１および第２の抵抗の抵抗値をそれぞれ可変としてもよい。第１の抵抗および第２の容量で構成されるハイパスフィルタが第２の入力端に並列に接続され、第２の抵抗および第１の容量で構成されるハイパスフィルタが第１の入力端に並列に接続され、第１および第２の抵抗の抵抗値を変えることでカットオフ周波数を変化でき、入力信号の周波数に適した値とすることができるため、雑音特性をさらに改善することが可能となる。
【００１０】
上記ソースフォロア回路において、前記第１および第２の抵抗は、それぞれ抵抗値の異なる複数の抵抗成分からなり、前記第１の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第４の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第１のスイッチと、前記第２の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第５の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第２のスイッチと、を備え、１つの集積回路内に設けられるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係るソースフォロア回路の構成図である。
【図２】上記ソースフォロア回路と従来のソースフォロア回路とのアンプ特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図３】上記ソースフォロア回路と従来のソースフォロア回路との雑音指数をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図４】従来のソースフォロア回路の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係るソースフォロア回路の構成図である。このソースフォロア回路は、差動入力される電界効果型トランジスタＭ１，Ｍ２から構成されるソースフォロア回路部と、定電流源２および電界効果型トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５から構成されるカレントミラー回路部と、を備えている。ソースフォロア回路部を構成する一方の電界効果型トランジスタＭ１のゲートは入力端Ｖｉｎ１に接続され、ドレインは電圧源１に接続され、ソースは出力端Ｖｏｕｔ１に接続されている。もう一方の電界効果型トランジスタＭ２のゲートは入力端Ｖｉｎ２に接続され、ドレインは電圧源１に接続され、ソースは出力端Ｖｏｕｔ２に接続されている。
【００１４】
カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインは定電流源２に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ４のゲートは抵抗部Ｒ１を介して電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ１のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ１に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ５のゲートは抵抗部Ｒ２を介して電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ２に接続され、ソースはグランドに接続されている。
【００１５】
抵抗部Ｒ１は、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２からなり、電界効果型トランジスタＭ４のゲートに対してスイッチＳＷ１を介して選択的に接続される。抵抗部Ｒ２は、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２からなり、電界効果型トランジスタＭ５のゲートに対してスイッチＳＷ２を介して選択的に接続される。なお、抵抗部Ｒ１における抵抗成分Ｒ１１と抵抗部Ｒ２における抵抗成分Ｒ２１、抵抗部Ｒ１における抵抗成分Ｒ１２と抵抗部Ｒ２における抵抗成分Ｒ２２とは、それぞれ同一の抵抗値で構成されている。抵抗部Ｒ１、Ｒ２を可変抵抗器で構成し、スイッチＳＷ１、ＳＷ２を電界効果型トランジスタで構成して切り替え可能にしてもよい。
【００１６】
また、ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ１のゲートが容量Ｃ２を介して、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ５のゲートに接続されている。ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ２のゲートが容量Ｃ１を介して、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４のゲートに接続されている。
【００１７】
すなわち、ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ１、Ｍ２のゲートと、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４、Ｍ５のゲートとの間が、それぞれ容量を介してクロス接続されている。これにより、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４は、ゲートが入力端Ｖｉｎ２に接続され、ソースが接地されたソース接地型増幅回路を構成し、入力端Ｖｉｎ２に印加される入力信号を増幅し、極性反転させて出力端Ｖｏｕｔ１へ出力する。同様に、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ５は、ゲートが入力端Ｖｉｎ１に接続され、ソースが接地されたソース接地型増幅回路を構成し、入力端Ｖｉｎ１に印加される入力信号を増幅し、極性反転させて出力端Ｖｏｕｔ２へ出力する。
【００１８】
また、入力端Ｖｉｎ１に対して、容量Ｃ２と抵抗Ｒ２から構成されるハイパスフィルタが接続され、抵抗Ｒ２の抵抗成分を切り替えることでハイパスフィルタのカットオフ周波数が変化する。同様に、入力端Ｖｉｎ２に対して、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１から構成されるハイパスフィルタが接続され、抵抗Ｒ１の抵抗成分を切り替えることでハイパスフィルタのカットオフ周波数が変化する。
【００１９】
次に、以上のように構成されたソースフォロア回路の動作について説明する。
ソースフォロア回路の入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に対して高周波入力信号が差動入力される。電界効果型トランジスタＭ１，Ｍ２には、それぞれゲートに印加された高周波入力信号のゲート電圧に応じたドレイン電流が流れる。このとき、一方のカレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４および他方のカレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ５には、電界効果型トランジスタＭ３と同一電流が流れる。入力端Ｖｉｎ１から電界効果型トランジスタＭ１のゲートに入力された高周波入力信号は、容量Ｃ２を介して、電界効果型トランジスタＭ５のゲートに入力される。入力端Ｖｉｎ２から電界効果型トランジスタＭ２のゲートに入力された高周波入力信号は、容量Ｃ１を介して、電界効果型トランジスタＭ４のゲートに入力される。
【００２０】
出力端Ｖｏｕｔ１には、ソースフォロア回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ１から、電界効果型トランジスタＭ１のゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力される。このとき、電界効果型トランジスタＭ４が入力端Ｖｉｎ２からゲートに印加される高周波入力信号（電界効果型トランジスタＭ２のゲートへの入力信号）を出力端Ｖｏｕｔ１へ出力する。
【００２１】
ここで、電界効果トランジスタＭ１，Ｍ２には、高周波入力信号が差動入力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１から出力される出力信号は同位相となる。入力端Ｖｉｎ１から電界効果トランジスタＭ１のゲートに例えばプラスの入力信号が入力される場合には、入力端Ｖｉｎ２から電界効果トランジスタＭ２のゲートに入力端Ｖｉｎ１とは逆位相（マイナス）の入力信号が入力される。このとき、電界効果トランジスタＭ１からは、ゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１にはプラスの出力信号が出力される。一方、電界効果トランジスタＭ４からは、ゲートへの入力信号と逆相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１にはプラスの増幅された出力信号が出力される。したがって、出力端Ｖｏｕｔ１には同位相の出力信号が出力されるため、位相が打ち消しあうことなく、利得が１以上の出力信号を得ることができる。
【００２２】
出力端Ｖｏｕｔ２には、ソースフォロア回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ２から、電界効果型トランジスタＭ２のゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力される。このとき、電界効果型トランジスタＭ５が入力端Ｖｉｎ１からゲートに印加される高周波入力信号（電界効果型トランジスタＭ１のゲートへの入力信号）を出力端Ｖｏｕｔ２へ出力する。
【００２３】
このときも、上記同様、例えば入力端Ｖｉｎ１から電界効果トランジスタＭ１のゲートにプラスの入力信号が入力され、入力端Ｖｉｎ２から電界効果トランジスタＭ２のゲートに入力端Ｖｉｎ１とは逆位相（マイナス）の入力信号が入力されるとすると、電界効果トランジスタＭ２からは、ゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ２にはマイナスの出力信号が出力される。一方、電界効果トランジスタＭ５からは、ゲートへの入力信号と逆相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ２にはマイナスの増幅された出力信号が出力される。したがって、出力端Ｖｏｕｔ２には同位相の出力信号が出力されるため、位相が打ち消しあうことなく、利得が１以上の出力信号を得ることができる。
【００２４】
このソースフォロア回路では、一方のカレントミラー回路部、他方のカレントミラー回路部にそれぞれ容量Ｃ１，Ｃ２が追加され、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５がアンプ化されている。アンプ化された電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号を増幅して出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に印加するので、利得が１以上の出力信号を得ることができる。これにより、出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から出力される出力信号ＳのＳ／Ｎ比が高くなり、雑音特性を改善することが可能となる。
【００２５】
また、高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を小さな抵抗値に切り替え、高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を大きな抵抗値に切り替えている。一方のカレントミラー回路部においては、抵抗部Ｒ１および容量Ｃ１より、ＲＣハイパスフィルタが構成されている。このハイパスフィルタを構成する抵抗部Ｒ１の各抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２を、スイッチＳＷ１によって、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２に切り替えることにより、ＲＣハイパスフィルタのカットオフ周波数を変更する。
【００２６】
他方のカレントミラー回路部においても、抵抗部Ｒ２および容量Ｃ２より、ＲＣハイパスフィルタが構成されている。このハイパスフィルタを構成する抵抗部Ｒ２の各抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２を、スイッチＳＷ２によって、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２に切り替えることにより、ＲＣハイパスフィルタのカットオフ周波数を変更する。
【００２７】
抵抗部Ｒ１および抵抗部Ｒ２の抵抗成分の切り替えは同期して実施される。入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を小さな抵抗成分Ｒ１１，Ｒ２１に切り替えることにより、カットオフ周波数を高くする。また、高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を大きな抵抗成分Ｒ１２，Ｒ２２に切り替えることにより、カットオフ周波数を低くする。抵抗部Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が大きくなるほど、発生する熱雑音の値は大きくなるが、高域において抵抗部Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を小さくすることにより、熱雑音を抑えることが可能となる。
【００２８】
次に、本実施の形態に係るソースフォロア回路（図１）と比較例のソースフォロア回路（図４）との特性をシミュレーションした結果を説明する。比較例のソースフォロア回路（図４）は、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ２３，Ｍ２４が入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される入力信号に対して増幅回路構成となっていない。
【００２９】
図２は、本実施の形態に係るソースフォロア回路と比較例のソースフォロア回路とのゲイン特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。このグラフにおける縦軸は電圧利得［ｄＢ］、横軸は入力信号周波数［Ｈｚ］である。本実施の形態に係るソースフォロア回路のゲイン特性はプロット点が四角（□）で表わされ、比較例のソースフォロア回路のゲイン特性はプロット点が丸（○）で表わされている。また、入力信号周波数１００Ｍ〜２００Ｍ［Ｈｚ］の間における２点鎖線は、本実施の形態に係るソースフォロア回路において抵抗値を切り替えた地点である抵抗値切替点を示している。なお、抵抗値切替点より左側の領域は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域となり、抵抗部Ｒ１，Ｒ２の各抵抗成分のうち大きい方の抵抗成分Ｒ１２，Ｒ２２が投入されている。また、抵抗値切替点より右側の領域は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域となり、抵抗部Ｒ１，Ｒ２の各抵抗成分のうち小さいほうの抵抗成分Ｒ１１,Ｒ２１が投入されている。シミュレーションの結果、本実施の形態に係るソースフォロア回路と、比較例のソースフォロア回路とでは、ゲイン特性に変化がないことを確認した。したがって、本実施の形態に係るソースフォロア回路は、従来と同等のゲイン特性を実現している。
【００３０】
図３は、本実施の形態に係るソースフォロア回路と比較例のソースフォロア回路との雑音指数をシミュレーションした結果を示すグラフである。このグラフにおける縦軸はノイズの強さ［ｄＢ］、横軸は入力信号周波数［Ｈｚ］である。本実施の形態に係るソースフォロア回路の雑音特性はプロット点が四角（□）で表わされ、比較例のソースフォロア回路の雑音特性はプロット点が丸（○）で表わされている。また、入力信号周波数１００Ｍ〜２００Ｍ［Ｈｚ］の間における２点鎖線は、本実施の形態に係るソースフォロア回路において抵抗値を切り替えた地点である抵抗値切替点を示している。シミュレーションの結果、本実施の形態に係るソースフォロア回路は、出力端から出力される出力信号に含まれるノイズ強度が、比較例のソースフォロア回路より十分に弱くなっていることが確認でき、雑音特性が改善されることが判明した。
【００３１】
以上説明したように、本実施の形態に係るソースフォロア回路においては、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５をアンプ化するとともに、電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５のゲートにクロスカップルに容量Ｃ１，Ｃ２を接続したので、雑音特性を改善することが可能となる。また、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５のゲートを抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電界効果型トランジスタＭ３のドレインおよびゲートに接続し、容量Ｃ１，Ｃ２および抵抗Ｒ１，Ｒ２でハイパスフィルタを構成し、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を入力周波数に応じて切り替え可能にしたので、少なくとも抵抗値を小さくする高域での雑音改善効果を期待できる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、さまざまに変更して実施可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更が可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施可能である。
【符号の説明】
【００３３】
１ 電圧源
２ 定電流源
Ｍ１〜Ｍ５ 電界効果型トランジスタ
Ｃ１，Ｃ２ 容量
Ｒ１，Ｒ２ 抵抗部
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ 抵抗成分
ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチ
２０ ソースフォロア回路部
２１ カレントミラー回路部
２２ 電圧源
２３ 定電流源
Ｍ２０〜Ｍ２４ 電界効果型トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流源からの雑音特性を改善したソースフォロア回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソースフォロア回路は、集積回路内でインピーダンスの異なる２つの回路の接続に用いられている（例えば、特許文献１参照）。図４は、従来のソースフォロア回路の構成例を示す図である。このソースフォロア回路は、差動入力される電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１から構成されるソースフォロア回路部２０と、電界効果型トランジスタＭ２２，Ｍ２３，Ｍ２４から構成されるカレントミラー回路部２１と、を備えている。電界効果型トランジスタＭ２０のゲートは入力端Ｖｉｎ１に接続され、ドレインは電圧源２２に接続されている。電界効果型トランジスタＭ２１のゲートは入力端Ｖｉｎ２に接続され、ドレインは電圧源２２に接続されている。電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインは定電流源２３に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ２３のゲートは電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２０のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ１に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ２４のゲートは電界効果型トランジスタＭ２２のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２１のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ２に接続され、ソースはグランドに接続されている。
【０００３】
以上のように構成されたソースフォロア回路では、カレントミラー回路部２１がソースフォロア回路部２０の電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１に一定の駆動電流を流して駆動し、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に入力信号が差動入力されると、電界効果型トランジスタＭ２０，Ｍ２１のソースに接続された出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から入力信号と同相の電圧が差動出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−２６７６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のソースフォロア回路においては、電流源として用いるカレントミラー回路部２１から雑音が出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に重畳し、出力信号に雑音の影響が大きく表れてしまう問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のソースフォロア回路は、差動信号が供給される第１および第２の入力端からなる差動入力端と、ゲートが前記第１の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第１の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第２の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第２の電界効果型トランジスタと、ドレインが定電流原に接続され、ゲート−ドレイン間が接続され、ソースが接地された第３の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第４の電界効果型トランジスタと、ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第５の電界効果型トランジスタと、前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続された第１の出力端、および前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続された第２の出力端からなる差動出力端と、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第１の容量と、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第２の容量と、前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第１の抵抗と、前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第２の抵抗と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の入力端をカレントミラー回路を構成する第５の電界効果型トランジスタのゲートに対して第１の容量を介して接続し、第２の入力端をカレントミラー回路を構成する第４の電界効果型トランジスタのゲートに対して第２の容量を介して接続したので、第４および第５の電界効果型トランジスタがソース接地型増幅回路として作用し、これによりソースフォロア回路の出力信号のＳ／Ｎ比を改善でき、雑音特性を改善することが可能となる。
【０００９】
上記ソースフォロア回路において、前記第１および第２の抵抗の抵抗値をそれぞれ可変としてもよい。第１の抵抗および第２の容量で構成されるハイパスフィルタが第２の入力端に並列に接続され、第２の抵抗および第１の容量で構成されるハイパスフィルタが第１の入力端に並列に接続され、第１および第２の抵抗の抵抗値を変えることでカットオフ周波数を変化でき、入力信号の周波数に適した値とすることができるため、雑音特性をさらに改善することが可能となる。
【００１０】
上記ソースフォロア回路において、前記第１および第２の抵抗は、それぞれ抵抗値の異なる複数の抵抗成分からなり、前記第１の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第４の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第１のスイッチと、前記第２の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第５の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第２のスイッチと、を備え、１つの集積回路内に設けられるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、雑音特性を改善したソースフォロア回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係るソースフォロア回路の構成図である。
【図２】上記ソースフォロア回路と従来のソースフォロア回路とのアンプ特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図３】上記ソースフォロア回路と従来のソースフォロア回路との雑音指数をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図４】従来のソースフォロア回路の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係るソースフォロア回路の構成図である。このソースフォロア回路は、差動入力される電界効果型トランジスタＭ１，Ｍ２から構成されるソースフォロア回路部と、定電流源２および電界効果型トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５から構成されるカレントミラー回路部と、を備えている。ソースフォロア回路部を構成する一方の電界効果型トランジスタＭ１のゲートは入力端Ｖｉｎ１に接続され、ドレインは電圧源１に接続され、ソースは出力端Ｖｏｕｔ１に接続されている。もう一方の電界効果型トランジスタＭ２のゲートは入力端Ｖｉｎ２に接続され、ドレインは電圧源１に接続され、ソースは出力端Ｖｏｕｔ２に接続されている。
【００１４】
カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインは定電流源２に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ４のゲートは抵抗部Ｒ１を介して電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ１のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ１に接続され、ソースはグランドに接続されている。電界効果型トランジスタＭ５のゲートは抵抗部Ｒ２を介して電界効果型トランジスタＭ３のゲートおよびドレインに接続され、ドレインは電界効果型トランジスタＭ２のソースおよび出力端Ｖｏｕｔ２に接続され、ソースはグランドに接続されている。
【００１５】
抵抗部Ｒ１は、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２からなり、電界効果型トランジスタＭ４のゲートに対してスイッチＳＷ１を介して選択的に接続される。抵抗部Ｒ２は、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２からなり、電界効果型トランジスタＭ５のゲートに対してスイッチＳＷ２を介して選択的に接続される。なお、抵抗部Ｒ１における抵抗成分Ｒ１１と抵抗部Ｒ２における抵抗成分Ｒ２１、抵抗部Ｒ１における抵抗成分Ｒ１２と抵抗部Ｒ２における抵抗成分Ｒ２２とは、それぞれ同一の抵抗値で構成されている。抵抗部Ｒ１、Ｒ２を可変抵抗器で構成し、スイッチＳＷ１、ＳＷ２を電界効果型トランジスタで構成して切り替え可能にしてもよい。
【００１６】
また、ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ１のゲートが容量Ｃ２を介して、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ５のゲートに接続されている。ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ２のゲートが容量Ｃ１を介して、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４のゲートに接続されている。
【００１７】
すなわち、ソースフォロア回路の電界効果型トランジスタＭ１、Ｍ２のゲートと、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４、Ｍ５のゲートとの間が、それぞれ容量を介してクロス接続されている。これにより、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４は、ゲートが入力端Ｖｉｎ２に接続され、ソースが接地されたソース接地型増幅回路を構成し、入力端Ｖｉｎ２に印加される入力信号を増幅し、極性反転させて出力端Ｖｏｕｔ１へ出力する。同様に、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ５は、ゲートが入力端Ｖｉｎ１に接続され、ソースが接地されたソース接地型増幅回路を構成し、入力端Ｖｉｎ１に印加される入力信号を増幅し、極性反転させて出力端Ｖｏｕｔ２へ出力する。
【００１８】
また、入力端Ｖｉｎ１に対して、容量Ｃ２と抵抗Ｒ２から構成されるハイパスフィルタが接続され、抵抗Ｒ２の抵抗成分を切り替えることでハイパスフィルタのカットオフ周波数が変化する。同様に、入力端Ｖｉｎ２に対して、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１から構成されるハイパスフィルタが接続され、抵抗Ｒ１の抵抗成分を切り替えることでハイパスフィルタのカットオフ周波数が変化する。
【００１９】
次に、以上のように構成されたソースフォロア回路の動作について説明する。
ソースフォロア回路の入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に対して高周波入力信号が差動入力される。電界効果型トランジスタＭ１，Ｍ２には、それぞれゲートに印加された高周波入力信号のゲート電圧に応じたドレイン電流が流れる。このとき、一方のカレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４および他方のカレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ５には、電界効果型トランジスタＭ３と同一電流が流れる。入力端Ｖｉｎ１から電界効果型トランジスタＭ１のゲートに入力された高周波入力信号は、容量Ｃ２を介して、電界効果型トランジスタＭ５のゲートに入力される。入力端Ｖｉｎ２から電界効果型トランジスタＭ２のゲートに入力された高周波入力信号は、容量Ｃ１を介して、電界効果型トランジスタＭ４のゲートに入力される。
【００２０】
出力端Ｖｏｕｔ１には、ソースフォロア回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ１から、電界効果型トランジスタＭ１のゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力される。このとき、電界効果型トランジスタＭ４が入力端Ｖｉｎ２からゲートに印加される高周波入力信号（電界効果型トランジスタＭ２のゲートへの入力信号）を出力端Ｖｏｕｔ１へ出力する。
【００２１】
ここで、電界効果トランジスタＭ１，Ｍ２には、高周波入力信号が差動入力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１から出力される出力信号は同位相となる。入力端Ｖｉｎ１から電界効果トランジスタＭ１のゲートに例えばプラスの入力信号が入力される場合には、入力端Ｖｉｎ２から電界効果トランジスタＭ２のゲートに入力端Ｖｉｎ１とは逆位相（マイナス）の入力信号が入力される。このとき、電界効果トランジスタＭ１からは、ゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１にはプラスの出力信号が出力される。一方、電界効果トランジスタＭ４からは、ゲートへの入力信号と逆相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ１にはプラスの増幅された出力信号が出力される。したがって、出力端Ｖｏｕｔ１には同位相の出力信号が出力されるため、位相が打ち消しあうことなく、利得が１以上の出力信号を得ることができる。
【００２２】
出力端Ｖｏｕｔ２には、ソースフォロア回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ２から、電界効果型トランジスタＭ２のゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力される。このとき、電界効果型トランジスタＭ５が入力端Ｖｉｎ１からゲートに印加される高周波入力信号（電界効果型トランジスタＭ１のゲートへの入力信号）を出力端Ｖｏｕｔ２へ出力する。
【００２３】
このときも、上記同様、例えば入力端Ｖｉｎ１から電界効果トランジスタＭ１のゲートにプラスの入力信号が入力され、入力端Ｖｉｎ２から電界効果トランジスタＭ２のゲートに入力端Ｖｉｎ１とは逆位相（マイナス）の入力信号が入力されるとすると、電界効果トランジスタＭ２からは、ゲートへの入力信号と同相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ２にはマイナスの出力信号が出力される。一方、電界効果トランジスタＭ５からは、ゲートへの入力信号と逆相の出力信号が出力されるため、出力端Ｖｏｕｔ２にはマイナスの増幅された出力信号が出力される。したがって、出力端Ｖｏｕｔ２には同位相の出力信号が出力されるため、位相が打ち消しあうことなく、利得が１以上の出力信号を得ることができる。
【００２４】
このソースフォロア回路では、一方のカレントミラー回路部、他方のカレントミラー回路部にそれぞれ容量Ｃ１，Ｃ２が追加され、カレントミラー回路部の電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５がアンプ化されている。アンプ化された電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号を増幅して出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に印加するので、利得が１以上の出力信号を得ることができる。これにより、出力端Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２から出力される出力信号ＳのＳ／Ｎ比が高くなり、雑音特性を改善することが可能となる。
【００２５】
また、高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を小さな抵抗値に切り替え、高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を大きな抵抗値に切り替えている。一方のカレントミラー回路部においては、抵抗部Ｒ１および容量Ｃ１より、ＲＣハイパスフィルタが構成されている。このハイパスフィルタを構成する抵抗部Ｒ１の各抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２を、スイッチＳＷ１によって、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ１１，Ｒ１２に切り替えることにより、ＲＣハイパスフィルタのカットオフ周波数を変更する。
【００２６】
他方のカレントミラー回路部においても、抵抗部Ｒ２および容量Ｃ２より、ＲＣハイパスフィルタが構成されている。このハイパスフィルタを構成する抵抗部Ｒ２の各抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２を、スイッチＳＷ２によって、抵抗値の異なる抵抗成分Ｒ２１，Ｒ２２に切り替えることにより、ＲＣハイパスフィルタのカットオフ周波数を変更する。
【００２７】
抵抗部Ｒ１および抵抗部Ｒ２の抵抗成分の切り替えは同期して実施される。入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を小さな抵抗成分Ｒ１１，Ｒ２１に切り替えることにより、カットオフ周波数を高くする。また、高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域では、抵抗部Ｒ１，Ｒ２を大きな抵抗成分Ｒ１２，Ｒ２２に切り替えることにより、カットオフ周波数を低くする。抵抗部Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が大きくなるほど、発生する熱雑音の値は大きくなるが、高域において抵抗部Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を小さくすることにより、熱雑音を抑えることが可能となる。
【００２８】
次に、本実施の形態に係るソースフォロア回路（図１）と比較例のソースフォロア回路（図４）との特性をシミュレーションした結果を説明する。比較例のソースフォロア回路（図４）は、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ２３，Ｍ２４が入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される入力信号に対して増幅回路構成となっていない。
【００２９】
図２は、本実施の形態に係るソースフォロア回路と比較例のソースフォロア回路とのゲイン特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。このグラフにおける縦軸は電圧利得［ｄＢ］、横軸は入力信号周波数［Ｈｚ］である。本実施の形態に係るソースフォロア回路のゲイン特性はプロット点が四角（□）で表わされ、比較例のソースフォロア回路のゲイン特性はプロット点が丸（○）で表わされている。また、入力信号周波数１００Ｍ〜２００Ｍ［Ｈｚ］の間における２点鎖線は、本実施の形態に係るソースフォロア回路において抵抗値を切り替えた地点である抵抗値切替点を示している。なお、抵抗値切替点より左側の領域は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より低い領域となり、抵抗部Ｒ１，Ｒ２の各抵抗成分のうち大きい方の抵抗成分Ｒ１２，Ｒ２２が投入されている。また、抵抗値切替点より右側の領域は、入力端Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に供給される高周波入力信号の周波数が所定値より高い領域となり、抵抗部Ｒ１，Ｒ２の各抵抗成分のうち小さいほうの抵抗成分Ｒ１１,Ｒ２１が投入されている。シミュレーションの結果、本実施の形態に係るソースフォロア回路と、比較例のソースフォロア回路とでは、ゲイン特性に変化がないことを確認した。したがって、本実施の形態に係るソースフォロア回路は、従来と同等のゲイン特性を実現している。
【００３０】
図３は、本実施の形態に係るソースフォロア回路と比較例のソースフォロア回路との雑音指数をシミュレーションした結果を示すグラフである。このグラフにおける縦軸はノイズの強さ［ｄＢ］、横軸は入力信号周波数［Ｈｚ］である。本実施の形態に係るソースフォロア回路の雑音特性はプロット点が四角（□）で表わされ、比較例のソースフォロア回路の雑音特性はプロット点が丸（○）で表わされている。また、入力信号周波数１００Ｍ〜２００Ｍ［Ｈｚ］の間における２点鎖線は、本実施の形態に係るソースフォロア回路において抵抗値を切り替えた地点である抵抗値切替点を示している。シミュレーションの結果、本実施の形態に係るソースフォロア回路は、出力端から出力される出力信号に含まれるノイズ強度が、比較例のソースフォロア回路より十分に弱くなっていることが確認でき、雑音特性が改善されることが判明した。
【００３１】
以上説明したように、本実施の形態に係るソースフォロア回路においては、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５をアンプ化するとともに、電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５のゲートにクロスカップルに容量Ｃ１，Ｃ２を接続したので、雑音特性を改善することが可能となる。また、カレントミラー回路部を構成する電界効果型トランジスタＭ４，Ｍ５のゲートを抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電界効果型トランジスタＭ３のドレインおよびゲートに接続し、容量Ｃ１，Ｃ２および抵抗Ｒ１，Ｒ２でハイパスフィルタを構成し、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を入力周波数に応じて切り替え可能にしたので、少なくとも抵抗値を小さくする高域での雑音改善効果を期待できる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、さまざまに変更して実施可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更が可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施可能である。
【符号の説明】
【００３３】
１ 電圧源
２ 定電流源
Ｍ１〜Ｍ５ 電界効果型トランジスタ
Ｃ１，Ｃ２ 容量
Ｒ１，Ｒ２ 抵抗部
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ 抵抗成分
ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチ
２０ ソースフォロア回路部
２１ カレントミラー回路部
２２ 電圧源
２３ 定電流源
Ｍ２０〜Ｍ２４ 電界効果型トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動信号が供給される第１および第２の入力端からなる差動入力端と、
ゲートが前記第１の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第２の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第２の電界効果型トランジスタと、
ドレインが定電流原に接続され、ゲート−ドレイン間が接続され、ソースが接地された第３の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第４の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第５の電界効果型トランジスタと、
前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続された第１の出力端、および前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続された第２の出力端からなる差動出力端と、
前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第１の容量と、
前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第２の容量と、
前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第１の抵抗と、
前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第２の抵抗と、
を具備したことを特徴とするソースフォロア回路。
【請求項２】
前記第１および第２の抵抗の抵抗値がそれぞれ可変であることを特徴とする請求項１記載のソースフォロア回路。
【請求項３】
前記第１および第２の抵抗は、それぞれ抵抗値の異なる複数の抵抗成分からなり、
前記第１の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第４の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第１のスイッチと、前記第２の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第５の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第２のスイッチと、を備え、
１つの集積回路内に設けられることを特徴とする請求項２記載のソースフォロア回路。
【請求項１】
差動信号が供給される第１および第２の入力端からなる差動入力端と、
ゲートが前記第１の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第２の入力端に接続され、ドレインが電圧源に接続された第２の電界効果型トランジスタと、
ドレインが定電流原に接続され、ゲート−ドレイン間が接続され、ソースが接地された第３の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第４の電界効果型トランジスタと、
ゲートが前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと接続され、ドレインが前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続され、ソースが接地された第５の電界効果型トランジスタと、
前記第１の電界効果型トランジスタのソースに接続された第１の出力端、および前記第２の電界効果型トランジスタのソースに接続された第２の出力端からなる差動出力端と、
前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第１の容量と、
前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に接続された第２の容量と、
前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第４の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第１の抵抗と、
前記第３の電界効果型トランジスタのドレインおよびゲートと前記第５の電界効果型トランジスタのゲートとの間に設けられた第２の抵抗と、
を具備したことを特徴とするソースフォロア回路。
【請求項２】
前記第１および第２の抵抗の抵抗値がそれぞれ可変であることを特徴とする請求項１記載のソースフォロア回路。
【請求項３】
前記第１および第２の抵抗は、それぞれ抵抗値の異なる複数の抵抗成分からなり、
前記第１の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第４の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第１のスイッチと、前記第２の抵抗の各抵抗成分を選択的に前記第５の電界効果型トランジスタのゲートに接続する第２のスイッチと、を備え、
１つの集積回路内に設けられることを特徴とする請求項２記載のソースフォロア回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２４４２７６（Ｐ２０１２−２４４２７６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１０１８６（Ｐ２０１１−１１０１８６）
【出願日】平成２３年５月１７日（２０１１．５．１７）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１７日（２０１１．５．１７）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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