【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）

【課題】 送信開始時に出力電力が低いレベルで急に立ち上がるのを回避し、立ち上がり特性を向上することができ、パワーの高いところでの出力電力の変化率を大きくしてパワーを十分に出すことができるＲＦパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 電力増幅用トランジスタ（Ｑａ１，２，３）と、該トランジスタとカレントミラー接続されたバイアス用トランジスタ（Ｑｂ１，２，３）とを備えバイアス用トランジスタに出力電力制御電流を流すことで電力増幅用トランジスタにバイアスを与える回路と、出力電力制御電圧（Ｖapc）に基づいて前記バイアス回路へ電流を供給する出力電力制御回路（２３０）とを有し高周波の送信信号を増幅するＲＦパワーモジュールにおいて、バイアス回路には出力電力制御電圧を受け２乗特性を有する電流を生成して上記バイアス用トランジスタに流すようにした。 （もっと読む）

１つ以上の非シリコンベースのスイッチングトランジスタ、及びシリコンベース（例えば、ＣＭＯＳ）の制御器を使用するスイッチモードＤＣ−ＤＣ電力コンバータが開示される。非シリコンベースのスイッチングトランジスタは、必ずしもそれに制限されるとは限らないが、ガリウムヒ素金属半導体電界効果トランジスタのようなIII-V化合物半導体素子、または高電子移動度トランジスタのようなヘテロ構造電界効果型トランジスタを備えることができる。本発明の一実施例によれば、非シリコンベースのスイッチングトランジスタの効果尺度（ＦｏＭ）である“τ_ＦＥＴ”は、本発明のコンバータが、例えばＥＤＧＥ、及びＵＭＴＳのような広帯域幅技術のために考案された無線装置のエンベロープ追跡型増幅回路において使用されることを可能にすると共に、それによって無線装置の効率及びバッテリ貯蓄能力を向上させる。
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スイッチングモード電力増幅器（ＰＡ）に適したクラスＥ負荷回路トポロジに関する。本発明の負荷は増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合された直列誘導素子と、前記直列誘導素子に結合された直列の容量素子とを含んでいる。示された実施形態では、負荷は８−１０ＧＨｚの周波数で動作可能である。本発明は入力整合ネットワークと、入力整合ネットワークに結合された能動装置と、能動装置に結合され本発明の構成による負荷とを有する有効なクラスＥ増幅器を可能にする。さらに、負荷を設計する方法は負荷の集中等価回路の表示を与え、時間ドメインシミュレーションを使用して予め定められた周波数範囲で理想に近い電流及び電圧動作特性を実現するため負荷の集中等価回路の表示を最適化し、最適化された負荷の集中等価回路の表示を分布回路の表示に変換し、時間ドメインシミュレーションを使用して予め定められた周波数範囲で理想的な電流及び電圧動作特性を実現するため分布負荷の回路の表示を最適化するステップを含んでいる。 （もっと読む）

スイッチモード電力増幅器が、１．０ＧＨｚを上回る入力信号に応答するトランジスタを含み、そして、そのトランジスタは、アースに結合された１つの端子と、伝導的に電源に結合された別の端子とを含む。共振回路が、第２の端子を出力に結合し、負荷抵抗を出力とアースとに結合する。トランジスタがオンにされている時、第２の端子はアースに結合され、トランジスタがオフにされている時、電源から第２の端子への電流が、トランジスタの内部キャパシタンスへと流され、第２端子上の電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、第２端子での電圧は、共振回路を通じて出力端子に結合する。好適実施形態において、トランジスタは、第１の端子が電源端子であり、第２の端子がドレイン端子であるような化合物半導体電界効果型トランジスタを含む。電界効果型トランジスタは、できれば、化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）もしくは化合物ＭＥＳＦＥＴであることが望ましいが、別の実施形態において、トランジスタは、化合物ＬＤＭＯＳ、化合物バイポーラ・トランジスタ、または化合物ＭＯＳＦＥＴであってもよい。
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公開した多チップ電力増幅器はそれぞれがトランジスタである複数のチップ（２０−２３）とこれらすべての半導体チップを取り付けた１つのハウジング（３６）とを備えている。複数の入力リード線がハウジング内に伸び、そして複数の出力リード線がハウジングから外に伸びている。複数の第１の整合回路網（３８）は半導体チップを入力リード線へ結合し、そして複数の第２の整合回路（４０）は各半導体チップを出力リード線へ結合し、それにより各チップはそれ自体の入力リード線と出力リード線とを有する。単一のハウジング内のすべての増幅器チップに、これもハウジング内で整合回路を設けてチップを入出力リード線に結合することにより製作コストは低減され、そして取付け基板上の全パッケージ設置面積は減少する。更に、ハウジング内でのチップの近接により半導体チップにおける信号間の位相差を低減する。
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並列に動作する複数のトランジスタを備えるトランジスタ増幅器の線形性を、トランジスタによって発生された信号の奇数次トランスコンダクタンス導関数を低減することによって改善する。トランジスタはグループで提供され、それぞれのグループはそこに印加される異なるバイアス電圧を有し、またはそれぞれのグループのトランジスタはそこに印加される異なる入力信号を有しえる。トランジスタのグループは、電界効果トランジスタにおけるゲートの幅対長さ比、およびトランジスタについてのスレッショルド電圧のような異なる物理パラメータを有しえる。
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増幅器が振動する（ｏｓｃｉｌｌａｔｅ）のを防止するために、安定化回路（５３０）が、電力増幅器トランジスタ（５０２）の出力に接続される。この安定化回路（５３０）は、基本的に、コンデンサ（５３４）と直列に接続された抵抗器（５３６）を含む。また、この安定化回路は、コンデンサと抵抗器とに直列に接続されたインダクタ（５３２）を含んでもよい。このインダクタは、プリント導電線及び／又はボンディング・ワイヤによって部分的に、又は完全に実現されることができる。この安定化回路は、動作周波数の範囲全体にわたって、トランジスタ出力において低インピーダンスをもたらす。
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電気回路が形成されているウェハ上にアクティブ・バイアス（１０）が形成され、電気回路に追加的に印加される入力信号に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。具体的には、アクティブ・バイアス（１０）は、少なくとも１つのトランジスタを備え、電気回路に影響を及ぼすウェハ・ロット変動がアクティブ・バイアスの特性に対し相応して影響を及ぼすように、電気回路を形成するトランジスタ（１０）と同型であることが好ましい。アクティブ・バイアス（１０）は、ドレインが電気回路の出力に電気的に接続された１つの電界効果トランジスタ（１０）を備える。加えて、ドレインはトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタ（１０）を流れる電流は、トランジスタ（１０）のドレインおよびトランジスタのゲートにそれぞれ電圧（Ｖｏｕｔ）を生成する。この電圧（Ｖｏｕｔ）は次いで、電気回路にバイアス電圧として印加される。この回路で、トランジスタ（１０）を流れる電流はウェハ・ロット変動のため変動し、その結果、電気回路に印加されるバイアス電圧（Ｖｏｕｔ）が相応して変化する。アクティブ・バイアス（１０）はさらに追加トランジスタを備えることができ、各トランジスタ（１０）のチャネルは他のトランジスタのゲートに電気的に接続される。この点において、トランジスタを流れる電流は、トランジスタが流れる電流を過度に増減させるのを防止するために相互に調整される。
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本発明は、電力増幅器の効率と線形性の特性を改善するための、携帯用デバイスの電力増幅器回路のバイアス制御に関する。一実施形態において、前記電力増幅器は、電圧制御信号を受信して、低出力電力範囲内において前記電力増幅器がドハティモードで動作するように、且つ、高出力電力範囲内において前記電力増幅器が非ドハティモードで動作するように、補助の増幅器にバイアスをかけることによって、これらの特性を改善する。前記高出力電力範囲内における前記電力増幅器の非線形動作要件を満たすために、非ドハティモードにおいて、補助の増幅器は、受信した電圧制御信号を介して、クラスＡＢ増幅器としてバイアスをかけられる。前記電力増幅器は、遠隔の基地局から受信した信号の電力レベルに基づいて、前記電圧制御信号を生成する。
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【課題】反対方向に伝搬する送信信号及び受信信号双方を増幅する送受信機モジュール用双方向増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器（１０）は、共通伝送線路（２０）に沿って電気的に結合される第１及び第２の共通ゲートＦＥＴ（２２、２４）を含む。送信信号入力ポート（１２）と第１ＦＥＴ（２２）との間で、第１可変整合ネットワーク（２８）が伝送線路（２０）に電気的に結合され、受信信号入力ポート（１４）と第２ＦＥＴ（２４）との間で、第２可変整合ネットワーク（３０）が伝送線路（２０）に電気的に結合される。第１及び第２ＦＥＴ間において、段間可変整合ネットワーク（３２）が伝送線路に電気的に結合される。ＤＣ電圧レギュレータ（３４）が、整合ネットワーク（２８、３０、３２）及びＦＥＴにＤＣバイアス信号を供給し、送信信号及び受信信号に対し、異なる信号増幅特性及び異なるインピーダンス整合特性を与える。 （もっと読む）