【課題】 高周波信号が供給されている１パルス期間の間、ハイパワーアンプの利得を一定に保つこと。
【解決手段】 所定の繰り返し周期で間欠的に高周波信号が供給されるハイパワーアンプの利得を一定にする利得安定化回路（１００）は、ドレイン電圧（Ｖｄｄ）が一定の状態で、ハイパワーアンプ（１００）のゲート端子に印加されるゲートバイアス電圧を、上記繰り返し周期に同期させて、高周波信号が供給されているパルス期間の間、変動させるゲートバイアス制御回路（１２０）を備える。それによってハイパワーアンプ（１００）のチャンネル温度の変化による利得変動を抑え、ハイパワーアンプ（１００）の利得を一定にする。 （もっと読む）

【課題】電力効率を向上できるマイクロ波高調波処理回路。
【解決手段】入力端子がトランジスタの出力端子に接続され、所定の電気長を有する直列伝送線路T11の出力端子に１点で並列接続され２次以上でｎ次（ｎは任意の整数）までの高調波に対してそれぞれが所定の電気長を持つ異なる長さの（ｎ−１）個の並列先端開放スタブT21〜T26、直列伝送線路と（ｎ−１）個の並列先端開放スタブの内の２つの並列先端開放スタブT25,T26が１つの接続点で接続されて構成された第１ストリップ導体7、（ｎ−３）個の並列先端開放スタブT21,T22,T34,T24が１つの接続点で接続されて構成された第２ストリップ導体3、第１ストリップ導体と第２ストリップ導体との間に配置された接地層5、第１ストリップ導体の接続部20と第２ストリップ導体の接続部22とを電気的に接続するビア10を有する。 （もっと読む）

アンプの直線性を改善するための技術が述べられる。典型的な設計では、アンプ（例えば、パワーアンプ）は、スタック内に結合された複数のトランジスタと、少なくとも一つのダイオードを含む。前記複数のトランジスタでは、入力信号を受信して増幅する出力信号を提供する。少なくとも一つのダイオードがスタック内の少なくとも一つのトランジスタに動作可能なように結合される。各ダイオードは、スタック内の関連付けられたトランジスタに可変バイアス電圧を提供する。各ダイオードは、高入力パワーでダイオードの両端で電圧降下を有し、そして、高入力パワーで関連付けられているトランジスタに高バイアス電圧を提供する。少なくとも一つのトランジスタは、少なくとも一つのダイオードから高バイアス電圧に起因する高入力パワーで高ゲインを有する。高ゲインはアンプの直線性を改善する。
（もっと読む）

【課題】効率が改善され高調波放射が低減されたマイクロ波増幅器を動作させるための装置および方法を提供する。
【解決手段】増幅器は、可変レール電圧源と可変入力駆動段とを有する。コントローラは、増幅器出力を継続的に監視し、高効率と低高調波放射を実現するために、レール電圧および入力駆動部材信号を調整する。増幅器は、線形領域外で利得素子を動作させるために構成された動的バイアスコントローラを備えうる。増幅器によって７０％を超える効率を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】Idqドリフトにより発生する大きな利得変動を効率よく補償すること。
【解決手段】送信装置に含まれる高出力増幅器１４０が、GaN-HEMTデバイスに接続されたドレインバイアスの抵抗１４１ａ前後の電圧に基づいて、電圧差分を出力し、電圧差分に基づいて利得補償を実行するか否かを判定する。そして、高出力増幅器１４０は、利得補償を実行する場合に、電圧差分に基づいて減衰量を特定し、特定した減衰量を信号線に与えることで利得補償を実行する。 （もっと読む）

実施形態は、これに限定されないが、ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を有する単位セルを含む装置とシステムを含む。フィールドプレートは前記ソース電極に連結され、帰還抵抗は前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結されてもよい。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

（もっと読む）

【課題】ミリ波帯において、安定して動作するとともに、高利得または高出力なミリ波デバイスを実現することができるカスコード回路を提供することにある。
【解決手段】２つのトランジスタが縦続接続されたカスコード回路であって、ソースが接地されたＨＥＭＴ１と、ソースがＨＥＭＴ１のドレインに接続されたＨＥＭＴ２と、ＨＥＭＴ２のゲートに接続され、反射利得を抑制する反射利得抑制抵抗３と、反射利得抑制抵抗３のＨＥＭＴ２と反対側に接続され、所定周波数近傍の高周波信号を短絡するオープンスタブ４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得特性を得ると共に、低消費電力で小型な高周波低雑音増幅器を提供する。
【解決手段】高周波低雑音増幅器10において、初段の増幅回路12は、低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得が得られるGaNをベースとしたＨＥＭＴを用い、次段以降には低消費電力で小型にできるGaAsをベースとしたＨＥＭＴを用いた増幅回路13を採用した。これらを多段カスケード接続した構成を採用した。 （もっと読む）

レンズアレイ増幅器の形態に基づくモジュラー・ソリッドステートＭＭＷパワーソースは、出力パワーを調整フレキシビリティと効果的な熱管理の両方を提供する。モジュラーパワーソースは、１以上のパワーディバイダと１以上のソリッドステート増幅ステージとを使用する単一のサブモジュールを含んでいて、ＲＦ入力信号をＲ個の増幅ＲＦ信号に分割し増幅する。サブモジュールはヒートシンクの表面上の適切にはＸ−Ｙ平面にマウントされ、冷たいバックプレーンに適切に結合されて熱を除去する。Ｒ個の１：Ｎ低ロスパワーディバイダは増幅されたＲＦ信号をＲ^＊Ｎ個の放射素子に導く。１：Ｎパワーディバイダの各々は、Ｘ−Ｚ平面に適切に存在し、Ｙ方向に積層されて、Ｙ−Ｚ平面のＲ^＊Ｎ個の放射素子のプレーナ出力を提供する。単一のサブモジュール上に増幅チップを配置すると、増幅チップ数、即ち放射素子数からの出力パワーを分離できる。増幅チップを放射素子から離して配置すると、ヒートシンクからバックプレーンに向かう大きな断面を有する短経路を形成でき熱を除去できる。この形態によると、高いアンテナ利得と結合される高出力パワーを生成でき、以前はジャイロトロンでのみ達成可能であった大きなパワーアパーチャー製品を作成できる。増幅チップはよりパワフルになるので、この形態によるとより少ないチップを使用することを可能とする。 （もっと読む）

本発明は、無線周波数送信機（ＲＦＴ）及び無線周波数送信機（ＲＦＴ）内で無線周波数入力信号（Ｓ_ＩＮ）を増幅する方法に関する。無線周波数送信機（ＲＦＴ）は、パルスビットストリーム信号を生成するように適合された生成ユニット（ＧＵ）を有するデジタル信号生成器（ＤＳＧ）、及び無線周波数入力信号（Ｓ_ＩＮ）を増幅するように適合されたトランジスタ回路（ＰＴ）を有するスイッチモード電力増幅器（ＳＭＰＡ）を備える。デジタル信号生成器（ＤＳＧ）は、前記パルスビットストリーム信号内で事前定義された閾値より長い一定の信号高さのシーケンスを検出するように適合された制御ユニット（ＣＵ）をさらに備える。制御ユニット（ＣＵ）はまた、前記シーケンスの検出時に、前記シーケンス内に１つ以上のノッチを挿入することによって修正されたパルスビットストリーム信号の生成を開始するように適合される。前記ノッチは、シーケンスの信号高さとは異なる信号高さの信号によって前記シーケンスに割り込む。無線周波数送信機（ＲＦＴ）は、前記トランジスタ回路（ＰＴ）に前記修正されたパルスビットストリーム信号を無線周波数入力信号（Ｓ_ＩＮ）として提供するように適合された接続手段（ＣＭ）をさらに備える。
（もっと読む）

【課題】負電圧で動作可能であり、かつ出力電圧の温度変化が大きな特性が得られる温度補償バイアス回路を提供する。
【解決手段】プラス側電圧印加端子３にドレイン端子が接続し、温度が高くなるにつれてドレイン電流が増加する傾向を示す閾値電圧Ｖｔｈ付近の電圧範囲のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが印加されるトランジスタ４と、一端がトランジスタ４のソース端子に接続し、他端が抵抗６の一端に接続するダイオード５と、一端が抵抗６の他端に接続すると共に、他端がマイナス側電圧印加端子１に接続し、トランジスタ４のゲート端子が抵抗６との接続部に接続する抵抗７と、ダイオード５と抵抗６との接続部に接続して出力電圧が取り出される出力電圧端子２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】飽和出力１Ｗ以上かつ電力付加効率５０％以上を達成できる低温受信増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の低温受信増幅器１００は、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）１１０を極低温の環境で増幅素子として用いる。そして、増幅素子のゲートと入力端子Ｔ１の外部とのインピーダンス整合を行う入力整合回路１２０と、増幅素子のゲートに直流電圧を印加するゲートバイアス回路１３０と、増幅素子のドレインと出力端子Ｔ２の外部とのインピーダンス整合を行う出力整合回路１４０と、増幅素子のドレインに直流電圧を印加するドレインバイアス回路１５０とを備える。また、冷却温度は、１５０Ｋ以下とするのが好ましい。GaN HEMT１１０に、青色ＬＥＤを照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】高出力電力増幅ＩＣのチャネル温度を低下させ、信頼性を向上した高周波半導体回路を得ることを目的とする。
【解決手段】パッケージ２５のベースに搭載されたＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０、ＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０のゲートが接続されるインピーダンス整合用キャパシタ１５、ＧａＮ−ＨＥＭＴ−ＩＣ１０のドレインが接続されるインピーダンス整合用薄膜キャパシタｏｎ ｎ形−ＳｉＣ３０、インピーダンス整合用キャパシタ１５とパッケージ２５に形成されたメタライズ１２ａを接続するワイヤ１６ａ及びインピーダンス整合用薄膜キャパシタｏｎ ｎ形−ＳｉＣ３０とメタライズ１２ｂを接続する幅広のリボンワイヤ５５を備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ消費電力を増大させることなく、低レベルの歪みを低減する。
【解決手段】増幅器には、第１のトランジスタが含まれ、第１のトランジスタは第１、第２、および第３の端子を備え、第１の端子は入力端子であり、第２の端子は出力端子であり、第３の端子は共通端子である。増幅器には、第１および第２の端子を備えた線形化回路が構成されている。線形化回路の第１の端子は、トランジスタの共通端子に接続され、第２の端子は、トランジスタの入力端子に接続される。特定の実施形態では、線形化回路は、単位利得バッファであって、その入力端子がトランジスタの共通端子に接続され、その出力端子がトランジスタの入力端子に接続されたものとして構成される。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号の角周波数ωo及び高調波を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、ＤＣに対して開放、角周波数ｂωo（０＜ｂ＜１）、偶数調波に対して短絡、角周波数ωo、奇数調波に対して出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路１４はＤＣに対して短絡、奇数調波に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ帯からＫｕ帯にわたる高周波領域で動作する大きなサイズのパワートランジスタを用いた高出力増幅器において、低インピーダンスの入力整合回路を実現すると共に実装ばらつきを低減する。
【解決手段】ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタ１と入力整合回路２とを含む高出力増幅器であって、入力整合回路２において、トランジスタ１のソース端子に対向する位置にグランドに導通したビア８を設け、トランジスタ１のゲート端子に対向する位置に信号線としての導体６を設け、ソース端子と当該ソース端子に対向する位置に設けられたビア８とをソースワイヤ１２を用いて接続し、ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた導体６とをゲートワイヤ１３を用いて接続する。 （もっと読む）

【課題】増幅に伴って発生する相互変調歪信号を容易に抑制できる増幅回路を提供する。
【解決手段】
第１増幅器１０２側の経路では、入力信号を第１増幅器１０２によってＡ級増幅し、α倍に増幅する。この結果、電力αＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。第２増幅器１０３側の経路では、入力信号を第２増幅器１０３によってＡＢ級増幅し、β倍（α＞β）に増幅する。その結果、電力βＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。最終的に、正相で電力αＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）と、逆相で電力βＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）とが、合成器１０４によって合成される。 （もっと読む）

【課題】増幅に伴って発生する非線形歪信号を容易に抑制できる放送用増幅回路を提供する。
【解決手段】
第１増幅器１０２側の経路では、入力信号を第１増幅器１０２によってＡ級増幅し、α倍に増幅する。この結果、電力αＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。第２増幅器１０３側の経路では、入力信号を第２増幅器１０３によってＡＢ級増幅し、β倍（α＞β）に増幅する。その結果、電力βＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。最終的に、正相で電力αＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）と、逆相で電力βＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）とが、合成器１０４によって合成される。 （もっと読む）

スイッチモード電力増幅器及びスイッチモード電力増幅器で使用するのに特に適した電界効果トランジスタが開示される。トランジスタは、ソース端子とドレイン端子とを有し、ゲート端子がそれらの端子の間の誘電体材料の上に位置付けされている化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であることが好ましい。フィールドプレートは、少なくとも２つの層の誘電体材料上でゲート端子からドレインの方に延びている。誘電体層は、好ましくは、シリコン酸化物及びシリコン窒化物を含んでいる。シリコン酸化物の第３の層が設けられ、シリコン窒化物の層がシリコン酸化物の層の間に位置付けされてもよい。ゲート端子の凹部をエッチングする際に、エッチング選択性が使用される。
（もっと読む）