【課題】半導体装置が動作状態から待機状態に移行するとき、内部電源電圧の目標電圧からの上昇を抑制する。
【解決手段】非動作状態の負荷回路への電源電流の供給に用いられる電源回路１５において、トランジスタＰＴＲＳ１は、外部電源電圧を受ける電源ノードと出力ノード１８との間に接続される。比較器５０は、第１の入力端子および参照電圧が入力される第２の入力端子を有し、第１および第２の入力端子間の電圧差に応じた制御電圧をトランジスタＰＴＲＳ１の制御電極に出力する。分圧回路４０は、出力ノードの電圧を分圧した電圧を比較器５０の第１の入力端子に出力する回路であり、分圧比を変更可能である。電源回路１５は、負荷回路が動作状態のときに、分圧回路４０の分圧比を第１の分圧比から第１の分圧比よりも高い第２の分圧比に変更する。 （もっと読む）

【課題】ストローブ信号の変化によって基準電位に重畳するノイズを低減し、これにより、基準電位を用いる入力レシーバ回路の動作マージンの低下を防止する。
【解決手段】ストローブ信号ＩＤＱＳＴによって活性化され、入力信号ＤＱの電位と基準電位ＶＲＥＦとを比較することによって出力信号ＩＤＱＲを生成する入力レシーバ回路１７Ｒと、ストローブ信号ＩＤＱＳＴの変化によって基準電位ＶＲＥＦに生じるノイズをキャンセルするノイズキャンセラ１００Ｔとを備える。本発明によれば、ノイズキャンセラ１００Ｔによって基準電位ＶＲＥＦに生じるノイズがキャンセルされることから、入力レシーバ回路１７Ｒの動作マージンを十分に確保することができる。これにより、高速なデータ転送を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部電源電圧の規格が異なるＳＤＲＡＭの設計を共通化しつつ、該ＳＤＲＡＭの消費電流の増大を抑制できる電源電圧判定回路を提供する。
【解決手段】第１外部電源電圧と第２外部電源電圧間の電位差に比例する比例電圧と所定の一定電圧とを比較し、該比較結果を基に第１外部電源電圧がしきい値よりも低いとき、Ｐｃｈ基板電位設定回路は第１外部電源電圧をＰチャネルトランジスタの基板へ供給し、Ｎｃｈ基板電位設定回路は第２外部電源電圧をＮチャネルトランジスタの基板へ供給する。また、第１外部電源電圧がしきい値以上であるとき、Ｐｃｈ基板電位設定回路は第１外部電源電圧よりも高い電圧をＰチャネルトランジスタの基板へ供給し、Ｎｃｈ基板電位設定回路は、第２外部電源電圧よりも低い電圧をＮチャネルトランジスタの基板へ供給する。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２のデータ線対間に接続され、ゲート端子に共通に供給される制御信号に応答して導通、非導通が共通に制御されるスイッチのオン電流を絞り込むことで、第２のデータ線対の電圧が高い場合でもスイッチ導通時におけるアンプの反転を抑制する。
【解決手段】制御信号を生成する回路ＹＤＥＣは、スイッチ対をなすＭＯＳトランジスタＹＳ−ＴＲの閾値電圧に応じて電圧値を制御し、第２のデータ線対の振幅の高位側の電圧の電源電圧ＶＤＤと第１のデータ線対の振幅の高位側の電圧の電源電圧ＶＡＲＹの間の電圧にクランプされた電源電圧ＶＹＳを生成する回路を備え、低位側及び高位側の電圧を、夫々電源電圧ＶＳＳ及び前記電源電圧ＶＹＳとした前記制御信号を前記ＭＯＳトランジスタ対のゲート端子に供給する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供し、書き込み後の当該半導体装置のメモリセルのしきい値電圧のばらつきを小さくし、動作電圧を低減する、または記憶容量を増大する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタとをそれぞれ有する複数のメモリセルと、複数のメモリセルを駆動する駆動回路と、駆動回路に供給する複数の電位を生成する電位生成回路と、複数のメモリセルへのデータの書き換えが終了したか否かを検知する書き込み終了検知回路と、を有し、駆動回路は、データバッファと、複数のメモリセルのそれぞれに複数の電位のうちいずれか一の電位をデータとして書き込む書き込み回路と、メモリセルに書き込まれたデータを読み出す読み出し回路と、読み出されたデータと、データバッファに保持されたデータとが一致するか否かをベリファイするベリファイ回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電流量制御信号ＯＶＤＲの非活性化を開始した直後の第２の電圧Ｖ_２のオーバーシュート又はアンダーシュートを抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、カレントミラーで構成されたオペアンプ６１を含み、第１の電圧Ｖ_１から第２の電圧Ｖ_２を生成するレギュレータ６と、電流量制御信号ＯＶＤＲを生成し、電流量制御信号ＯＶＤＲの第１の遷移によってカレントミラーが流す電流を増大させ、電流量制御信号ＯＶＤＲの第２の遷移によってカレントミラーが流す電流を減少させる制御回路８と、を備え、制御回路８は、第２の遷移に関連する電流量制御信号ＯＶＤＲの第２のスルーレートを、第１の遷移に関連する電流量制御信号ＯＶＤＲの第１のスルーレートよりも小さくするスルーレート処理部８０を含む。 （もっと読む）

【課題】 カップリングノイズを低減すること。
【解決手段】 半導体装置は、第１の回路と、第２の回路と、第１の配線と、一対のシールド線とを含む。第１の回路は、所定電圧を発生する電圧発生回路を含み、所定電圧を出力端に出力する。第１の配線は、第１の回路の出力端を第２の回路の入力端に結線する。一対のシールド線は、第１の配線を挟むように配置され、一方には電圧発生回路および第２の回路の少なくとも一方を駆動する電源電位が供給され、他方には電圧発生回路および第２の回路の少なくとも一方を駆動する接地電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな半導体装置を提供する。また、回路規模を縮小し、書き込み、読み出しに対する信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを用いたメモリセルに対して、ベリファイ動作と、読み出しを行う際に、異なるしきい値電圧を示すデュアルゲート駆動のトランジスタを抵抗素子として用いることで、一系統の基準電位回路のみで安定したベリファイ動作、及び読み出し動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部から供給される電源電圧に依存しない定電圧で動作する内部回路と電源電圧で動作する内部回路とを備え、外部から供給される電源電圧が大きく変動した場合の誤動作の発生を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】内部回路と、外部から供給される電源電圧の変動に対して安定化された内部電圧を発生し、内部回路に供給する内部電圧発生回路と、を備え、内部電圧発生回路は、電源電圧が所定値を超えて上昇した場合に、内部電圧に対する安定化動作を停止し、内部電圧が電源電圧の上昇に伴い大きくなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】シングルエンド型のセンスアンプを用い、トランジスタの閾値電圧のばらつき分布に起因する動作不良を防止して良好なセンスマージンを確保し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、例えば、メモリセルＭＣと選択的に接続されるビット線ＢＬに伝送される信号電圧をセンス増幅するシングルエンド型の所定数のセンスアンプＳＡを含んでいる。センスアンプＳＡは、転送制御信号ＴＧに応じてビット線ＢＬと入力ノードＮｓとの間の電荷転送を制御するトランジスタＱ１を含む。転送制御信号の活性化時の電位は、複数の基準電圧の中から選択される基準電圧となるように制御され、この複数の基準電圧はトランジスタＱ１の閾値電圧のばらつき分布に関連付けられた互いに異なる電圧値に設定されている。所定数のセンスアンプＳＡごとに適切な基準電圧を選択することにより、センスアンプＳＡの良好なセンスマージンを確保することができる。 （もっと読む）

【課題】内部電源発生回路から生成される内部電源を受けて安定動作を図りつつ、消費電力を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２、ロウカラムデコーダ１３およびセンスアンプ１５は、アレイ電圧ＶｄｄＴで駆動する。一方、消費電力の大きいデータパス１４は、外部電源電圧ＶｄｄＬで駆動する。そして、レベル変換回路１７は、外部電源電圧ＶｄｄＬの電圧レベルをもつアドレス信号またはコマンド信号を受けて、その電圧レベルをアレイ電圧ＶｄｄＴに変換し、制御回路１２へ出力する。また、レベル変換回路１８は、制御回路１２からアレイ電圧ＶｄｄＴの電圧レベルをもつ制御信号を受けて、その電圧レベルを外部電源電圧ＶｄｄＬに変換し、データパス１４へ出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部電圧生成回路に供給されるグランド電圧の変動による影響を抑制すること。
【解決手段】内部回路は、内部電圧生成回路によって生成される内部電圧に基づいて動作する。また、内部電圧生成回路及び内部回路は、グランド配線を介してグランドに接続される。内部電圧生成回路は、内部電圧が出力される出力端子と、グランド配線に接続されるグランド端子と、電圧が基準電圧に応じた値に制御される中間ノードと、出力端子と中間ノードとの間に接続された第１抵抗部と、中間ノードとグランド端子との間に接続された第２抵抗部と、第１抵抗部の抵抗値Ｒ１と第２抵抗部の抵抗値Ｒ２の比率Ｒ１／Ｒ２を切り換えるスイッチ部と、を備える。スイッチ部は、内部回路が動作する時の比率を、内部回路が動作を停止している時の比率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】ダブルゲートトランジスタを用いた機能回路のバックゲート電圧を適切に制御して良好な特性を実現可能な半導体装置等及びその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ダブルゲートトランジスタを含む機能回路と、ダブルゲート構造の基準トランジスタ２０、３０を含む電圧制御回路を備えている。基準トランジスタ２０、３０には、第１ゲート電極に参照電圧Ｖｒｐ、Ｖｒｎが印加され、第２ゲート電極の電位はドレイン電流Ｉｐ、Ｉｎが参照電流Ｉｒｐ、Ｉｒｎと一致するように制御され、その電位が制御電圧ＶＢＧＰ、ＶＢＧＮとして出力される。制御電圧ＶＢＧＰ、ＶＢＧＮを機能回路のダブルゲートトランジスタの第２ゲート電極に印加することで機能回路に所望の特性が付与される。 （もっと読む）

【課題】高精度の定電圧を発生することができる定電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る定電圧発生回路１は、一対の不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２と、平衡状態において各不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２に互いに等しい電流を流す一対のトランジスタＭＰ１・ＭＰ２と、トランジスタＭＰ１・ＭＰ２の出力電圧を入力とするオペアンプＡＭＰ２と、オペアンプＡＭＰ２の出力電圧Ｖｏｕｔの変化を検知して不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２に流れる電流が平衡するように制御する抵抗Ｒ１・Ｒ２と、各不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２の閾値電圧を制御する不揮発メモリ制御回路１３と、を備え、不揮発メモリ制御回路１３が不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２の浮動ゲートに保持される電荷量を変化させるときに、不揮発メモリ制御回路１３とオペアンプＡＭＰ２とを電気的に遮断するスイッチ回路ＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 リフレッシュ要求の生成周期を切り替える半導体メモリにおいて、消費電力を削減する。
【解決手段】 リフレッシュタイマは、ダイナミックメモリセルをリフレッシュするためのリフレッシュ要求信号を周期的に生成するとともに、周期制御信号に応じてリフレッシュ要求信号の生成周期を変更する。温度比較回路は、温度検出回路により検出されたチップ温度が、予め設定された複数の基準温度のうち一度も超えていない基準温度を超える毎に、最大温度の検出を示す検出信号を出力する。リフレッシュ制御回路は、検出信号を受ける毎に、リフレッシュ要求信号の生成周期を短くするために周期制御信号の値を変更し、チップ温度が低下したときに周期制御信号の値を維持する。これにより、リフレッシュ要求信号の生成周期の切り替えの頻度を下げることができ、切り替えに必要な消費電力を削減できる。 （もっと読む）

【課題】より効率的に電圧を供給することが可能な内部電源電圧発生回路を提供する。
【解決手段】内部電源電圧発生回路１００は、外部電源電圧を昇圧し、第１の昇圧電圧を第１の昇圧出力端子から出力する第１の昇圧回路と、第１の昇圧電圧よりも高い第２の昇圧電圧を第２の昇圧出力端子から出力する第２の昇圧回路と、第１の昇圧電圧を降圧し、第１の降圧電圧を出力する第１の降圧回路と、第２の昇圧電圧を降圧し、第１の昇圧電圧よりも高い第２の降圧電圧を出力する第２の降圧回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速アクセス動作を実現する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の正規メモリセルを含むメモリセルアレイと複数のセンスアンプ回路からなる半導体記憶装置において、メモリセルアレイには、所望のデータの書込み及び読出し動作に利用する正規メモリセルＭＣと、電源ノイズを低減するための平滑容量（具体的には平滑容量に利用するダミーセルＤＭＣ）を有する。また、ダミーセルＤＭＣのワード線は、正規メモリセルＭＣのワード線と同じタイミングで活性化する。また、データ線のプリチャージレベルはＶＤＤとし、ダミーセルＤＭＣの一部を参照レベル発生用のメモリセルとして利用しても良い。この場合、正規メモリセルＭＣのワード線の非活性化をダミーセルＤＭＣのワード線の非活性化よりも先行的に実施する。さらに、隣接データ線同士を短絡するための回路を付加しても良い。 （もっと読む）

【課題】メモリ回路、システム、及び、その操作方法を提供する。
【解決手段】メモリ回路は、少なくとも一つのメモリセルを有し、電荷の方式でデータを保存する。メモリセルはワードラインとビットラインに結合される。メモリ回路は、ビットライン参照電圧VBL_ref をビットラインに提供する手段を含み、ビットライン参照電圧VBL_refの電源電圧VDDに対するVBL_ref/VDD 比は、電源電圧VDDの変化に対応して調整可能である。 （もっと読む）

【課題】安定に内部電源電圧を生成することのできる内部電源電圧発生回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】内部電源電圧線２４５ａ，２４５ｂそれぞれに対して、対応の活性制御信号の活性化に応答して活性化されて、対応の内部電源線に内部電源電圧を生成する活性内部降圧回路２４２，２４４を設ける。これらの内部電源線の間に、常時動作して内部電源線に内部電源電圧を電流を生成する常時内部降圧回路を設ける。活性内部降圧回路の負荷が軽減され、安定に内部電源線に内部電源電圧を生成することができる。また、スタンバイ時においては、常時内部降圧回路により低消費電流で安定に内部電源線を所定の電圧レベルに維持することができる。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路を有する半導体装置において、電源投入の際に速やかに基準電圧値に到達する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電圧発生回路であるバンドギャップ基準回路１０１と、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子に接続された電源電流供給回路２０１とを有する。電源電流供給回路２０１は、バンドギャップ基準回路１０１の出力端子の電圧レベルが基準電圧に到達するまでの間、出力端子の電圧レベルに対応して、電源電圧の上昇に応じ電源電流をバンドギャップ基準回路１０１の出力端子へ供給することを特徴とする。 （もっと読む）